自去耦天线阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种自去耦天线阵列，包括：第一介质基板，第一介质基板其中一表面上设置有接地板；至少两天线，每一天线包括：微带线，微带线设置于第一介质基板背离接地板的表面上；辐射贴片，微带线位于第一介质基板与辐射贴片之间且辐射贴片与微带线间隔设置，辐射贴片在第一介质基板上形成一投影区域，微带线自投影区域外延伸至投影区域内；其中，微带线连接至馈源并对辐射贴片进行耦合馈电，以使接地板中产生弱场区，其中一天线位于另一天线产生的弱场区内。本发明专利技术的自去耦天线阵列依靠自身的结构优势使得各个天线之间实现去耦合，具有高效、结构简单、实用性强、耦合宽带较宽的优点。

【技术实现步骤摘要】
自去耦天线阵列
本专利技术属于无线通讯
，特别涉及一种自去耦天线阵列。
技术介绍
现有技术中，由于多输入所输出技术具有大数据容量和高速率的优点，已经广泛用于现代通信系统。然而随着通信技术的快速发展，天线的数量越来越多，在有限的空间范围内，天线之间的强烈耦合会严重恶化了系统的性能。例如，耦合会降低天线的辐射效率和辐射方向图。因此，在多天线系统中，一种高效实用的去耦合技术至关重要。传统的去耦合方法包括两大类：第一类是利用电磁带隙结构阻挡天线之间的耦合，这些结构包括缺陷地结构，超材料结构等。第二类是引入额外的元件或电路产生射频信号来抵消天线之间的耦合。然而，第一类方法去耦合带宽较窄而且结构复杂。而第二类方法在多天线系统中设计复杂，实用性不强。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种自去耦天线阵列，旨在解决上述提出的现有技术中存在的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种自去耦天线阵列，包括：第一介质基板，所述第一介质基板其中一表面上设置有接地板；至少两天线，两所述天线排状设置，每一所述天线包括：微带线，所述微带线设置于所述第一介质基板背离所述接地板的表面上；辐射贴片，所述微带线位于所述第一介质基板与所述辐射贴片之间且所述辐射贴片与所述微带线间隔设置，所述辐射贴片在所述第一介质基板上形成一投影区域，所述微带线自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；其中，所述微带线连接至馈源并对所述辐射贴片进行耦合馈电，以使所述接地板中产生弱场区，其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内。进一步地，所述自去耦天线阵列还包括：第二介质基板，所述第二介质基板与所述第一介质基板层叠设置，所述第二介质基板设置于所述微带线与所述辐射贴片之间，以使所述微带线与所述辐射贴片间隔设置。进一步地，所述自去耦天线阵列还包括：馈源连接件，所述馈源连接件连接至所述微带线，以对所述微带线直接馈电。进一步地，所述馈源连接件包括射频输入接头，所述射频输入接头包括内芯和外导体，所述内芯与所述微带线连接，所述外导体与所述接地板连接。进一步地，所述馈源连接件还包括：探针，所述探针穿设于所述第一介质基板中，且所述探针一端连接所述内芯，另一端与所述微带线位于所述投影区域外的一段连接。进一步地，所述探针与所述微带线的连接位置将所述微带线分成长度不等的两段，其中，靠近所述投影区域的一段长于远离所述投影区域的一段。进一步地，所述辐射贴片为方形，所述微带线的长度与所述辐射贴片的边长相近。进一步地，所述第一介质基板和所述第二介质基板的相对介电常数均为2.33。进一步地，所述自去耦天线阵列包括两个以上的所述天线，两个以上的所述天线排状设置，且相邻的两个所述天线中，其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内。本专利技术的技术方案中，通过在所述第一介质基板的两个表面上分别设置所述接地板和所述微带线，所述辐射贴片在所述第一介质基板上形成一投影区域，所述微带线自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；在馈源对所述微带线直接馈电时，所述微带线对所述辐射贴片耦合馈电，使得所述微带线与所述辐射贴片中的电流分布完全相反，由此在所述接地板上耦合出等幅度、反相位的电磁场，从而使得两部分电磁场相互抵消，在所述地板上形成弱场区，把其中一所述天线设置于另一所述天线产生的弱场区内，即可实现两个所述天线的去耦合；本专利技术的自去耦天线阵列依靠自身的结构优势使得整个自去耦天线阵列中各个天线之间实现去耦合，具有高效、结构简单、实用性强、耦合宽带较宽的优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