激光器芯片的制备方法技术

一种激光器芯片的制备方法，包括：提供一外延层，所述外延层包括一P面；在所述外延层的P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；在所述开口区中形成一表面镀层；移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；沿所述图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片；本发明专利技术实施例通过新型的图案层表面镀层设计，利用表面镀层中的镀层图案可直接对外延层进行劈裂分割，从而得到多个独立的激光器芯片，相较于现有的激光器芯片切割，简化了工艺流程，提高了生产效率，降低生产成本。

Preparation of laser chip

【技术实现步骤摘要】
激光器芯片的制备方法
本专利技术涉及激光器
，尤其涉及一种激光器芯片的制备方法。
技术介绍
本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的具体实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器，其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场革命，也是固体激光器的发展方向。市场上侧面泵浦半导体线阵激光器，若要保证大功率输出，通常需要包括多个独立的激光器巴条。目前，这种激光器的封装工艺首先是将整个激光器芯片切割成独立的多个激光器巴条，在激光器巴条沿着腔体的后腔面镀高反射膜、前腔面镀增透膜，然后将多个所述激光器巴条的P面朝下先后焊接在热沉基板上。由于现有工艺无法实现同时在热沉基板上焊接多个激光器巴条，多次焊接的工艺显然无法满足大功率激光器以及超大功率激光器的生产效率要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种激光器芯片的制备方法，能够解决以上问题。本专利技术实施例提供一种激光器芯片的制备方法，包括步骤：S1:提供一外延层，所述外延层包括一P面；S2:在所述外延层的所述P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；S3:在所述开口区中形成一表面镀层；S4:移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；S5:沿所述多个图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片。根据本专利技术一实施方式，所述镀层图案包括第一图案线路，步骤S5包括沿所述第一图案线路对所述外延层进行劈裂分割，从而得到包含多个解理面的芯片半成品。根据本专利技术一实施方式，所述外延层的劈裂宽度小于所述第一图案线路的宽度。根据本专利技术一实施方式，步骤S5包括对所述多个芯片半成品的所述外延层进行切割；以及对所述多个芯片半成品的所述表面镀层进行切割，从而得到所述激光器芯片。根据本专利技术一实施方式，所述外延层的切割宽度大于所述表面镀层的切割宽度。根据本专利技术一实施方式，所述镀层图案还包括与所述第一图案线路相垂直的多个第二图案线路，步骤S5包括沿所述第二图案线路对所述多个芯片半成品的所述外延层进行切割，从而得到所述激光器芯片。根据本专利技术一实施方式，在所述步骤S1包括在所述外延层的所述P面上形成一过渡层，所述过渡层包括形成于所述外延层上的一种子层以及形成于所述种子层远离所述外延层的表面上的一中间镀层。根据本专利技术一实施方式，步骤S5包括对所述多个芯片半成品的所述外延层进行减薄和抛光处理。根据本专利技术一实施方式，步骤S5还包括对所述芯片半成品的所述解理面镀膜形成共振腔，其中所述共振腔的前腔面镀增透膜，所述共振腔的后腔面镀高反射膜。根据本专利技术一实施方式，移除所述图案层的方法为浸入剥离液以溶解所述图案层。本专利技术实施例通过新型的图案层线路设计和表面镀层结合方案，通过在整个外延层上形成图案化的表面镀层，利用表面镀层中的镀层图案可直接对外延层进行劈裂分割，从而得到多个独立的激光器芯片，相较于现有的激光器芯片切割，简化了工艺流程，提高了生产效率，降低生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例/方式技术方案，下面将对实施例/方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例/方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式中在外延层上形成种子层后的结构图。图2为在图1所示的种子层上形成中间镀层后的结构示意图。图3为在图2所示的中间镀层上形成图案层后的结构示意图。图4为在图3所示的图案层的开口区中形成表面镀层后的结构示意图。图5为移除图4所示的图案层后的结构示意图。图6为对图5所示的中间镀层以及种子层进行切割后的结构示意图。图7为对图6所述的外延层进行切割后的结构示意图。图8为对图7所示的芯片半成品进行切割后的结构示意图。图9为对图8所示的种子层、中间镀层以及表面镀层进行切割后得到的一较佳实施方式的激光器芯片的结构示意图。图10为本专利技术另一实施方式的激光器芯片的结构示意图。符号说明外延层10芯片半成品10a外延层10b芯片待切割线路12种子层20过渡层25中间镀层30图案层40图案区41开口区42表面镀层50镀层图案51热沉基板60激光器芯片100，200第一图案线路511切割宽度w1，w2如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，所描述的实施方式仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。激光器芯片包括外延层，在外延层上形成相应的光学结构可最终实现激光输出。对于光学结构部分，不属于本专利技术的重点内容，此处便不再赘述，以下将只对与本专利技术相关的部分进行详细描述。本专利技术一较佳实施方式提供一种激光器芯片的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一外延层，所述外延层包括一P面，在所述外延层的P面上形成过渡层；S2：在所述过渡层的表面形成局部覆盖所述过渡层的一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；S3：在所述开口区中形成一表面镀层；S4：移除所述图案层以在所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；S5：沿所述多个图案线路对所述外延层及过渡层进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光器芯片的制备方法，包括步骤：/nS1:提供一外延层，所述外延层包括一P面；/nS2:在所述外延层的所述P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；/nS3:在所述开口区中形成一表面镀层；/nS4:移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；/nS5:沿所述多个图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光器芯片的制备方法，包括步骤：
S1:提供一外延层，所述外延层包括一P面；
S2:在所述外延层的所述P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；
S3:在所述开口区中形成一表面镀层；
S4:移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；
S5:沿所述多个图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片。


2.如权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述镀层图案包括第一图案线路，步骤S5包括沿所述第一图案线路对所述外延层进行劈裂分割，从而得到包含多个解理面的芯片半成品。


3.如权利要求2所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层的劈裂宽度小于所述第一图案线路的宽度。


4.如权利要求2所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，步骤S5包括对所述多个芯片半成品的所述外延层进行切割；以及对所述多个芯片半成品的所述表面镀层进行切割，从而得到所述激光器芯片。


5.如权利要求4所述的激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈长安，郑兆祯，
申请(专利权)人：深圳市中光工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44