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本发明公开了一种新型磁敏器件及其制备方法，包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上选择性沉积一层氧化铝；4)氧化铝上生长一层磁性薄膜，并通光刻、刻蚀工艺形成球或柱型结构；...
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