【技术实现步骤摘要】
一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法
本专利技术涉及一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法，属于人工晶体生长
技术介绍
以碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN)，氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。与GaN和SiC相比，AlN晶体具有其更特殊的性能：(1)具有非常宽的直接带隙(禁带宽度6.2eV)是重要的蓝光和深紫外发光材料；(2)其热导率高，熔点高，电阻率高，击穿场强大，介电系数小，是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料；(3)并且AlN具有非常好的压电和声表面波高速传播性能，是优异的声表面波器件用压电材料。因此AlN晶体材料具有广阔的应用前景。目前，物理气相传输法(PVT)是生长AlN体块晶体普遍采用的方法，但是该方法生长条件要求非常苛刻，需要在2100-2300℃温度下长时间生长，对温场稳定性要求非常高。目前PVT生长AlN晶体采用的感应加热方式普遍采用的是石墨保温，因此很容易使AlN晶体...
【技术保护点】
1.一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，包括最外层的金属筒、位于金属筒内的侧隔热外屏、侧隔热内屏、下隔热屏和中隔热屏，以及位于中隔热屏上方的上隔热屏，其中，所述侧隔热外屏为呈环形筒状的氧化锆保温层；/n所述金属筒由筒体和底部圆环焊接而成，底部圆环的中部通孔处设置有坩埚支架，坩埚支架上放置有坩埚，所述侧隔热内屏与坩埚之间悬挂有网状加热器。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，包括最外层的金属筒、位于金属筒内的侧隔热外屏、侧隔热内屏、下隔热屏和中隔热屏，以及位于中隔热屏上方的上隔热屏，其中，所述侧隔热外屏为呈环形筒状的氧化锆保温层；
所述金属筒由筒体和底部圆环焊接而成，底部圆环的中部通孔处设置有坩埚支架，坩埚支架上放置有坩埚，所述侧隔热内屏与坩埚之间悬挂有网状加热器。
2.根据权利要求1所述的用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，所述金属筒的筒体和底部圆环的材质均为不锈钢，底部圆环的中部通孔与坩埚支架的直径相匹配。
3.根据权利要求1所述的用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，所述侧隔热外屏由上下多个保温筒体构成，每个保温筒体由若干块弧形的氧化锆保温砖拼接而成，相邻氧化锆保温砖之间通过定位凹槽和凸起配合拼接；
多个保温筒体之间错缝连接，直到形成所需高度；
优选的，每个保温筒体由4-8块弧形的氧化锆保温砖拼接而成。
4.根据权利要求3所述的用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，所述侧隔热内屏也为筒体结构，直接放置在侧隔热外屏内侧；
所述侧隔热内屏由多层环形的隔热板内外相套形成，隔热板的数量为4-12层，隔热板厚度为0.2-0.5mm，相邻隔热板之间的距离为3-8mm；
优选的，隔热板为钨板，相邻钨板之间设置有波浪状的钨凸起，钨凸起的最大厚度为3-8mm；
或者，隔热板为钼板，相邻钼板之间设置有波浪状的钼凸起，钼凸起的最大厚度为3-8mm。
5.根据权利要求1所述的用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，所述坩埚支架的材质为钨或钼。
6.根据权利要求1所述的用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场，其特征在于，所述下隔热屏由多层圆形钨板或钼板构成，呈圆盘状，所述下隔热屏的中心留有用于坩埚支架穿过的圆形通孔，多层圆形钨板或钼板通过螺栓和螺母连接成一个整体，所述下隔热屏放置于金属筒的底部圆环上；
优选的，圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，俞娇仙，刘光霞，陈成敏，赵刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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