一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法，其制备方法包括：1)Si衬底上依次生长n型GaN缓冲层和n型GaN层；2)n型GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型GaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面，在刻蚀台面外侧及侧壁上沉积Al

A GaN based photochemical ion sensor and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法
本专利技术涉及传感器领域，尤其涉及一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法。
技术介绍
金属离子，尤其是重金属离子Mn+(比如Hg2+，Cu2+)，会给人体健康带来危害，且由于其具有持久性、迁移性和高度的生物富集性，成为目前全人类最为关注的环境污染物之一。目前，重金属的污染源主要来自于工业中金属盐等化学化合物的使用，基于此原因，重金属的检测引起人们的极大关注，并不断探讨新的高效的检测方法。在传统的方法中，通过比色或者荧光分子的化学传感方法尤为引人瞩目。比色和荧光化学传感器是传感体系的吸收光谱或者荧光作为输出信号来对目标物进行检测，具有一定的优点，但是也有明显的不足之处，比如测量的精度较低，在低浓度的离子溶液中实施检测的效果不够理想等。因此，需利用新型的传感技术开发出高性能的高灵敏度的离子传感器，以满足日益增长的重金属离子环境检测需求。
技术实现思路
基于上述提到的应用前景和需求，本专利技术创新性的提出了一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法，能够满足快速、高灵敏的金属离子探本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN基光化学离子传感器的制备方法，其特征在于：包括/n1)Si衬底上依次生长n型GaN缓冲层和n型GaN层；/n2)n型GaN层上生长本征掺杂GaN层；/n3)本征掺杂GaN层上生长p型GaN层；/n4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面，在刻蚀台面外侧及侧壁上沉积Al

【技术特征摘要】
1.一种GaN基光化学离子传感器的制备方法，其特征在于：包括
1)Si衬底上依次生长n型GaN缓冲层和n型GaN层；
2)n型GaN层上生长本征掺杂GaN层；
3)本征掺杂GaN层上生长p型GaN层；
4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面，在刻蚀台面外侧及侧壁上沉积Al2O3层；
5)在Al2O3层外侧淀积暴露在待测环境中的探测区域，用于将金属离子浓度转换为电信号，所述探测区域为TiO2层；
6)选择性刻蚀所述探测区域，暴露出p型GaN层；
7)利用光刻、金属蒸镀技术，淀积上金属电极和下金属电极。


2.如权利要求1所述的GaN基光化学离子传感器的制备方法，其特征在于：所述1)中的n型GaN缓冲层厚度为0.5μm～4μm，掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1018cm-3，掺杂元素为硅；所述n型GaN层厚度为0.1μm～0.5μm，掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1018cm-3，掺杂元素为硅。


3.如权利要求1所述的GaN基光化学离子传感器的制备方法，其特征在于：所述2)中的本征掺杂GaN层，所述本征掺杂GaN层的厚度为0.5μm～2.5μm。


4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤乃云，叶怀宇，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44