一种新型磁敏感器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型磁敏器件及其制备方法，包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上选择性沉积一层氧化铝；4)氧化铝上生长一层磁性薄膜，并通光刻、刻蚀工艺形成球或柱型结构；5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指型金属电极。本发明专利技术创新性地利用了声表面波共振效应以及磁性材料对磁场敏感性特点，通过磁致伸缩效应改变GaN材料声表面波传播特性，从而使得声波的共振频率发生偏移，来实现对磁场的高灵敏探测。

A new type of magnetic sensitive device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种新型磁敏感器件及其制备方法
本专利技术涉及磁探测领域，具体为一种新型磁敏感器件及其制备方法。
技术介绍
GaN是第三代宽禁带半导体材料之一，其具有击穿电场高、电子饱和速度快、可在高温工作等优势，在电力电子器件等方面显示出良好的应用前景，并到了广泛的关注。当前，人们已经利用GaN外延材料的特点研发设计出了各种应用需求的电力电子器件，并且针对未来更多的应用也在进行新结构新器件的设计和研发。磁性材料是指能够对磁场的存在做出某种方式反应的功能性材料。由于磁性材料具有独特的磁化特性，这使得磁性材料在工业制造、生物医学、地质、考古、航空航天、军事等领域有着广泛的应用。鉴于GaN材料和磁性材料具有的诸多优点，当把这二者进行结合时，有利于利用这两种材料的互补特性，制备适用于高温、高压和高磁场环境中新型传感器件，并极有可能给磁场监控等应用领域带来一个很好的应用和发展前景。
技术实现思路
基于上述提到的应用开发前景，本专利技术创新性地提出了一种新型磁敏感器件及其制备方法，不仅利用了GaN材料和磁性材料独特的优异的物理特性，而且利用了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型磁敏感器件制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；/n2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；/n3)本征掺杂GaN层上选择性沉积一层氧化铝；/n4)氧化铝上生长一层磁性薄膜，并通光刻、刻蚀工艺形成球或柱型结构；/n5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指金属电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型磁敏感器件制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；
2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；
3)本征掺杂GaN层上选择性沉积一层氧化铝；
4)氧化铝上生长一层磁性薄膜，并通光刻、刻蚀工艺形成球或柱型结构；
5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指金属电极。


2.根据权利要求1所述的新型磁敏感器件制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的高阻GaN缓冲层厚度为0.2μm～4μm。


3.根据权利要求1所述的新型磁敏感器件制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的本征掺杂GaN层厚度为0.5μm～2μm。


4.根据权利要求1所述的新型磁敏感器件制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇志军，杨强强，
申请(专利权)人：苏州巧云信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32