一种取缔焊接导通的粘接分切工艺制造技术

技术编号:24593240 阅读:41 留言:0更新日期:2020-06-21 03:03
本发明专利技术公开了一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,涉及牙科综合治疗机技术领域,针对现有的废品率高的问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:在柔性电路板的起始切割方向设置一切割对位基准线,在面阵探头设置双对位基准,基准线采用压延铜线;S2:记录柔性电路板中裸露压延铜箔和走线层铜箔的厚度以及第一PI膜和第二PI膜的厚度,然后再记录晶片厚度,进行叠加计算;在晶片的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片,本发明专利技术结构简单,使用方便,降低废品率,减小小间距所造成的人工操作困难,提高生产效率,实现更多的产量,节约时间成本及材料成本,提升探头品质。

A kind of bonding and cutting technology to eliminate welding conduction

【技术实现步骤摘要】
一种取缔焊接导通的粘接分切工艺
本专利技术涉及牙科综合治疗机
,尤其涉及一种取缔焊接导通的粘接分切工艺。
技术介绍
随着现代工业的迅速发展,工业自动化水平的不断提高,机械结构加工工艺也在不断进步,不规则自由曲面结构广泛的应用在各个领域中,为了更准确地对结构试件进行检测,在传统的不规则曲面超声无损检测过程中,通常将超声探头制作成可带一定弯折的柔性探头,柔性探头在正面受力的情况下同曲面紧密贴合确保扫查数据的真实性,传统柔性探头的工艺制作中皆采用焊接的方式连通晶片和电缆。随着对探头阵元中心距要求越来越小,阵元数量增加,现有的焊接方法越来越难,线材易折断,焊接易造成短路,成功率低,进而造成原材料浪费和人工操作的不确定性。
技术实现思路
本专利技术提出的一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,解决了废品率高的问题。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,包括以下步骤:S1:在柔性电路板的起始切割方向设置一切割对位基准线(X基准线),在面阵探头设置双对位基准(X、Y基准线),基准线采用压延铜线;S2:记录柔性电路板中裸露压延铜箔和走线层铜箔的厚度以及第一PI膜和第二PI膜的厚度,然后再记录晶片厚度,进行叠加计算;S3:在晶片的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片,然后对应放置在柔性电路板上的裸露压延铜箔上,利用工具将晶片压实粘接,之后清除溢出的胶水,再利用较低温度将胶水烘干;S4:将柔性电路板平整粘接在带有一定粘性的蓝膜上,进行保护,然后用专用切割机对准步骤S1中划定的基准线进行切割,切透晶片和裸露压延铜箔但不切透第二层PI膜,将原晶片分割成多个独立阵元,完成切割。优选的,所述步骤S2中裸露压延铜箔、走线层铜箔的厚度、第一PI膜、第二PI膜和晶片的厚度均现场测量,保证切割的精度。优选的,所述步骤S3中烘干的温度控制在40℃到50℃之间,所述胶水为混合胶,在压实粘接前,在晶片上放置海绵,避免瞬间压力过大造成柔性电路板折损。一种取缔焊接导通的粘接式柔性电路板,包括柔性电路板,所述柔性电路板上粘贴有晶片。优选的,所述柔性电路板内设置有两个平行的第一PI膜和第二PI膜,所述第一PI膜的上、下两侧分别固定连接有裸露压延铜箔和走线层铜箔,所述走线层铜箔与第二PI膜固定连接。优选的,所述晶片采用压电复合材料或压电陶瓷,所述第一PI膜和第二PI膜厚度均为0.025mm。本专利技术的有益效果:1:利用粘接工艺和精密机器的切割,减少不熟练程度人工操作带来的不稳定性和差异性,降低废品率,减小小间距所造成的人工操作困难,上锡过多所造成相邻阵元的短路或者过少会造成虚焊漏焊,进而保证产品的质量的稳定,提高生产效率,实现更多的产量。2:通过粘接,使得晶体与柔性电路板的接触面积较焊接的大,故有效提高了检测时探头的可靠性,且工艺交焊接简单快捷,节约时间成本及材料成本,提升探头品质。附图说明图1为本专利技术提出的一种取缔焊接导通的粘接分切工艺切割前示意图;图2为本专利技术提出的一种取缔焊接导通的粘接分切工艺切割后示意图。图中标号:1晶片、2柔性电路板、3缝隙、4裸露压延铜箔、5第一PI膜、6走线层铜箔、7第二PI膜。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。参照图1-2,一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,包括以下步骤:S1:在柔性电路板2的起始切割方向设置一切割对位基准线(X基准线),在面阵探头设置双对位基准(X、Y基准线),基准线采用压延铜线,压延铜线采用宽度小于0.023mm的细线,在柔性电路板2生产时即进行绘制固定,两个基准线在后期的切割过程中起到引导作用,保证切割的稳定。