一种毫米波垂直传输过渡结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体以及上层微带传输线和下层微带传输线，上层微带传输线包括上介质基片、上50欧姆传输线金属层、上连接孔和上信号匹配结；下层微带传输线包括下介质基片、下50欧姆传输线金属层、下连接孔和下信号匹配结。本垂直过渡结构中通过上、下信号匹配结补偿传输线的不连续性，减小了传输损耗和驻波系数，在1～40GHz频段内传输损耗＜2.1dB(含两个K‑2.92mm接头及20.4mm dur iod5880 0.127mm传输线损耗，约1dB)，驻波＜1.6。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波/射频信号传输
，特别是一种毫米波垂直传输过渡结构。
技术介绍
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本、小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对传输结构的性能、尺寸、可靠性和成本提出了更高的要求；但是现有的毫米波垂直传输结构中信号传输损耗较大，驻波系数较差，特别是高频段尤其明显。
技术实现思路
本技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，以解决上述传输结构中信号传输损耗较大，驻波系数较差的技术问题。为了解决上述技术问题，本技术提供一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体,以及设置在所述金属腔主体一端上部的上层微带传输线和设置在所述金属腔主体另一端下部的下层微带传输线，所述上层微带传输线和所述下层微带传输线平行；所述上层微带传输线包括上介质基片、上50欧姆传输线金属层、上连接孔和上信号匹配结，所述上50欧姆传输线金属层设置在所述上介质基片上，所述上连接孔贯穿所述上层微带传输线并位于其一端，所述上信号匹配结位于所述上连接孔的周围；所述上信号匹配结在所述上连接孔直径的一侧形成与所述上50欧姆传输线金属层连接的长方形盘，在所述上连接孔直径的另一侧呈半圆形盘；所述下层微带传输线包括下介质基片、下50欧姆传输线金属层、下连接孔和下信号匹配结，所述下50欧姆传输线金属层设置在所述下介质基片上，所述下连接孔贯穿所述下层微带传输线并位于其一端，所述下信号匹配结位于所述下连接孔的周围；所述下信号匹配结包括以所述下连接孔为圆心的圆形盘以及连接所述圆形盘和所述下50欧姆传输线金属层的长条形盘；所述上信号匹配结的面积大于所述下信号匹配结的面积。本技术的有益效果是：由于所述上信号匹配结中为方形盘和半圆形盘的不规则组合结构，以及下信号匹配结的圆形盘和长条形盘的不规则组合结构，使得上、下信号匹配结处的信号不连续性减弱，减小了传输损耗、减小了驻波系数，改善了信号传输的能力，。进一步，所述上介质基片和所述下介质基片都为0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介质基片；所述上信号匹配结中长方形盘的长边尺寸为1.16mm，长方形盘的短边尺寸为0.72mm，所述长方形盘的短边方向上的中心线与所述上50欧姆传输线金属层的长边方向的中心线共线,所述上信号匹配结中半圆形盘的半径为0.35mm，所述半圆形盘的圆心位于所述上50欧姆传输线金属层的长边方向的中心线上；所述下信号匹配结中的圆形盘的半径为0.35mm，所述下信号匹配结中的长条形盘的长度0.32mm，长条形盘的宽度0.24mm，所述长条形盘长度方向上的中心线与所述下50欧姆传输线金属层的长边方向的中心线共线，所述圆形盘的圆心位于所述下50欧姆传输线金属层的长边方向的中心线上。采用上述进一步方案的有益效果是：现有的RogersRT/duroid5880介质基片微带传输线中的金属层的宽度为0.37mm，所以将上信号匹配结中为方形盘和半圆形盘设置为上述尺寸，将下信号匹配结的圆形盘和长条形盘设置为上述尺寸，可以确保传输损耗最小，驻波系数最好。进一步，绝缘子设置在空气腔里，所述空气腔包括从上到下顺序连接的第一空气腔体、第二空气腔体和第三空气腔体，所述三个空气腔体都为圆柱形，从上到下所述三个空气腔体的半径依次减小。采用上述进一步方案的有益效果是：将设置绝缘子的空气腔设置为上下三个空气腔体的半径依次减小的结构，配合上信号匹配结的面积大于下信号匹配结的面积结构，进一步提高上信号匹配结和下信号匹配结之间信号传输的连续性。进一步，所述第一空气腔体的直径范围为2.5mm至3.0mm，所述第二空气腔体的直径范围为1.8mm至2.2mm，所述第三空气腔体的直径为0.7mm至0.9mm。采用上述进一步方案的有益效果是：将空气腔设置为上述尺寸，使得绝缘子中的绝缘子针垂直传输信号受外界影响较小。进一步，所述第一空气腔体的直径为2.8mm，所述第二空气腔体的直径为2.0mm，所述第三空气腔体的直径为0.8mm。采用上述进一步方案的有益效果是：上述空气腔的结构配合RogersRT/duroid5880介质基片微带传输线以及上信号匹配结和下信号匹配结使用，进一步优化信号的传输，确保传输损耗和驻波系数的良好。进一步，所述绝缘子通过焊膏设置在空气腔里。采用上述进一步方案的有益效果是：通过焊膏连接绝缘子和空气腔，避免毫米波能量的损失。进一步，还包括绝缘子，所述绝缘子上的两个绝缘子针分别穿过所述上连接孔和所述下连接孔，并通过焊锡点焊连接。采用上述进一步方案的有益效果是：采用点焊连接，避免毫米波在上信号匹配结和下信号匹配结处的连续性变差。附图说明图1是本技术毫米波垂直传输过渡结构实施例俯视图，图2是本技术毫米波垂直传输过渡结构实施例仰视图，图3是本技术毫米波垂直传输过渡结构实施例中金属腔剖面图，图4是图3中A处的局部视图，图5是图3中B处的局部视图，图6是上层微带传输线实施例结构图，图7是图6中上信号匹配结局部结构图，图8是下层微带传输线实施例结构图，图9是图8中下信号匹配结局部结构图，图10是本实施例毫米波垂直传输过渡结构的测试报告。