【技术实现步骤摘要】
一种LED发光芯片的设计方法、装置及灰阶显示电路
本专利技术属于发光二极管领域，尤其涉及一种LED发光芯片的设计方法、装置及灰阶显示电路。
技术介绍
目前主流的Mini-LED(MiniEmittingDiode，次毫米发光二极管)背光方案仍采取被动式发光。主动式发光的Mini-LED阵列的实现仍存在困难。由于Mini-LED的驱动电流较大，超出了TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的驱动能力，必须使用载流子迁移率较高的场效应管，而符合这样要求的场效应管通常是分立元器件。而由于分立元器件的载流子迁移率较高，通常都具有开关管的电流-电压曲线，其开启区域等效电阻很小，不利于用电流进行精确的灰度控制。目前有人提出用AM-PWM(PulseWidthModulation，脉冲宽度调制)的方式，利用开关管的电流-电压特性实现比较好的灰度控制。然而，此类AM-PWM方式控制容易造成动态假轮廓问题。此外，此类AM-PWM方式中每一个扫描时间长度都需要一个对应的扫描信号，若控制2n个灰阶，则需要扫描n次，由此带来亮度的...
【技术保护点】
1.一种LED发光芯片的设计方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取LED发光芯片的灰度数据；/n基于所述灰度数据将所述LED发光芯片划分为两个以上子芯片，且每一所述子芯片独立控制。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED发光芯片的设计方法，其特征在于，所述方法包括：
获取LED发光芯片的灰度数据；
基于所述灰度数据将所述LED发光芯片划分为两个以上子芯片，且每一所述子芯片独立控制。
2.如权利要求1所述的设计方法，其特征在于，基于所述灰度数据将所述LED发光芯片划分为两个以上子芯片具体为：
基于预设规则为每一灰度级分配子芯片，任两个灰度级对应的子芯片的面积不一致。
3.如权利要求2所述的设计方法，其特征在于，基于预设规则为每一灰度级分配子芯片包括：
根据幂运算获取所述灰度数据的底数和指数；
根据所述底数和所述指数获取各个灰度级对应的子芯片数量；
根据所述灰度级和所述发光二极管的发光区域的总面积获取各个灰度级对应的子芯片面积。
4.一种LED发光芯片，其特征在于，所述LED发光芯片包括两个以上子芯片，所述两个LED子芯片基于所述发光芯片的灰度数据划分而成，且每一所述子芯片独立控制。
5.如权利要求4所述的LED发光芯片，其特征在于，所述两个以上子芯片的数量为S，在所述两个以上子芯片中，第K个子芯片的面积是第K-1个子芯片的面积的一半，所述K及S均为大于1的自然数，所述K小于S且大于1。
6.如权利要求5所述的LED发光芯片，其特征在于，在所述两个以上子芯片中，面积最小的子芯片位于面积最大的子芯片的一侧。
7.如权利要求6所述的LED发光芯片，其特征在于，每一所述子芯片为矩形，第K个子芯片位于第K-1个子芯片及第K+1个芯片之间。
8.如权利要求5所述的LED发光芯片，其特征在于，所述两个以上子芯片的数量为S，所述两个以上子芯片包括矩形结构子芯片及正方形结构子芯片，第K+1个子芯片位于第K个子芯片的第一侧，第K-1个子芯片的位于所述第K个子芯片的第二侧，所述第一侧与所述第二侧垂直，当第K个子芯片为矩形时，第K+1个子芯片为正方形，所述K及S均为大于1的自然数。
9.如权利要求8所述的LED发光芯片，其特征在于，面积最小的子芯片与面积最大的子芯片的距离最远。
10.如权利要求4所述的LED发光芯片，其特征在于，每一所述子芯片为正三角形，所述两个以上子芯片包括S个子芯片组及单子芯片，每一所述子芯片组包括三个边长一致的子芯片，三个所述子芯片的边长拼接成内部有三角区域的三角形结构，第K子芯片组位于第K-1子芯片组的三角区域中，所述单子芯片位于第S子芯片组的三角区域中，所述K大于1且小于S，S为大于2的自然数，所述单子芯片位于第S子芯片组的三角区域中。
11.一种背光控制方法，其特征在于，所述背光控制方法包括：
获取待点亮发光二极管的亮度数据；
根据所述亮度数据确定及驱动待点亮子芯片。
12.如权利要求11所述的背光控制方法，其特征在于，所述根据所述亮度数据确定及驱动待点亮子芯片包括：
根据亮度数据和所述待点亮...
【专利技术属性】
技术研发人员：林智远，陈光郎，谢相伟，马刚，闫晓林，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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