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本发明公开了一种GaN基光化学离子传感器及其制备方法，其制备方法包括：1)Si衬底上依次生长n型GaN缓冲层和n型GaN层；2)n型GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型GaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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