磷烷的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种磷烷的制备方法。该制备方法包括：将白磷和氢气进行化合反应，得到化合反应产物体系，化合反应过程的反应温度为240～500℃，反应压力2～5MPa；将化合反应产物体系进行第一冷却分离处理过程，得到未反应的白磷和第一分离产物；及将第一分离产物进行第二冷却分离处理过程，得到液态的磷烷和未反应的氢气。当反应温度为500～700℃，反应压力3～5MPa时，单质砷和氢气能够发生化合反应，得到含砷烷的化合反应产物体系；通过两次冷却分离过程能够将磷烷中的杂质去除，提高磷烷的产率和纯度。上述过程中没有液体物料参与，不会产生废液，是一种环境友好型工艺，更适合规模化生产。

Preparation of phosphine

【技术实现步骤摘要】
磷烷的制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种磷烷的制备方法。
技术介绍
磷烷(PH3)是电子气体中很重要的五族元素之一，PH3是一种重要的电子特气。它在半导体工业中主要用于外延硅的N型掺杂、硅中的N型扩散、离子注入、生长磷化镓(GaAs)和磷磷化镓(GaAsP)以及与IIIA/VA族元素形成半导体化合物等。此外，PH3在光电子、太阳能电池和微波装置中也有极为重要的应用。目前含磷半导体都是采用磷烷生产的，一是采用磷肥的副产物磷烷作为高纯磷烷的原料，此方法杂质含量多，且成分复杂，纯化成本高，经济效益低；二是采用磷化锌与酸反应生成磷烷，此方法在水相中反应，产物中含有大量的水，将水除到痕量级别成本很高。鉴于上述问题的存在，有必要提供一种新的磷烷的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种磷烷的制备方法，以解决现有的磷烷制备方法存在环境不友好和磷烷产品中杂质含量高的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种磷烷的制备方法，该制备方法包括：将白磷和氢气进行化合反应，得到化合反应产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷烷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n将白磷和氢气进行化合反应，得到化合反应产物体系，其中所述化合反应过程的反应温度为240～500℃，反应压力2～5MPa；/n将所述化合反应产物体系进行第一冷却分离处理，得到未反应的所述白磷和第一分离产物；及/n将所述第一分离产物进行第二冷却分离处理，得到液态的所述磷烷和未反应的所述氢气。/n

【技术特征摘要】
1.一种磷烷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
将白磷和氢气进行化合反应，得到化合反应产物体系，其中所述化合反应过程的反应温度为240～500℃，反应压力2～5MPa；
将所述化合反应产物体系进行第一冷却分离处理，得到未反应的所述白磷和第一分离产物；及
将所述第一分离产物进行第二冷却分离处理，得到液态的所述磷烷和未反应的所述氢气。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一冷却分离处理过程的温度为40～100℃。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第二冷却分离处理过程的温度为-130～-80℃。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，在进行所述化合反应之前，所述制备方法还包括：将...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁红锋，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11