一种毫米波垂直传输过渡结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体以及上层微带传输线和下层微带传输线，上层微带传输线包括上介质基片、上50欧姆传输线金属层、上连接孔和上信号匹配结；下层微带传输线包括下介质基片、下50欧姆传输线金属层、下连接孔和下信号匹配结。本垂直过渡结构中通过上、下信号匹配结补偿传输线的不连续性，减小了传输损耗和驻波系数，在1～40GHz频段内传输损耗＜2.1dB(含两个K‑2.92mm接头及20.4mm dur iod5880 0.127mm传输线损耗，约1dB)，驻波＜1.6。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波/射频信号传输
，特别是一种毫米波垂直传输过渡结构。
技术介绍
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本、小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对传输结构的性能、尺寸、可靠性和成本提出了更高的要求；但是现有的毫米波垂直传输结构中信号传输损耗较大，驻波系数较差，特别是高频段尤其明显。
技术实现思路
本技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，以解决上述传输结构中信号传输损耗较大，驻波系数较差的技术问题。为了解决上述技术问题，本技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体,以及设置在所述金属腔主体一端上部的上层微带传输线和设置在所述金属腔主体另一端下部的下层微带传输线，所述上层微带传输线和所述下层微带传输线平行；所述上层微带传输线包括上介质基片、上50欧姆传输线金属层、上连接孔和上信号匹配结，所述上50欧姆传输线金属层设置在所述上介质基片上，所述上连接孔贯穿所述上层微带传输线并位于其一端，所述上信号匹配结位于所述上连接孔的周围；所述上信号匹配结在所述上连接孔直径的一侧形成与所述上50欧姆传输线金属层连接的长方形盘，在所述上连接孔直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体(01),以及设置在所述金属腔主体(01)一端上部的上层微带传输线(02)和设置在所述金属腔主体(01)另一端下部的下层微带传输线(03)，所述上层微带传输线(02)和所述下层微带传输线(03)平行；其特征在于，所述上层微带传输线(02)包括上介质基片(021)、上50欧姆传输线金属层(022)、上连接孔(023)和上信号匹配结(024)，所述上50欧姆传输线金属层(022)设置在所述上介质基片(021)上，所述上连接孔(023)贯穿所述上层微带传输线(02)并位于其一端，所述上信号匹配结(024)位于所述上连接孔(023)的周围；所述上信号匹配结(0...

【技术特征摘要】
1.一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体(01),以及设置在所述金属腔主体(01)一端上部的上层微带传输线(02)和设置在所述金属腔主体(01)另一端下部的下层微带传输线(03)，所述上层微带传输线(02)和所述下层微带传输线(03)平行；其特征在于，所述上层微带传输线(02)包括上介质基片(021)、上50欧姆传输线金属层(022)、上连接孔(023)和上信号匹配结(024)，所述上50欧姆传输线金属层(022)设置在所述上介质基片(021)上，所述上连接孔(023)贯穿所述上层微带传输线(02)并位于其一端，所述上信号匹配结(024)位于所述上连接孔(023)的周围；所述上信号匹配结(024)在所述上连接孔(023)直径的一侧形成与所述上50欧姆传输线金属层(022)连接的长方形盘，在所述上连接孔(023)直径的另一侧呈半圆形盘；所述下层微带传输线(03)包括下介质基片(031)、下50欧姆传输线金属层(032)、下连接孔(033)和下信号匹配结(034)，所述下50欧姆传输线金属层(032)设置在所述下介质基片(031)上，所述下连接孔(033)贯穿所述下层微带传输线(03)并位于其一端，所述下信号匹配结(034)位于所述下连接孔(033)的周围；所述下信号匹配结(034)包括以所述下连接孔(033)为圆心的圆形盘以及连接所述圆形盘和所述下50欧姆传输线金属层(032)的长条形盘；所述上信号匹配结(024)的面积大于所述下信号匹配结(034)的面积。2.根据权利要求1所述的毫米波垂直传输过渡结构，其特征在于，所述上介质基片(021)和所述下介质基片(031)都为0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介质基片；所述上信号匹配结(024)中长方形盘的长边尺寸为1.16mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓东，
申请(专利权)人：成都浩翼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51