【技术实现步骤摘要】
一种聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物及其制备方法
本专利技术涉及智能高分子的制备方法
,特别涉及一种聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物及其制备方法。
技术介绍
2001年,唐本忠院士等人发现一种杂戊二烯类化合物,这种化合物在乙醇溶液中几乎没有荧光发射,一旦制备成薄膜或者加入到乙醇与水的混合溶液中,荧光信号就会升高;这一现象与传统荧光材料中的聚集诱导猝灭现象(ACQ)完全相反,唐等人把这种特殊的荧光发光现象取名为聚集诱导发光现象(aggregation-inducedemission,AIE)。聚集诱导发光分子在稀溶液中几乎没有荧光,然而在高浓度或者是聚集态时荧光却很强,这样有效避免了传统有机荧光材料在高浓度溶液状态下时,发光效率低甚至不发光的缺陷,利用聚集诱导发光分子的特性,将其与其他高分子材料结合,可以获得具有特异性荧光效应的新材料。自修复形状记忆材料(Self-healingmaterial)是在材料被外力破坏后具有自我修复功能的一类智能形状记忆聚合物(SMP),可延长形状记忆材料的使用寿命,具有非共价键的自 ...
【技术保护点】
1.一种聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物,其特征在于,聚集诱导发光化合物通过接枝或嵌段化学键合于自修复形状记忆聚合物上,所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物的结构式如下所示:/n
【技术特征摘要】
1.一种聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物,其特征在于,聚集诱导发光化合物通过接枝或嵌段化学键合于自修复形状记忆聚合物上,所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物的结构式如下所示:
其中,n=5000。
2.根据权利要求1所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物,其特征在于,所述聚集诱导发光化合物包括羟基,所述自修复形状记忆聚合物包括异氰酸酯基。
3.根据权利要求1所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物,其特征在于,所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物中所述聚集诱导发光化合物的含量为0.1%-10%。
4.一种如权利要求1-3中任一项所述的聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物的制备方法,其特征在于,包括:
将聚集诱导发光化合物溶解于溶剂中形成混合液A,并在所述混合液A中加入自修复形状记忆聚合物,进行化学接枝或化学嵌段反应形成混合液B,然后加热除去所述混合液B中的溶剂,即得到所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物。
5.根据权利要求4所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物的制备方法,其特征在于,所述聚集诱导发光化合物包括多芳基取代的杂环化合物、多芳基取代的乙烯类化合物和含氢键且具有聚集诱导发光现象的化合物中的一种或多种;其中,
所述多芳基取代的杂环化合物包括氨基化噻咯衍生物、噻吩类衍生物...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘彦菊,冷劲松,何阳,王晓飞,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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