一种屏蔽射线的有机硅材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种屏蔽射线的有机硅材料，其原料按重量份计包括：端羟基聚二甲基硅氧烷100份，补强填料5‑200份，屏蔽填料200‑300份，交联剂3‑8份，催化剂0.1‑3份，硅烷偶联剂0.1‑1.5份。本发明专利技术的射线屏蔽效果良好，操作性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽射线的有机硅材料及其制备方法
本专利技术涉及屏蔽材料
，具体涉及一种屏蔽射线的有机硅材料及其制备方法。
技术介绍
随着核工业的发展，核材料应用的场景越来越多。在诸多应用中，防护材料是不可或缺的，防护材料的更新换代也成为极为重要的研究课题。针对X,γ这类辐射防护，早期使用的防护材料一般都含铅，随着环保要求，寻找更环保的屏蔽材料逐渐成为共识。目前大多在可查阅的专利文献中屏蔽材料应用的基础聚合物通常为环氧、聚氨酯、丙烯酸等碳系化合物，制备的产品往往在耐候性、耐高低温等性能存在不足。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种屏蔽射线的有机硅材料及其制备方法，制备所得产品具有较好的屏蔽性。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种屏蔽射线的有机硅材料，其原料按重量份计包括：端羟基聚二甲基硅氧烷100份，补强填料5-200份，屏蔽填料200-300份，交联剂3-8份，催化剂0.1-3份，硅烷偶联剂0.1-1.5份。所述端羟基聚二甲基硅氧烷的黏度为1000-80本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：其原料按重量份计包括：端羟基聚二甲基硅氧烷100份，补强填料5-200份，屏蔽填料200-300份，交联剂3-8份，催化剂0.1-3份，硅烷偶联剂0.1-1.5份。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：其原料按重量份计包括：端羟基聚二甲基硅氧烷100份，补强填料5-200份，屏蔽填料200-300份，交联剂3-8份，催化剂0.1-3份，硅烷偶联剂0.1-1.5份。


2.根据权利要求1所述的一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：所述端羟基聚二甲基硅氧烷的黏度为1000-80000CS。


3.根据权利要求1所述的一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：所述补强填料为白炭黑、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、硅微粉中的一种或一种以上。


4.根据权利要求1所述的一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：所述屏蔽填料为碳酸镧、碳酸铈、碳酸铯、氧化镧、氧化铈、氧化铯中的一种或一种以上。


5.根据权利要求1所述的一种屏蔽射线的有机硅材料，其特征在于：所述交联剂为烷氧基硅烷。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾增明，兰华雄，汤海滨，王政，
申请(专利权)人：中科新镧系厦门科技有限公司，卡酷安厦门新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35