温度传感器及集成电路制造技术

技术编号:24677597 阅读:34 留言:0更新日期:2020-06-27 06:35
本发明专利技术涉及一种温度传感器及集成电路,其中温度传感器包括电流产生模块,电流产生模块既包括MOS管温度传感单元又包括BJT温度传感单元,通过PWM产生器输出不同占空比的PWM脉冲来切换MOS管温度传感单元和BJT温度传感单元使其在不同时段分别输出具有温度系数特性的电流,相较于传统技术中仅采用MOS管温度传感器或仅采用BJT温度传感器,本申请利用MOS管温度传感单元和BJT温度传感单元组合的温度传感器测温精度高,避免了仅采用BJT温度传感器时封装应力导致的精度偏差,或仅采用MOS管温度传感器时非线性因子引入的误差,实现精准的温度测量。

Temperature sensor and integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
温度传感器及集成电路
本专利技术涉及温度控制领域,特别是涉及一种温度传感器及集成电路。
技术介绍
温度传感器在工业、交通运输、生物机械、农业等领域具有非常广泛的应用。模拟输出IC(IntegratedCircuit,集成电路)温度传感器是一种常用的温度传感器,其具有精度高、尺寸小、分辨率高、线性高等优势。CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)集成温度传感器是常用的模拟IC温度传感器,其主要实现方式包括:基于MOS(MetalOxideSemiconductor,金属氧化物半导体)管的温度传感器及基于BJT(BipolarJunctionTransistor,双极型晶体管)的温度传感器。基于MOS管的温度传感器MOS器件通常工作在亚阈值器,其含有非线性因子ζ,线性度差于基于BJT的温度传感器;基于BJT的温度传感器由于BJT器件易受应力影响,失配较敏感。
技术实现思路
基于此,有必要针对传统的基于MOS管的温度传感器和基于BJT的温度传感器存在的问题,提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度传感器,其特征在于,包括:/n开关模块,用于在输入的PWM脉冲信号的控制下导通或关断;/n电流产生模块,包括MOS管温度传感单元和BJT温度传感单元,所述开关模块导通时,所述MOS管温度传感单元产生具有温度系数特性的电流,所述开关模块关断时,所述BJT温度传感单元产生具有温度系数特性的电流;/n镜像电流源模块,连接所述电流产生模块,用于将所述具有温度系数特性的电流镜像输出。/n

【技术特征摘要】
1.一种温度传感器,其特征在于,包括:
开关模块,用于在输入的PWM脉冲信号的控制下导通或关断;
电流产生模块,包括MOS管温度传感单元和BJT温度传感单元,所述开关模块导通时,所述MOS管温度传感单元产生具有温度系数特性的电流,所述开关模块关断时,所述BJT温度传感单元产生具有温度系数特性的电流;
镜像电流源模块,连接所述电流产生模块,用于将所述具有温度系数特性的电流镜像输出。


2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述温度传感器还包括PWM发生器,所述PWM发生器包括充放电单元和比较单元;
所述比较单元用于比较所述充放电单元的电压和阈值电压的大小,并在所述充放电单元的电压大于所述阈值电压时输出第一电平信号,在所述充放电单元的电压小于所述阈值电压时输出第二电平信号,以形成所述PWM脉冲信号。


3.根据权利要求2所述的温度传感器,其特征在于,所述PWM发生器还包括时钟控制单元和切换单元;
所述时钟控制单元控制所述切换单元,以使所述切换单元控制所述充放电单元在充电状态和放电状态之间切换。


4.根据权利要求3所述的温度传感器,其特征在于,所述切换单元包括第四开关和第五开关,所述第四开关包括控制端、第一端和第二端,所述第五开关包括控制端、第一端、第二端和第三端;
所述第四开关的控制端连接所述时钟控制单元的输出端,所述第四开关的第一端连接所述第五开关的第一端和所述充放电单元的第一端,所述第四开关的第二端连接所述充电单元的第二端,当所述时钟控制单元输出第一电平信号时,所述第四开关闭合,当所述控制单元输出第二电平信号时,所述第四开关关断;
所述第五开关的控制端连接所述时钟控制单元的输出端,所述第五开关的第二端接地,所述第五开关的第三端连接预设的可调电压源,当所述时钟控制单元输出第一电平信号时,所述第五开关的第一端和第二端连通,当所述时钟控制单元输出第二电平信号时,所述第五开关的第一端和第三端连通。


5.根据权利要求4所述的温度传感器,其特征在于,所述温度传感器还包括控制模块,所述控制模块用于配置所述可调电压源的输出电压的大小以调节所述PWM脉冲信号的占空比。


6.根据权利要求5所述的温度传感器,其特征在于,所述MOS管温度传感单元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管;
所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管的栅极相连,所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的漏极和所述第三MOS管的漏极分别连接预设电源,...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯力梅陈敏
申请(专利权)人:芯海科技深圳股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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