术的自去耦天线阵列的一实施例的结构示意图；图2为图1的自去耦天线阵列去掉第一介质基板后的结构示意图；图3为图1的自去耦天线阵列的分解结构示意图；图4为本专利技术的自去耦天线阵列的另一实施例的结构示意图；图5为图4的自去耦天线阵列的分解结构示意图；图6为本专利技术的馈源连接件的一实施例的结构示意图；图7为图4的自去耦天线阵列的俯视结构示意图；图8为本专利技术的自去耦天线阵列的再一实施例的俯视结构示意图；图9是具有两个天线的自去耦天线阵列的仿真S参数图；图10是具有两个天线的自去耦天线阵列的两个天线的方向图；图10(a)是天线1的E平面的方向图；图10(b)是天线1的H平面的方向图；图10(c)是天线2的E平面的方向图；图10(d)是天线2的H平面的方向图；图11是具有4个天线的自去耦天线阵列的回波损耗与隔离度参数曲线。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。请参一并阅图1-3，本专利技术提供一种自去耦天线阵列100，包括：第一介质基板10，所述第一介质基板10其中一表面上设置有接地板20；至少两天线30，两所述天线30排状设置，每一所述天线30包括：微带线31，所述微带线31设置于所述第一介质基板10背离所述接地板20的表面上；辐射贴片32，所述微带线31位于所述第一介质基板10与所述辐射贴片32之间且所述辐射贴片32与所述微带线31间隔设置，所述辐射贴片32在所述第一介质基板10上形成一投影区域(图未示)，所述微带线31自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；其中，所述微带线31连接至馈源(图未示)并对所述辐射贴片32进行耦合馈电，以使所述接地板20中产生弱场区，其中一所述天线30位于另一所述天线30产生的弱场区内。在本实施例中，所述第一介质基板10的形状可以不作限制，所述第一介质基板10的形状优选为矩形，所述第一介质基板10包括两个相背的表面，其中一个表面上设置有所述接地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自去耦天线阵列，其特征在于，包括：/n第一介质基板，所述第一介质基板其中一表面上设置有接地板；/n至少两天线，两所述天线排状设置，每一所述天线包括：/n微带线，所述微带线设置于所述第一介质基板背离所述接地板的表面上；/n辐射贴片，所述微带线位于所述第一介质基板与所述辐射贴片之间且所述辐射贴片与所述微带线间隔设置，所述辐射贴片在所述第一介质基板上形成一投影区域，所述微带线自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；/n其中，所述微带线连接至馈源并对所述辐射贴片进行耦合馈电，以使所述接地板中产生弱场区，其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内。/n

【技术特征摘要】
1.一种自去耦天线阵列，其特征在于，包括：
第一介质基板，所述第一介质基板其中一表面上设置有接地板；
至少两天线，两所述天线排状设置，每一所述天线包括：
微带线，所述微带线设置于所述第一介质基板背离所述接地板的表面上；
辐射贴片，所述微带线位于所述第一介质基板与所述辐射贴片之间且所述辐射贴片与所述微带线间隔设置，所述辐射贴片在所述第一介质基板上形成一投影区域，所述微带线自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；
其中，所述微带线连接至馈源并对所述辐射贴片进行耦合馈电，以使所述接地板中产生弱场区，其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内。


2.如权利要求1所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述自去耦天线阵列还包括：
第二介质基板，所述第二介质基板与所述第一介质基板层叠设置，所述第二介质基板设置于所述微带线与所述辐射贴片之间，以使所述微带线与所述辐射贴片间隔设置。


3.如权利要求1所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述自去耦天线阵列还包括：
馈源连接件，所述馈源连接件连接至所述微带线，以对所述微带线直接馈电。


4.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛磊，林华伟，
申请(专利权)人：中天宽带技术有限公司，深圳市深大唯同科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32