【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含半导体裸片的多个瓦片式堆叠的半导体装置组合件
本专利技术大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及包含半导体裸片的多个瓦片式堆叠的半导体装置组合件。
技术介绍
包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片的封装式半导体裸片通常包含安装于衬底上且装入塑料保护覆盖物中或由导热盖覆盖的一或多个半导体裸片。裸片可包含有源电路(例如，提供功能特征，例如存储器单元、处理器电路及/或成像器装置)及/或无源特征(例如，电容器、电阻器等)以及电连接到电路的接合垫。接合垫可电连接到保护覆盖物外的端子以允许裸片连接到更高级电路。为提供额外功能，可将额外半导体裸片添加到半导体装置组合件。包含额外半导体裸片的一种方法涉及将裸片堆叠于衬底上方。为促进将裸片电连接到衬底，可呈瓦片式堆叠布置裸片，其中每一裸片从下方裸片水平偏移以留下(例如，使用线接合)可接合到衬底上的对应接合指部的裸片的暴露接触垫。此瓦片式堆叠方法的缺点是归因于添加到堆叠的每一额外裸片的悬垂量增加，而使可以此方式堆叠的裸片的数目受限。为解决此限制，裸片的瓦片式堆叠可包含呈瓦片...
【技术保护点】
1.一种半导体装置组合件，其包括：/n衬底，其包含多个外部连接件；/n半导体裸片的第一瓦片式堆叠，其直接安置于所述衬底上的第一位置上方且经电耦合到所述多个外部连接件的第一子组；/n半导体裸片的第二瓦片式堆叠，其直接安置于所述衬底上的第二位置上方且经电耦合到所述多个外部连接件的第二子组；及/n囊封剂，其至少部分地囊封所述衬底、所述第一瓦片式堆叠及所述第二瓦片式堆叠。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171108 US 15/806,8081.一种半导体装置组合件，其包括：
衬底，其包含多个外部连接件；
半导体裸片的第一瓦片式堆叠，其直接安置于所述衬底上的第一位置上方且经电耦合到所述多个外部连接件的第一子组；
半导体裸片的第二瓦片式堆叠，其直接安置于所述衬底上的第二位置上方且经电耦合到所述多个外部连接件的第二子组；及
囊封剂，其至少部分地囊封所述衬底、所述第一瓦片式堆叠及所述第二瓦片式堆叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：
半导体裸片的所述第一瓦片式堆叠通过第一多个线接合电连接到所述多个外部连接件的所述第一子组，且
半导体裸片的所述第二瓦片式堆叠通过第二多个线接合电连接到所述多个外部连接件的所述第二子组。
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：
所述衬底包含对应于所述第一瓦片式堆叠的第一多个接合指部及对应于所述第二瓦片式堆叠的第二多个接合指部，
所述第一多个接合指部中的每一者直接耦合到所述第一多个线接合中的仅一者，且
所述第二多个接合指部中的每一者直接耦合到所述第二多个线接合中的仅一者。
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一瓦片式堆叠及所述第二瓦片式堆叠包含相同数目个半导体裸片。
5.根据权利要求4所述的半导体装置组合件，其中所述数目是两个、四个、八个或十六个中的一者。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：
所述第一瓦片式堆叠包含所述第一瓦片式堆叠的最低半导体裸片及经堆叠于所述第一瓦片式堆叠的所述最低半导体裸片上方的至少一个上半导体裸片，且
所述第一瓦片式堆叠的每一上半导体裸片沿第一方向从正下方半导体裸片偏移达第一偏移量。
7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中：
所述第二瓦片式堆叠包含所述第二瓦片式堆叠的最低半导体裸片及经堆叠于所述第二瓦片式堆叠的所述最低半导体裸片上方的至少一个上半导体裸片，且
所述第二瓦片式堆叠的每一上半导体裸片沿第二方向从正下方半导体裸片偏移达第二偏移量。
8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其中所述第一偏移量基本上等于所述第二偏移量。
9.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其中所述第一方向基本上等同于所述第二方向。
10.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宏远，A·N·辛格，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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