【技术实现步骤摘要】
一种卧式氮化镓生长炉
本专利技术涉及晶体新材料生产设备
，具体涉及一种卧式氮化镓生长炉。
技术介绍
以氮化镓为代表的第三代半导体材料，由于具有宽的禁带，可以发射波长比红光更短的蓝光。同时，氮化镓还具有高电子迁移率、高击穿电压、化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀等特点，非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件。因此，氮化镓在半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高能高频电子器件等方面有广阔的应用前景。目前氮化镓材料及其相关器件已经成为世界范围内的研究热点。然而，氮化镓虽然最为一种晶体材料，但传统的晶体生长炉大多用于碳硅晶体材料的生产，采用立式炉体提拉法生产，但这种生长炉却并不适用于氮化镓的大规模工业化生产。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，本专利技术专利设计了一种可应用于氮化镓晶体材料大规模工业化生产的卧式生长炉，所述氮化镓生长炉包括卧式炉体、进气系统、生长杆和生长杆固定装置，所述卧式炉体外侧设有分级加热系统使其内部形成5个温区，所述卧式炉体...
【技术保护点】
1.一种卧式氮化镓生长炉，其特征在于，所述氮化镓生长炉包括卧式炉体、进气系统、生长杆和生长杆固定装置，所述卧式炉体设有分级加热系统使其内部形成5个温区，所述卧式炉体的两端分别设有第一连接法兰和第二连接法兰，所述生长杆水平固定连接在生长杆固定装置上，所述进气系统对接卧式炉体的第一连接法兰端，所述生长杆固定装置对接所述卧式炉体的第二连接法兰端，并将其上固定的生长杆水平插入卧式炉体中，所述卧式炉体的第二连接法兰端设有排气口，所述排气口通过管道连接废气处理装置；/n所述进气系统包括进气法兰板，所述进气法兰板与卧式炉体的第一连接法兰密封对接，所述进气法兰板上开有五个穿孔并分别连接有进...
【技术特征摘要】
1.一种卧式氮化镓生长炉，其特征在于，所述氮化镓生长炉包括卧式炉体、进气系统、生长杆和生长杆固定装置，所述卧式炉体设有分级加热系统使其内部形成5个温区，所述卧式炉体的两端分别设有第一连接法兰和第二连接法兰，所述生长杆水平固定连接在生长杆固定装置上，所述进气系统对接卧式炉体的第一连接法兰端，所述生长杆固定装置对接所述卧式炉体的第二连接法兰端，并将其上固定的生长杆水平插入卧式炉体中，所述卧式炉体的第二连接法兰端设有排气口，所述排气口通过管道连接废气处理装置；
所述进气系统包括进气法兰板，所述进气法兰板与卧式炉体的第一连接法兰密封对接，所述进气法兰板上开有五个穿孔并分别连接有进气管，所述进气法兰板中空，其侧面上对称设有两个第一连接管分别连通进气法兰板内的空腔；
所述生长杆固定装置设置有对接法兰盘和固定杆，所述对接法兰盘中部开有穿孔，所述对接法兰盘与卧式炉体的第二连接法兰密封对接，所述对接法兰盘的外侧中部连接有套管，所述套管连接在支撑板上，所述套管内固定有轴承，所述固定杆从对接法兰盘的穿孔插入套管，并从轴承的内圈穿过固定，所述固定杆穿过轴承后连接有传动轮，所述传动轮连接动力电机，所述动力电机固定在支撑板上；
所述生长杆水平连接在固定杆上插入到卧式炉体中，所述对接法兰盘中空，其侧面对称设有两个第二连接管连通对接法兰盘内的空腔；所述第一连接管和第二连接管分别连接循环水系统。
2.根据权利要求1所述的卧式氮化镓生长炉，其特征在于，所述进气法兰板的下侧连接有第一支撑架，所述第一支撑架包括第一立板及其底部连接的第一平板，所述第一立板的顶端固定连接进气法兰板，所述第一支撑架的下侧设有第一滑轨，所述第一滑轨延卧式炉体的轴心方向铺设，所述第一平板的底部连接有第一滑块，所述第一滑块卡合连接第一滑轨，并可沿其滑动。
3.根据权利要求1或2所述的卧式氮化镓生长炉，其特征在于，所述支撑板的底部连接有横板，横板下侧设置有第二滑轨，所述第二滑轨也延卧式炉体的轴心方向铺设，所述横板的下侧面固定有第二滑块，所述第二滑块卡合连接第二滑轨，并可沿其滑动。
4.根据权利要求3所述的卧式氮化镓生长炉，其特征在于，所述对接法兰盘的中部外侧焊接有短接管，所述短接管与套管位于同一轴线上，所述短接管与套管通过不锈钢波纹管连接，所述短接管下连接有第二支撑架，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：石恒业，邵永亮，张保国，胡海啸，李仕蛟，
申请(专利权)人：山东科恒晶体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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