磷化铟晶体基板制造技术

一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×10

InP crystal substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磷化铟晶体基板
本专利技术涉及一种磷化铟晶体基板。
技术介绍
W.A.Gault等人，“TheGrowthofHighQualityIII-VCrystalbytheVerticalGradientFreezeMethod(通过垂直梯度凝固法生长高品质III-V晶体)”，DefectControlinSemiconductors(半导体中的缺陷控制)，1990，653-660页(非专利文献1)公开了一种通过垂直梯度凝固(VGF)法来生长高品质磷化铟的方法。日本专利特开第2008-239480号(专利文献1)公开了由砷化镓构成的半导体晶体(诸如GaAs晶体)，所述半导体晶体具有六英寸以上的直径和1×104cm-2以下的平均位错密度，并且还公开了优选地具有通过光弹性方法测量的1×10-5以下的平均残余应变的半导体晶体。M.Yamada，“High-sensitivitycomputer-controlledinfraredpolariscope(高灵敏度电脑控制的红外偏光器)”，ReviewofScientificInstruments(科学仪器综述)，64卷，第7期，1993年7月，1815-1821页(非专利文献2)公开了一种通过使用高灵敏度计算机控制的红外偏光器来测量由通过LEC方法生长的市售的半绝缘砷化镓(111)晶片中的残余应变所引起的小的相位差和主轴线的双折射的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开第2008-239480号非专利文献非专利文献1：W.A.Gault等人，“TheGrowthofHighQualityIII-VCrystalbytheVerticalGradientFreezeMethod(通过垂直梯度凝固法生长高品质III-V晶体)”，DefectControlinSemiconductors(半导体中的缺陷控制)，1990，653-660页非专利文献2：M.Yamada,“High-sensitivitycomputer-controlledinfraredpolariscope(高灵敏度电脑控制的红外偏光器)”，ReviewofScientificInstruments(科学仪器综述)，64卷，第7期，1993年7月，1815-1821页
技术实现思路
根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下。所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者。所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种。在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，当所述磷化铟晶体基板含有所述硫原子时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当所述磷化铟晶体基板含有所述锡原子和所述铁原子中的任一种时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下。所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者。所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种。在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10-6以上且5×10-5以下的平均残余应变。根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下。所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者。所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种。在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二缺口区域中的任一者中，当所述磷化铟晶体基板含有所述硫原子时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当所述磷化铟晶体基板含有所述锡原子和所述铁原子中的任一种时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下。所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者。所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种。在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10-6以上且5×10-5以下的平均残余应变。附图说明图1A是示出在根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板中形成平坦部的外缘的一部分的示例性位置的示意性平面图。图1B是示出根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板中的示例性平坦部以及第一平坦区域和第二平坦区域的放大的示意性平面图。图2A是示出在根据本专利技术的一种方式的磷化铟晶体基板中形成缺口部的外缘的一部分的示例性位置的示意性平面图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，/n所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，/n所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，
所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，
所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种，并且
在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，
当所述磷化铟晶体基板含有所述硫原子时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且
当所述磷化铟晶体基板含有所述锡原子和所述铁原子中的任一种时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。


2.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，
所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，
所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种，并且
在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10-6以上且5×10-5以下的平均残余应变。


3.根据权利要求1所述的磷化铟晶体基板，其中，所述磷化铟晶体基板在所述第一平坦区域和所述第一缺口区域中的任一者中具有5×10-6以上且5×10-5以下的平均残余应变。

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈志行，鸿池一晓，柳泽拓弥，樋口恭明，羽木良明，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP