【技术实现步骤摘要】
气缸以及包含该气缸的机台
本专利技术涉及气缸
，特别一种气缸以及包含该气缸的机台。
技术介绍
晶圆(wafer)是制造半导体芯片的基本材料，在其制造过程中，不可避免地需要经过刻蚀工序。刻蚀工序通常在刻蚀机台上进行，比较常用的有干法刻蚀机台。干法刻蚀机台设置有传送腔和刻蚀腔，wafer通过传送腔送入刻蚀腔以进行刻蚀工艺。刻蚀进行时，为避免腔体之间产生污染和压力扰动，传送腔和刻蚀腔之间设置有可开闭的门。除此之外，干法刻蚀机台还设置有升降装置，升降装置驱动多根顶针穿过静电卡盘，从而将吸附在静电卡盘上的wafer水平托起，以便机械手取放wafer。但是，传送腔和刻蚀腔之间的门经常出现关不紧，导致干法刻蚀机台停机或停产。不仅于此，wafer还容易出现抖动、掉落等，甚至于在其表面还会沉积较多的副产物(一般为polymer)，这些均提高了wafer的缺陷率，降低了加工质量。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的一个目的在于提供一种气缸，旨在提高气缸的使用寿命，以此减少干法刻蚀机台停机或停产的现象...
【技术保护点】
1.一种气缸，包括气缸本体、活塞杆以及活塞，所述活塞杆穿出所述气缸本体的轴向端部，所述活塞可活动地设置于所述气缸本体的内部并与所述活塞杆连接，其特征在于：/n所述气缸本体包括内缸体和外缸体，所述外缸体固定套设在所述内缸体的外部，并与所述内缸体密封连接，且所述外缸体和所述内缸体之间形成外腔室；/n所述活塞包括内活塞体和外活塞体，所述内活塞体位于所述内缸体，而所述外活塞体位于所述外腔室并用于与所述内活塞体同步运动；/n其中，所述内缸体的侧壁上开设有第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔均与所述外腔室以及所述内缸体连通；所述外缸体的侧壁上开设有第三孔和第四孔，所述第三孔和所述第四...
【技术特征摘要】
1.一种气缸，包括气缸本体、活塞杆以及活塞，所述活塞杆穿出所述气缸本体的轴向端部，所述活塞可活动地设置于所述气缸本体的内部并与所述活塞杆连接，其特征在于：
所述气缸本体包括内缸体和外缸体，所述外缸体固定套设在所述内缸体的外部，并与所述内缸体密封连接，且所述外缸体和所述内缸体之间形成外腔室；
所述活塞包括内活塞体和外活塞体，所述内活塞体位于所述内缸体，而所述外活塞体位于所述外腔室并用于与所述内活塞体同步运动；
其中，所述内缸体的侧壁上开设有第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔均与所述外腔室以及所述内缸体连通；所述外缸体的侧壁上开设有第三孔和第四孔，所述第三孔和所述第四孔均与所述外腔室以及外部连通；所述第一孔和所述第三孔均位于所述活塞的一侧，而所述第二孔和所述第四孔均位于所述活塞的另一侧。
2.根据权利要求1所述的一种气缸，其特征在于，所述活塞杆穿设在所述内缸体中并与所述内活塞体连接；
所述内活塞体与所述外活塞体通过相互之间的吸引力能够同步运动。
3.根据权利要求1所述的一种气缸，其特征在于，所述活塞杆包括内活塞杆和外活塞杆，所述内活塞杆穿设在所述内缸体中并与所述内活塞体连接，所述外活塞杆穿设在所述外缸体中并与所述外活塞体连接；
所述内活塞杆和外活塞杆在气缸本体外侧连接在一起。
4.根据权利要求1所述的一种气缸，其特征在于，所述气缸本体具有相对的第一端和第二端，所述第一孔和所述第三孔均靠近所述第一端设置，所述第二孔和所述第四孔均靠近所述第二端设置，且所述第一孔相较于所述第三孔更远离所述第一端，所述第二孔相较于所述第四孔更远离所述第二端。
5.根据权利要求4所述的一种气缸，其特征在于，所述气缸还包括减震装置，所述减震装置设置于所述气缸本体的内部，用于减小所述活塞对所述气缸本体之轴向端部的冲击。
6.根据权利要求5所述的一种气缸，其特征在于，所述内缸体具有排气腔，所述减震装置包括储气槽，至少一个所述储气槽设置在所述排气腔位于轴向的内壁上。
7.根据权利要求6所述的一种气缸，其特征在于，所述内活塞体的一端面构成所述排气腔的第一内壁，且所述内缸体的一内端面构成所述排气腔的第二内壁，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘超群，孙超，李晓，王昭龙，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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