碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO制造技术

碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO

In situ growth of Bi modified BiVO with carbon cloth

【技术实现步骤摘要】
碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO4柔性易回收光催化材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及光催化材料
，特别涉及一种制备碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO4柔性易回收光催化材料的方法及其应用。
技术介绍
半导体光催化是一种清洁能源的高效利用技术，在光解水制氢、二氧化碳转化、空气净化和水降解处理等方面均有应用，有望解决世界能源短缺和环境污染问题。由于我国铋产量丰富，铋族光催化剂具有较高的光催化效率，引起了研究人员的广泛关注。钒酸铋(BiVO4)的禁带宽度为2.3-2.4eV，可在可见光下分解水和降解污染物，具有光响应范围宽、低碳环保、无毒的特点。但由于光生电子和空穴容易复合，量子效率低，光降解效率受到限制。因此，开发具有高的光生载流子分离效率，宽范围的可见光响应和低成本的BiVO4基复合材料仍然是巨大的兴趣和挑战。单一半导体材料的性能和应用一般具有较大的局限性，不能满足实际生产的各种需求。通过在其表面加载金属或金属氧化物，如V2O5/BiVO4、Cu/BiVO4、CeO2/BiVO4等，在材料内部形成内建电场促进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO

【技术特征摘要】
1.一种碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO4柔性易回收光催化材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
以Bi(NO3)3·5H2O和NaVO3·2H2O为原料，加入一定尺寸的碳布，经溶剂热反应一定时间后得到碳布负载BiVO4粉末；在Ar/H2气氛中一定温度下退火一定时间，得到一种碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO4柔性易回收光催化材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，碳布负载BiVO4粉末由包括以下步骤的方法得到：将一定尺寸的碳布加入分散有Bi(NO3)3和NaVO3的体系，在120℃～200℃进行溶剂热反应6~12h，得到碳布负载BiVO4粉末。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，碳布负载Bi/BiVO4粉末由包括以下步骤的方法得到：将碳布负载BiVO4粉末在Ar/H2气氛中在300℃～400℃温度下退火5h～12h，得到碳布负载Bi/BiVO4。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨艳玲，毕雅欣，陈志刚，朱建锋，陈华军，锁国权，冯雷，叶晓慧，张荔，侯小江，和茹梅，邹鑫鑫，孙瑜，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61