【技术实现步骤摘要】
一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法本专利技术属于材料
,特别涉及一种二维层状过渡金属硫化物的制备合成方法。
技术介绍
1.石墨烯的发现掀起了二维材料研究的热潮,但是石墨烯的零带隙严重制约了其在某些领域的应用。以MoS2为代表的二维层状过渡金属硫化物(简称TMDCs)由于具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等,在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景,引起了广大研究者们的兴趣,成为了近年来低维功能材料领域研究的热点。二维层状过渡金属硫化物(TMDCS),是一种由Mo或W为代表的过渡金属,以及S,Se或Te的硫族元素组成的新兴二维层状材料。通过改变过渡金属元素或者硫族元素,可以极大地调控单层TMDCS的各种性能。特别值得一提的是,经过多年研究,科学家发现这种材料可以从普通金属转变为半导体,甚至是超导体,因而在柔性电子器件、生物传感器、水净化等诸多领域的应用备用关注。2.继石墨烯(零带隙)淘金热之后,二维层状过渡金属硫属化物(简称TMDCs),缩写为MX2(M=Mo,W;X=S,Se,Te等)以其优良的 ...
【技术保护点】
1.一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法,其特征在于:(1)适用的原料:其中M元素为Ti、Nb、V、Y、Nb、Mo、Ta 、W、Hf、Cr、Mn,A元素为Al 、Si 、Ge、 Sn、 Ga、 Sb,X元素为B、C、N、Si的三元层状, max相陶瓷或者MAB相陶瓷分别从上述的元素含量的max相陶瓷或者MAB相陶瓷选取一种球磨成的粉末作为反应的原料;/n将步骤(1)的粉末在含有H
【技术特征摘要】
1.一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法,其特征在于:(1)适用的原料:其中M元素为Ti、Nb、V、Y、Nb、Mo、Ta、W、Hf、Cr、Mn,A元素为Al、Si、Ge、Sn、Ga、Sb,X元素为B、C、N、Si的三元层状,max相陶瓷或者MAB相陶瓷分别从上述的元素含量的max相陶瓷或者MAB相陶瓷选取一种球磨成的粉末作为反应的原料;
将步骤(1)的粉末在含有H2S、H2Se、H2Te、单质S蒸汽、单质Se蒸汽、单质Te蒸汽的气体的氛围在按500到1400度的温度范围内到将max相陶瓷或者MAB相粉末在气氛中加热5小时以上,将所获得的粉末在惰性气体的保护下球磨后就可以...
【专利技术属性】
技术研发人员:何青,赵征志,邵雅斌,章志涛,章冬雯,蒋浩,符兴玉,李雅,
申请(专利权)人:苏州北科新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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