一种存储器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种存储器，该存储器包括：存储模块，存储模块包括多个数据块；控制模块，控制模块包括擦写次数链表，擦写次数链表用于记录各个已写入数据的数据块的块号和擦写次数，擦写次数链表按照擦写次数增长的顺序记录各个数据块及其擦写次数，控制模块用于在检测到擦写次数链表中记录的首位擦写次数与末位擦写次数的差值大于或等于擦写次数阈值时，触发静态损耗均衡。本发明专利技术实施例中，通过擦写次数链表可快速查出最小擦写次数对应的数据块，最大擦写次数对应的数据块，根据擦写次数链表中记录的擦写次数判断是否触发静态损耗均衡，无需每次都扫描所有块的擦写次数，提高了静态损耗均衡算法的效率。

A memory

【技术实现步骤摘要】
一种存储器
本专利技术实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
eMMC(EmbeddedMultiMediaCard，嵌入式多媒体)芯片是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器。eMMC芯片中集成了一个控制器，该控制器可提供标准接口并管理闪存，如此可使得使用eMMC芯片的手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。eMMC芯片主要由控制器和闪存颗粒组成，通过写操作将数据保存在闪存颗粒中，通过读操作从闪存颗粒中读取数据。目前市场主流的闪存为NANDflash，具有尺寸小，容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，在业界也得到了越来越广泛的应用。NANDflash包括多个物理块。eMMC芯片主要是通过损耗均衡实现每个物理块均衡的被使用，从而最大化eMMC芯片寿命，因此需要静态损耗均衡能及时被触发。然而，目前常用的一种方法是记录每个块的擦写次数，不过如果只根据擦写次数来触发静态损耗均衡，那么很可能出现一个擦写次数较低的数据块在接下来被多次的作为源数据块执行了数据搬移，影响读写性能。另一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n存储模块，所述存储模块包括多个数据块；/n控制模块，所述控制模块包括擦写次数链表，所述擦写次数链表用于记录各个已写入数据的所述数据块的块号和擦写次数，所述擦写次数链表按照擦写次数增长的顺序记录各个所述数据块及其擦写次数，所述控制模块用于在检测到所述擦写次数链表中记录的首位擦写次数与末位擦写次数的差值大于或等于擦写次数阈值时，触发静态损耗均衡。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
存储模块，所述存储模块包括多个数据块；
控制模块，所述控制模块包括擦写次数链表，所述擦写次数链表用于记录各个已写入数据的所述数据块的块号和擦写次数，所述擦写次数链表按照擦写次数增长的顺序记录各个所述数据块及其擦写次数，所述控制模块用于在检测到所述擦写次数链表中记录的首位擦写次数与末位擦写次数的差值大于或等于擦写次数阈值时，触发静态损耗均衡。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述擦写次数链表包括第j节点和与所述第j节点对应的第j指针，所述第j节点用于记录一所述数据块的块号及该数据块的擦写次数，所述第j指针用于指向第j+1节点，所述第j+1节点中记录的所述数据块的擦写次数大于所述第j节点中记录的所述数据块的擦写次数，j＝1，2，3，…。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11