应用于半导体腔室的净化系统技术方案

一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接，所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。上述应用于半导体腔室的净化系统，能够去除从所述半导体腔室的所述出口流出的反应副产物，从而排出干净的气体。

Purification system applied to semiconductor chamber

【技术实现步骤摘要】
应用于半导体腔室的净化系统
本专利技术涉及一种净化系统，尤其涉及一种应用于半导体腔室的净化系统。
技术介绍
在半导体腔室内进行蚀刻工艺或化学气相沉积工艺时，腔室内会产生带有反应副产物的气体，该气体会从与腔室连接的泵、管道中排出，如果没有去除这些带有反应副产物的气体，该气体排至大气中后，会污染大气中的气体。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种应用于半导体腔室的净化全系统，旨在能够去除气体中的反应副产物，排出干净的气体到大气中。一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接；所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。在至少一个实施方式中，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器并排设于所述管接件内。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接；其特征在于，所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。/n

【技术特征摘要】
20181217 US 62/7803381.一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接；其特征在于，所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。


2.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器并排设于所述管接件内。


3.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器被分成多排且每一排所述净化器并排设置。


4.如权利要求3所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，多排所述净化器中的至少一相邻两排所述净化器交错设置。


5.如权利要求1所述的应...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建澔，具德滋，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37