一种控制并联MOS管均衡的电路制造技术

技术编号:24234294 阅读:146 留言:0更新日期:2020-05-21 04:05
本实用新型专利技术提供了一种控制并联MOS管均衡的电路,包括MOS管、均流电阻、电流监测电路、误差监测电路、开关电源以及MCU;所述MOS管的源极通过所述均流电阻接电源地PGND,所述MOS管的漏极接母线电压;所述均流电阻的两端分别与所述电流监测电路相连接;所述开关电源与所述电流监测电路相连接;所述MCU与所述误差监测电路相连接;所述电流监测电路的输出端与所述误差监测电路相连接;所述误差监测电路的输出端与所述MOS管的栅极相连接。本实用新型专利技术的优点在于:均流电阻参与到调节中,可很好的实现并联MOS管中的各个MOS管的电流均衡;在均流电阻相同的条件下,同型号的MOS管无需再进行参数配对。

A circuit to control the equalization of parallel MOS transistors

【技术实现步骤摘要】
一种控制并联MOS管均衡的电路
本技术涉及锂电池生产领域,特别涉及一种控制并联MOS管均衡的电路。
技术介绍
在大功率线性电源领域中,经常会碰到多个MOS管并联使用的情况。在多个MOS管并联使用时,即使是相同型号的MOS管,其导通阻抗和开启导通电压都会存在差异性,而MOS管自身又难以实现均衡,因此,电流过大的MOS管很容易造成过热而烧毁。为了避免这种情况的出现,通常需要加入控制电路,以使MOS管开关在开通或关闭的瞬间所流经每个MOS管的电流一致,从而达到每个MOS管的电流均衡的目的。但是,现有的MOS管均衡电路存在有以下缺陷:1、采用均流电阻所起到的均流效果不佳,同时在大电流的情况下,往往需要极大的功率损失,这不仅降低了设备的效率和可靠性,且会增大设备体积和增加设备成本;2、对于同型号的MOS管,需要进行参数配对,使用起来比较不方便;3、无法进行等比例均流。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题,在于提供一种控制并联MOS管均衡的电路,通过该电路可实现对并联MOS管中的各个MOS管进行电流均衡调节。本技术是这样实现的:一种控制并联MOS管均衡的电路,包括MOS管、均流电阻、电流监测电路、误差监测电路、开关电源以及MCU;所述MOS管的源极通过所述均流电阻接电源地PGND,所述MOS管的漏极接母线电压;所述均流电阻的两端分别与所述电流监测电路相连接,以通过所述电流监测电路采样所述均流电阻两端的电压差并进行放大;所述开关电源与所述电流监测电路相连接,以通过所述开关电源为所述电流监测电路提供电源;所述MCU与所述误差监测电路相连接,以通过所述MCU为所述误差监测电路提供驱动信号;所述电流监测电路的输出端与所述误差监测电路相连接,以通过所述电流监测电路输出的放大信号来对所述误差监测电路的驱动信号进行补偿;所述误差监测电路的输出端与所述MOS管的栅极相连接,以通过所述误差监测电路对MOS管栅极的开启电压进行微量调节,使流过各所述MOS管的电流相等。进一步地,所述均流电阻包括电阻R6和电阻R12,所述MOS管的源极与所述电阻R6相连接,所述电阻R6与所述电阻R12相连接,所述电阻R12连接电源地PGND。进一步地,所述电流监测电路包括电阻R1、电阻R3、电阻R8、电阻R9、电阻R7、电容C3以及第一差分放大器U1A;所述第一差分放大器U1A的两供电端均通过所述开关电源进行供电;所述电阻R3与所述第一差分放大器U1A的负输入端相连接,所述电阻R8与所述第一差分放大器U1A的正输入端相连接;所述均流电阻的V+端与所述电阻R8相连接,所述均流电阻的V-端与所述电阻R3相连接;所述电阻R1的一端与所述第一差分放大器U1A的负输入端相连接,所述电阻R1另一端与所述第一差分放大器U1A的输出端相连接;所述电阻R7的一端与所述第一差分放大器U1A的输出端相连接,所述电阻R7另一端连接电源地PGND;所述电阻R9和电容C3的一端均与所述第一差分放大器U1A的正输入端相连接,所述电阻R9和电容C3的另一端均连接电源地PGND。进一步地,所述误差监测电路包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电容C2、电容C5以及第二差分放大器U1B;所述电阻R4的一端与所述电流监测电路的输出端相连接,另一端与所述第二差分放大器U1B的负输入端相连接;所述电阻R13的一端与所述MCU相连接,所述电阻R13另一端与所述第二差分放大器U1B的正输入端相连接;所述电容C5和电阻R10的一端均与所述第二差分放大器U1B的正输入端相连接,所述电容C5和电阻R10的另一端均连接电源地PGND;所述电阻R2的一端与所述第二差分放大器U1B的负输入端相连接,所述电阻R2另一端与所述电容C2的一端相连接,所述电容C2的另一端与所述第二差分放大器U1B的输出端相连接;所述电阻R11的一端与所述第二差分放大器U1B的输出端相连接,所述电阻R11的另一端连接电源地PGND;所述电阻R5的一端与所述第二差分放大器U1B的输出端相连接,所述电阻R5的另一端与MOS管的栅极相连接。