【技术实现步骤摘要】
一种场效应管生物传感器及其制备方法
本专利技术涉及生物传感器
,具体涉及一种场效应管生物传感器及其制备方法。
技术介绍
生物传感器(biosensor)是一种对生物物质敏感并将其浓度转换为电信号从而进行检测的仪器。其由固定化的生物敏感材料作识别元件(包括酶、抗体、抗原、微生物、细胞、组织、核酸等生物活性物质)、适当的理化换能器(如氧电极、光敏管、场效应管、压电晶体等等)及信号放大装置构成的分析工具或系统。根据敏感元件的不同可将生物传感器分为五类:酶传感器(enzymesensor),微生物传感器(microbialsensor),细胞传感器(organallsensor),组织传感器(tis-suesensor)和免疫传感器(immunolsensor)。其所应用的敏感材料依次为酶、微生物个体、细胞器、动植物组织、抗原和抗体。免疫传感器是基于抗原抗体特异性识别功能而研制成的一类生物传感器。由于免疫传感器技术具有分析灵敏度高、特异性强、使用简便及成本低等优点,目前它的应用已涉及到临床医学与生物监测技术、食品工业、 ...
【技术保护点】
1.一种场效应管生物传感器,其特征在于,包括:/n以垂直排列的二维二硫化钼基纳米膜(vertically-aligned MoS
【技术特征摘要】
1.一种场效应管生物传感器,其特征在于,包括:
以垂直排列的二维二硫化钼基纳米膜(vertically-alignedMoS2nanolayers-VAMNs)为主体的具有场效应管(fieldeffecttransistor-FET)结构的传感器基体、制备于所述传感器基体上用于将目标溶液封闭在场效应管通道区域的聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane-PDMS)储罐。
2.如权利要求1所述的场效应管生物传感器,其特征在于,所述传感器基体的两极均由铬/金双层材料制成,所述传感器基体的两极表面沉积有Al2O3。
3.如权利要求1所述的场效应管生物传感器,其特征在于,所述传感器基体制备于硅基底上,所述传感器基体与所述硅基底之间制备有中间层。
4.如权利要求3所述的场效应管生物传感器,其特征在于,所述中间层为SiO2。
5.如权利要求1所述的场效应管生物传感器,其特征在于,还包括用于在测量时插入所述储罐内作为栅极调节栅极电压的参比电极。
6.如权利要求5所述的场效应管生物传感器,其特征在于,所述参比电极为Ag/AgCl参比电极。
7.一种场效应管生物传感器的制备方法,该方法包括以下步骤:
S10、将经过等离子体增强过的SiO2层通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition–CVD)的办法沉积到硅晶圆上,然后溅射沉积Mo薄膜;
S20、在CVD系统中对Mo薄膜层进行硫化处理以形成VAMNs;
S30、采用电子束蒸发沉积和光刻工艺制备双层铬/金电极;
S40、利用原子层沉积技术(atomiclayerdeposition-ALD)在电极表面沉积Al2O3层,然后使用蚀刻溶液蚀刻图形,留下FET通道和金属接触区域的开口;
S50、在真空环境下退火...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋鹏飞,刘新宇,马海波,栗昕,岳春峰,
申请(专利权)人:苏州微湃医疗科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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