S2:记录柔性电路板2中裸露压延铜箔4和走线层铜箔6的厚度以及第一PI膜5和第二PI膜7的厚度,然后再记录晶片1厚度,进行叠加计算,通过各个层级厚度的测量,可以得到整个装置的厚度,为后续的切割深度提供准确的数据,减少生产中说可能产生的过度切割,S3:在晶片1的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片1,然后对应放置在柔性电路板2上的裸露压延铜箔4上,利用工具将晶片1压实粘接,之后清除溢出的胶水,再利用较低温度将胶水烘干,在放置过程中,晶片1需要对准基线压延铜线,保证切割的准确,涂胶的过程,需要利用工具在晶体1上均匀的涂抹,厚度在设定的范围之内,压实的过程中,需要利用工具进行压实,同时避免过度的压迫,使得柔性电路板2在粘贴时破坏,烘干利用烘干机进行,严格按照设定的温度,避免高温对装置的损坏。S4:将柔性电路板2平整粘接在带有一定粘性的蓝膜上,进行保护,然后用专用切割机对准步骤S1中划定的基准线进行切割,切透晶片1和裸露压延铜箔4但不切透第二层PI膜5,将原晶片分割成多个独立阵元,完成切割,蓝膜利用静电粘附,对柔性电路板2进行一定的保护,切割机在进行切割时,严格按照设定的深度进行切割,避免切割过度,切割到第二层PI膜5而造成的装置的损坏。步骤S2中裸露压延铜箔4、走线层铜箔6的厚度、第一PI膜5、第二PI膜7和晶片1的厚度均现场测量,保证切割的精度,裸露压延铜箔4、走线层铜箔6的厚度、第一PI膜5、第二PI膜7和晶片1在生产时即具有相对应的厚度,但是在后续的操作过程中,可能有一定的误差,重新测量,保证切割的精细,减低破损率。步骤S3中烘干的温度控制在40℃到50℃之间,胶水为混合胶,在压实粘接前,在晶片1上放置海绵,避免瞬间压力过大造成柔性电路板2折损,胶水采用多种导电胶的混合,保证粘贴的牢靠和导电的进行,低温烘干,保证胶水的稳定性。一种取缔焊接导通的粘接式柔性电路板,包括柔性电路板2,柔性电路板2上粘贴有晶片1,柔性电路板2内设置有两个平行的第一PI膜5和第二PI膜7,第一PI膜5的上、下两侧分别固定连接有裸露压延铜箔4和走线层铜箔6,走线层铜箔6与第二PI膜固定连接,晶片1采用压电复合材料或压电陶瓷,第一PI膜5和第二PI膜7厚度均为0.025mm,其中走线层铜箔6和第二PI膜7可以设置为多个,即柔性电路板2可以采用多层的机构,在实际的使用过程中,2层为最优层级,而多层结构的柔性电路板2在后续的使用过程中会出现多种故障,除非特定的环境下必须使用多层结构。实施例:在工作前在柔性电路板2的起始切割方向设置一切割对位基准线(X基准线),同时在面阵探头设置双对位基准(X、Y基准线),然后记录柔性电路板2中裸露压延铜箔4和走线层铜箔6的厚度以及第一PI膜5和第二PI膜7的厚度,然后再记录晶片1厚度,进行叠加计算,在晶片1的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片1,然后对应放置在柔性电路板2上的裸露压延铜箔4上,利用工具将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:在柔性电路板(2)的起始切割方向设置一切割对位基准线(X基准线),在面阵探头设置双对位基准(X、Y基准线),基准线采用压延铜线;/nS2:记录柔性电路板(2)中裸露压延铜箔(4)和走线层铜箔(6)的厚度以及第一PI膜(5)和第二PI膜(7)的厚度,然后再记录晶片(1)厚度,进行叠加计算;/nS3:在晶片1的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片(1),然后对应放置在柔性电路板(2)上的裸露压延铜箔(4)上,利用工具将晶片(1)压实粘接,之后清除溢出的胶水,再利用较低温度将胶水烘干;/nS4:将柔性电路板(2)平整粘接在带有一定粘性的蓝膜上,进行保护,然后用专用切割机对准步骤S1中划定的基准线进行切割,切透晶片(1)和裸露压延铜箔(4)但不切透第二层PI膜(5),将原晶片分割成多个独立阵元,完成切割形成多个缝隙(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在柔性电路板(2)的起始切割方向设置一切割对位基准线(X基准线),在面阵探头设置双对位基准(X、Y基准线),基准线采用压延铜线;
S2:记录柔性电路板(2)中裸露压延铜箔(4)和走线层铜箔(6)的厚度以及第一PI膜(5)和第二PI膜(7)的厚度,然后再记录晶片(1)厚度,进行叠加计算;
S3:在晶片1的正电极均匀涂抹薄薄一层高粘接性导电胶,在显微镜下用塑料镊子或小吸盘吸附晶片(1),然后对应放置在柔性电路板(2)上的裸露压延铜箔(4)上,利用工具将晶片(1)压实粘接,之后清除溢出的胶水,再利用较低温度将胶水烘干;
S4:将柔性电路板(2)平整粘接在带有一定粘性的蓝膜上,进行保护,然后用专用切割机对准步骤S1中划定的基准线进行切割,切透晶片(1)和裸露压延铜箔(4)但不切透第二层PI膜(5),将原晶片分割成多个独立阵元,完成切割形成多个缝隙(3)。


2.根据权利要求1所述的一种取缔焊接导通的粘接分切工艺,其特征在于,所述步骤S2中裸露压延铜箔(4)、走...

【专利技术属性】
技术研发人员:张瑞
申请(专利权)人:艾因蒂克检测科技上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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