一种用于提高散热性能的LED芯片制造技术

技术编号:24640558 阅读:27 留言:0更新日期:2020-06-24 15:56
本实用新型专利技术公开了一种用于提高散热性能的LED芯片,涉及LED技术领域;包括LED灯杯、LED支架、第一芯片、第二芯片以及第三芯片;LED支架包括正极引脚和负极引脚,且正极引脚和负极引脚均伸入LED灯杯的腔体中;第一芯片、第二芯片以及第三芯片相并排,且第一芯片固定于正极引脚上,第二芯片和第三芯片固定于负极引脚上,第二芯片与第二芯片之间的距离为H,且H=340±38um;第一芯片的正极端与正极引脚电性连接,第一芯片的负极端与第二芯片的正极端通过金线相连接第二芯片的负极端与第三芯片的正极端通过金线相连接,第三芯片的负极端与负极引脚电性连接;本实用新型专利技术的有益效果是:通过对多个芯片的位置进行设定,以提高多个芯片的散热效率。

A kind of LED chip for improving heat dissipation performance

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高散热性能的LED芯片
本技术涉及LED
,更具体的说,本技术涉及一种用于提高散热性能的LED芯片。
技术介绍
现在LED灯具,已经广泛应用在了日常生活中,在照明领域更是逐步替代了白炽灯,同时,LED在其他领域也在积极的推广。LED光源具有高亮度和节能的特点,因此所以环保型照明。但是,LED作为光源本身也有一定的缺陷,其中一个问题就是散热问题,其直接影响到了LED光源本身的寿命。现有技术中,在一个芯片内一般只焊接一个LED,其主要原因是灯杯内部空间有限,LED发出的热量会聚集在灯杯内部,这成为行业内亟待解决的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供一种用于提高散热性能的LED芯片,通过对多个芯片的位置进行设定,以提高多个芯片的散热效率。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于提高散热性能的LED芯片,其改进之处在于:包括LED灯杯、LED支架、第一芯片、第二芯片以及第三芯片;所述的LED灯杯设置有凹陷的腔体,腔体具有呈倾斜的内壁,该内壁为光滑的反光面,所述的LED支架包括正极引脚和负极引脚,且正极引脚和负极引脚均伸入LED灯杯的腔体中,并位于腔体的底部;所述的第一芯片、第二芯片以及第三芯片相并排,且第一芯片固定于正极引脚上,第二芯片和第三芯片固定于负极引脚上,第二芯片与第二芯片之间的距离为H,且H=340±38um;所述第一芯片的正极端与正极引脚电性连接,第一芯片的负极端与第二芯片的正极端通过金线相连接第二芯片的负极端与第三芯片的正极端通过金线相连接,所述第三芯片的负极端与负极引脚电性连接。在上述的结构中,所述第一芯片、第二芯片以及第三芯片的厚度为H2,且H2≤7um。在上述的结构中,所述金线的最高点到第一芯片上表面的距离为H1,且H1=120±15um。在上述的结构中,所述正极引脚上设置有第一焊点,第一芯片的正极端同第一焊点电性连接,该第一焊点与相临近侧壁的距离为B1,且B1=220±60um。在上述的结构中,所述正极引脚和负极引脚之间设置有隔离区,所述第一焊点与隔离区之间的距离为A1,且A1=130±60um。在上述的结构中,所述的负极引脚上设置有第二焊点,第三芯片的负极端同第二焊点电性连接,该第二焊点与相邻近侧壁的距离为B2,且B2=220±60um,第二焊点与隔离区之间的距离为A2,且A2=220±60um。在上述的结构中,所述第三芯片与相邻近的两个侧壁的距离分别为Y1和L,且Y1=260±38um,L>180um。在上述的结构中,所述第一芯片与相邻侧壁的距离为Y2,第二芯片与相邻近侧壁的距离为Y3,且Y2=Y3=250±38um。在上述的结构中,所述的LED灯杯的一拐角处设置有缺角。本技术的有益效果是:将多个LED芯片并排的设置在LED灯杯内,同时对LED芯片的位置、焊点的位置进行限定,在满足LED芯片发光的同时,能够使LED灯杯内的温度更为均匀,避免LED灯杯中某一处的温度过高,因此提高了LED芯片的散热性能和LED芯片的使用寿命。附图说明图1为本技术的一种用于提高散热性能的LED芯片的固晶图。图2为本技术的一种用于提高散热性能的LED芯片的焊线图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。以下将结合实施例和附图对本技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本技术的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本技术的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本技术的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本技术保护的范围。另外,专利中涉及到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本技术创造中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。