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电子装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:24684776 阅读:82 留言:0更新日期:2020-06-27 08:20
一种电子装置及其操作方法。该电子装置包括:阻变存储器阵列、初始化电路和输出电路,初始化电路被配置为对第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元分别进行不同的初始化过程,以使得第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元对应不同的阻变窗口;输出电路被配置为读取多个阻变存储器单元中的至少部分阻变存储器单元的电流值,处理所读取的至少部分阻变存储器单元的电流值以得到并输出处理结果。该电子装置可以使得阻变存储器阵列中的各阻变存储器单元能够同时存储物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)密钥值和其它数据,从而提高了资源的利用率,避免了阻变存储器阵列中存储的PUF密钥值用尽后资源的浪费。

Electronic device and operation method

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其操作方法
本公开的实施例涉及一种电子装置及其操作方法。
技术介绍
物理不可克隆函数(PhysicalUnclonableFunction,PUF)是一种专门为保障硬件安全而设计的电路模块。PUF利用其内部电路固有的随机性产生一系列真随机数,可以用于密钥保护、设备认证等安全防护手段。目前,已经存在利用互补金属氧化物半导体(CMOS)电路、阻变存储器阵列等来实现PUF的多种技术方案。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种电子装置,包括:阻变存储器阵列、初始化电路和输出电路,所述阻变存储器阵列包括多个阻变存储器单元,所述多个阻变存储器单元包括第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元,所述初始化电路被配置为对所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元分别进行不同的初始化过程,以使得所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元对应不同的阻变窗口;所述输出电路被配置为读取所述多个阻变存储器单元中的至少部分阻变存储器单元的电流值,处理所读取的所述至少部分阻变存储器单元的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置,包括:阻变存储器阵列、初始化电路和输出电路,/n其中,所述阻变存储器阵列包括多个阻变存储器单元,所述多个阻变存储器单元包括第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元,/n所述初始化电路被配置为对所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元分别进行不同的初始化过程,以使得所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元对应不同的阻变窗口;/n所述输出电路被配置为读取所述多个阻变存储器单元中的至少部分阻变存储器单元的电流值,处理所读取的所述至少部分阻变存储器单元的电流值以得到并输出处理结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子装置,包括:阻变存储器阵列、初始化电路和输出电路,
其中,所述阻变存储器阵列包括多个阻变存储器单元,所述多个阻变存储器单元包括第一被选中的阻变存储器单元和第二被选中的阻变存储器单元,
所述初始化电路被配置为对所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元分别进行不同的初始化过程,以使得所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元对应不同的阻变窗口;
所述输出电路被配置为读取所述多个阻变存储器单元中的至少部分阻变存储器单元的电流值,处理所读取的所述至少部分阻变存储器单元的电流值以得到并输出处理结果。


2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述不同的初始化过程包括第一初始化过程和第二初始化过程,所述第一初始化过程的目标电流值和所述第二初始化过程的目标电流值不相同,
所述初始化电路被配置为:对所述第一被选中的阻变存储器单元进行所述第一初始化过程,对所述第二被选中的阻变存储器单元进行所述第二初始化过程。


3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述初始化电路包括第一初始化子电路和第二初始化子电路,
所述第一初始化子电路被配置为对所述第一被选中的阻变存储器单元进行所述第一初始化过程,
所述第二初始化子电路被配置为对所述第二被选中的阻变存储器单元进行所述第二初始化过程。


4.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述不同的初始化过程包括第一初始化过程和第二初始化过程,所述第一初始化过程的目标电流值小于所述第二初始化过程的目标电+流值,
所述初始化电路被配置为:
对所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元进行所述第一初始化过程;
在所述第一初始化过程后,响应于所述第一被选中的阻变存储器单元的阻值小于所述第二被选中的阻变存储器单元的阻值,对所述第一被选中的阻变存储器单元进行所述第二初始化过程;或者,响应于所述第二被选中的阻变存储器单元的阻值小于所述第一被选中的阻变存储器单元的阻值,对所述第二被选中的阻变存储器单元进行所述第二初始化过程。


5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述初始化电路包括第一初始化子电路、第二初始化子电路和电阻比较子电路,
所述第一初始化子电路被配置为对所述第一被选中的阻变存储器单元和所述第二被选中的阻变存储器单元进行所述第一初始化过程;
所述电阻比较子电路被配置为:在所述第一初始化过程后,对所述第一被选中的阻变存储器单元的电阻和所述第二被选中...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴华强林博瀚高滨庞亚川唐建石钱鹤
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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