附图中，各标号所代表的部件列表如下：01、金属腔主体，02、上层微带传输线，021、上介质基片，022、上50欧姆传输线金属层，023、上连接孔，024、上信号匹配结，03、下层微带传输线，031、下介质基片，032、下50欧姆传输线金属层，033、下连接孔，034、下信号匹配结，04、绝缘子，041、绝缘子针，05、空气腔，06、信号传输接头具体实施方式下面结合附图和实施方式对本技术作进一步的说明。本技术毫米波垂直传输过渡结构实施例的结构图参见图1至图9，包括金属腔主体01,以及设置在金属腔主体01一端上部的上层微带传输线02和设置在金属腔主体01另一端下部的下层微带传输线03，上层微带传输线02和下层微带传输线03平行；上层微带传输线02包括上介质基片021、上50欧姆传输线金属层022、上连接孔023和上信号匹配结024，上50欧姆传输线金属层022设置在上介质基片021上，上连接孔023贯穿上层微带传输线02并位于其一端，上信号匹配结024位于上连接孔023的周围；上信号匹配结024在上连接孔023直径的一侧形成与上50欧姆传输线金属层022连接的长方形盘，在上连接孔023直径的另一侧呈半圆形盘；下层微带传输线03包括下介质基片031、下50欧姆传输线金属层032、下连接孔033和下信号匹配结034，下50欧姆传输线金属层032设置在下介质基片031上，下连接孔033贯穿下层微带传输线03并位于其一端，下信号匹配结034位于下连接孔033的周围；下信号匹配结034包括以下连接孔033为圆心的圆形盘以及连接圆形盘和下50欧姆传输线金属层032的长条形盘；上信号匹配结024的面积大于下信号匹配结034的面积；上介质基片021和下介质基片031都为0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介质基片；上信号匹配结024中长方形盘的长边尺寸为1.16mm，长方形盘的短边尺寸为0.72mm，长方形盘的短边方向上的中心线与上50欧姆传输线金属层022的长边方向的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体(01),以及设置在所述金属腔主体(01)一端上部的上层微带传输线(02)和设置在所述金属腔主体(01)另一端下部的下层微带传输线(03)，所述上层微带传输线(02)和所述下层微带传输线(03)平行；其特征在于，所述上层微带传输线(02)包括上介质基片(021)、上50欧姆传输线金属层(022)、上连接孔(023)和上信号匹配结(024)，所述上50欧姆传输线金属层(022)设置在所述上介质基片(021)上，所述上连接孔(023)贯穿所述上层微带传输线(02)并位于其一端，所述上信号匹配结(024)位于所述上连接孔(023)的周围；所述上信号匹配结(024)在所述上连接孔(023)直径的一侧形成与所述上50欧姆传输线金属层(022)连接的长方形盘，在所述上连接孔(023)直径的另一侧呈半圆形盘；所述下层微带传输线(03)包括下介质基片(031)、下50欧姆传输线金属层(032)、下连接孔(033)和下信号匹配结(034)，所述下50欧姆传输线金属层(032)设置在所述下介质基片(031)上，所述下连接孔(033)贯穿所述下层微带传输线(03)并位于其一端，所述下信号匹配结(034)位于所述下连接孔(033)的周围；所述下信号匹配结(034)包括以所述下连接孔(033)为圆心的圆形盘以及连接所述圆形盘和所述下50欧姆传输线金属层(032)的长条形盘；所述上信号匹配结(024)的面积大于所述下信号匹配结(034)的面积。...

【技术特征摘要】
1.一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体(01),以及设置在所述金属腔主体(01)一端上部的上层微带传输线(02)和设置在所述金属腔主体(01)另一端下部的下层微带传输线(03)，所述上层微带传输线(02)和所述下层微带传输线(03)平行；其特征在于，所述上层微带传输线(02)包括上介质基片(021)、上50欧姆传输线金属层(022)、上连接孔(023)和上信号匹配结(024)，所述上50欧姆传输线金属层(022)设置在所述上介质基片(021)上，所述上连接孔(023)贯穿所述上层微带传输线(02)并位于其一端，所述上信号匹配结(024)位于所述上连接孔(023)的周围；所述上信号匹配结(024)在所述上连接孔(023)直径的一侧形成与所述上50欧姆传输线金属层(022)连接的长方形盘，在所述上连接孔(023)直径的另一侧呈半圆形盘；所述下层微带传输线(03)包括下介质基片(031)、下50欧姆传输线金属层(032)、下连接孔(033)和下信号匹配结(034)，所述下50欧姆传输线金属层(032)设置在所述下介质基片(031)上，所述下连接孔(033)贯穿所述下层微带传输线(03)并位于其一端，所述下信号匹配结(034)位于所述下连接孔(033)的周围；所述下信号匹配结(034)包括以所述下连接孔(033)为圆心的圆形盘以及连接所述圆形盘和所述下50欧姆传输线金属层(032)的长条形盘；所述上信号匹配结(024)的面积大于所述下信号匹配结(034)的面积。2.根据权利要求1所述的毫米波垂直传输过渡结构，其特征在于，所述上介质基片(021)和所述下介质基片(031)都为0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介质基片；所述上信号匹配结(024)中长方形盘的长边尺寸为1.16mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓东，
申请(专利权)人：成都浩翼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51