本技术的优点在于:1、均流电阻参与到调节中(即可通过均流电阻实现将电流转换为电压),可很好的实现并联MOS管中的各个MOS管的电流均衡调节,进而避免因电流过大而导致MOS管过热烧毁,因此,通过将本技术的电路应用到具有多个MOS管并联的设备中,不仅可以降低设备的功率损失,提高设备的效率和可靠性,而且可以降低对设备的散热要求,进而可减小设备的体积和降低设备的成本;同时,在均流电阻相同的条件下,同型号的MOS管无需再进行参数配对;2、本技术的电路本身具有负反馈调节(具体是通过误差监测电路来进行负反馈调节),因此,无需外围MCU控制信号进行调节;3、本技术的电路在同样的母线电压,同型号MOS管下可实现等比例均流;4、本技术的电路还可人为可控地设置并联MOS管中任一MOS管的均流电流值(即本电路中R6+R12的电流值),可灵活、方便地在各种不同条件下的应用。附图说明下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术一种控制并联MOS管均衡的电路的实现原理框图。图2是本技术一种控制并联MOS管均衡的电路的电路图。具体实施方式请重点参照图1至图2所示,本技术一种控制并联MOS管均衡的电路100的较佳实施例,包括MOS管1、均流电阻2、电流监测电路3、误差监测电路4、开关电源5以及MCU6;所述MOS管1的源极(S)通过所述均流电阻2接电源地PGND,所述MOS管1的漏极(D)接母线电压7;所述均流电阻2的两端分别与所述电流监测电路3相连接,以通过所述电流监测电路3采样所述均流电阻2两端的电压差并进行放大;所述开关电源5与所述电流监测电路3相连接,以通过所述开关电源5为所述电流监测电路3提供电源,在具体实施时,所述开关电源5可以为所述电流监测电路3提供VCC+和VCC-电源;所述MCU6与所述误差监测电路4相连接,以通过所述MCU6为所述误差监测电路4提供驱动信号,所述MCU6可AD输出电平信号,从而实现为所述误差监测电路4提供驱动信号;所述电流监测电路3的输出端与所述误差监测电路4相连接,以通过所述电流监测电路3输出的放大信号来对所述误差监测电路4的驱动信号进行补偿;所述误差监测电路4的输出端与所述MOS管1的栅极相连接,以通过所述误差监测电路4对MOS管1栅极(G)的开启电压进行微量调节,使流过各所述MOS管1的电流相等。本技术在具体实施时,对于并联MOS管中的各个MOS管1,均需要通过一个本技术的电路100来进行控制,以通过本技术的电路100来控制流过各个MOS管1的电流都相等,从而达到每个MOS管1电流均衡的目的。在本技术中,所述均流电阻2包括电阻R6和电阻R12,所述MOS管1的源极与所述电阻R6相连接,所述电阻R6与所述电阻R12相连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制并联MOS管均衡的电路,其特征在于:包括MOS管、均流电阻、电流监测电路、误差监测电路、开关电源以及MCU;/n所述MOS管的源极通过所述均流电阻接电源地PGND,所述MOS管的漏极接母线电压;所述均流电阻的两端分别与所述电流监测电路相连接,以通过所述电流监测电路采样所述均流电阻两端的电压差并进行放大;所述开关电源与所述电流监测电路相连接,以通过所述开关电源为所述电流监测电路提供电源;所述MCU与所述误差监测电路相连接,以通过所述MCU为所述误差监测电路提供驱动信号;/n所述电流监测电路的输出端与所述误差监测电路相连接,以通过所述电流监测电路输出的放大信号来对所述误差监测电路的驱动信号进行补偿;所述误差监测电路的输出端与所述MOS管的栅极相连接,以通过所述误差监测电路对MOS管栅极的开启电压进行微量调节,使流过各所述MOS管的电流相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种控制并联MOS管均衡的电路,其特征在于:包括MOS管、均流电阻、电流监测电路、误差监测电路、开关电源以及MCU;
所述MOS管的源极通过所述均流电阻接电源地PGND,所述MOS管的漏极接母线电压;所述均流电阻的两端分别与所述电流监测电路相连接,以通过所述电流监测电路采样所述均流电阻两端的电压差并进行放大;所述开关电源与所述电流监测电路相连接,以通过所述开关电源为所述电流监测电路提供电源;所述MCU与所述误差监测电路相连接,以通过所述MCU为所述误差监测电路提供驱动信号;
所述电流监测电路的输出端与所述误差监测电路相连接,以通过所述电流监测电路输出的放大信号来对所述误差监测电路的驱动信号进行补偿;所述误差监测电路的输出端与所述MOS管的栅极相连接,以通过所述误差监测电路对MOS管栅极的开启电压进行微量调节,使流过各所述MOS管的电流相等。


2.如权利要求1所述的一种控制并联MOS管均衡的电路,其特征在于:所述均流电阻包括电阻R6和电阻R12,所述MOS管的源极与所述电阻R6相连接,所述电阻R6与所述电阻R12相连接,所述电阻R12连接电源地PGND。


3.如权利要求1所述的一种控制并联MOS管均衡的电路,其特征在于:所述电流监测电路包括电阻R1、电阻R3、电阻R8、电阻R9、电阻R7、电容C3以及第一差分放大器U1A;所述第一差分放大器U1A的两供电端均通过所述开关电源进行供电;
所述电阻R3与所述第一差分放大器U1A的负输入端相连接,所述电阻R8与所述第一差分放大器U1A的正输入端相连...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤平邓秉杰涂建添周平强
申请(专利权)人:福建星云电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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