参照图1、图2所示,本技术揭示了一种用于提高散热性能的LED芯片,具体的,包括LED灯杯10、LED支架、第一芯片20、第二芯片30以及第三芯片40,其中,所述的LED灯杯10设置有凹陷的腔体,腔体具有呈倾斜的内壁,该内壁为光滑的反光面101,通过该反光面101将照射在其上的光线进行反射;进一步的,所述的LED支架包括正极引脚50和负极引脚60,且正极引脚50和负极引脚60均伸入LED灯杯10的腔体中,并位于腔体的底部,所述正极引脚50和负极引脚60之间设置有隔离区70,该隔离区70呈长条状。在本实施例中,如图2所示,所述的第一芯片20、第二芯片30以及第三芯片40相并排,且第一芯片20固定于正极引脚50上,第二芯片30和第三芯片40固定于负极引脚60上,第二芯片30与第二芯片30之间的距离为H,且H=340±38um,在这个距离范围内,第二芯片30与第三芯片40的发光不会相互影响,并且能够保证第二芯片30和第三芯片40发出的热量能够及时的进行散发,在本实施例中,距离H=340um。本实施例中,所述第一芯片20的正极端与正极引脚50电性连接,第一芯片20的负极端与第二芯片30的正极端通过金线相连接第二芯片30的负极端与第三芯片40的正极端通过金线相连接,所述第三芯片40的负极端与负极引脚60电性连接。对于第一芯片20、第二芯片30以及第三芯片40的尺寸,本技术提供了一具体实施例,所述第一芯片20、第二芯片30以及第三芯片40的厚度为H2,且H2≤7um;所述金线的最高点到第一芯片20上表面的距离为H1,且H1=120±15um。另外,对于负极引脚60和正极引脚50上的焊点的设置,本技术提供了一具体实施例,如图2所示,所述正极引脚50上设置有第一焊点,第一芯片20的正极端同第一焊点电性连接,该第一焊点与相临近侧壁的距离为B1,且B1=220±60um;所述第一焊点与隔离区70之间的距离为A1,且A1=130±60um。进一步的,所述的负极引脚60上设置有第二焊点,第三芯片40的负极端同第二焊点电性连接,该第二焊点与相邻近侧壁的距离为B2,且B2=220±60um,第二焊点与隔离区70之间的距离为A2,且A2=220±60um。通过对第一焊点和第二焊点位置的限定,能够避免第一焊点和第二焊点产生的热量对第一芯片20、第二芯片30以及第三芯片40的发光造成影响。进一步的,所述第三芯片40与相邻近的两个侧壁的距离分别为Y1和L,且Y1=260±38um,L>180um;所述第一芯片20与相邻侧壁的距离为Y2,第二芯片30与相邻近侧壁的距离为Y3,且Y2=Y3=250±38um。另外,在上述的实施例中,需要说明的是,LED灯杯10的一拐角处设置有缺角102,以便于实现LED灯杯10的定位。通过上述的结构,将多个LED芯片并排的设置在LED灯杯10内,同时对LED芯片的位置、焊点的位置进行限定,在满足LED芯片发光的同时,能够使LED灯杯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提高散热性能的LED芯片,其特征在于:包括LED灯杯、LED支架、第一芯片、第二芯片以及第三芯片;/n所述的LED灯杯设置有凹陷的腔体,腔体具有呈倾斜的内壁,该内壁为光滑的反光面,所述的LED支架包括正极引脚和负极引脚,且正极引脚和负极引脚均伸入LED灯杯的腔体中,并位于腔体的底部;/n所述的第一芯片、第二芯片以及第三芯片相并排,且第一芯片固定于正极引脚上,第二芯片和第三芯片固定于负极引脚上,第二芯片与第二芯片之间的距离为H,且H=340±38um;所述第一芯片的正极端与正极引脚电性连接,第一芯片的负极端与第二芯片的正极端通过金线相连接第二芯片的负极端与第三芯片的正极端通过金线相连接,所述第三芯片的负极端与负极引脚电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于提高散热性能的LED芯片,其特征在于:包括LED灯杯、LED支架、第一芯片、第二芯片以及第三芯片;
所述的LED灯杯设置有凹陷的腔体,腔体具有呈倾斜的内壁,该内壁为光滑的反光面,所述的LED支架包括正极引脚和负极引脚,且正极引脚和负极引脚均伸入LED灯杯的腔体中,并位于腔体的底部;
所述的第一芯片、第二芯片以及第三芯片相并排,且第一芯片固定于正极引脚上,第二芯片和第三芯片固定于负极引脚上,第二芯片与第二芯片之间的距离为H,且H=340±38um;所述第一芯片的正极端与正极引脚电性连接,第一芯片的负极端与第二芯片的正极端通过金线相连接第二芯片的负极端与第三芯片的正极端通过金线相连接,所述第三芯片的负极端与负极引脚电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种用于提高散热性能的LED芯片,其特征在于:所述第一芯片、第二芯片以及第三芯片的厚度为H2,且H2≤7um。


3.根据权利要求2所述的一种用于提高散热性能的LED芯片,其特征在于:所述金线的最高点到第一芯片上表面的距离为H1,且H1=120±15um。


4.根据权利要求1所述的一种用于提高散热性能的LED芯片,其特征在于:所述正极引脚上设置有第一焊点...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟胜萍
申请(专利权)人:深圳市鑫科光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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