一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法技术

本发明专利技术公开了一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，属于光伏产品技术领域。本发明专利技术以硅废料为原料，经清洗、造粒、干燥、微波烧结、冷却等后，得到特定物理强度（多晶硅颗粒在1米内的滚动、摔落等，不会出现碎裂）、纯度高（99.9999%～99.99999%）、颗粒均匀（粒径为300μm～30mm）的多晶硅颗粒，可用于其他所需工艺中，增加一次装料量，亦可用作复投料，极大降低多晶硅的生产成本，并将资源循环利用；且本制备方法成本低。

A method of preparing polysilicon particles from silicon waste

【技术实现步骤摘要】
一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法
本专利技术涉及一种多晶硅颗粒的制备方法，尤其的，涉及一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，属于光伏产品

技术介绍
太阳能光伏行业属于利润小、空间小的产业，要求高纯硅材料的生产成本低，这给传统的高纯硅材料生产方法提出极大的挑战。目前，在现有的高纯硅生产流程中，产生大量硅废料，且没有得到有效利用，其中，这些硅废料包括：一、在采用改良西门子法的多晶硅生产中，利用氯气和氢气合成HCl气体，HCl气体和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，再通过化学气相沉积反应在硅心上产生高纯多晶硅。此生产过程中，所产生硅粉不可避免的附着在反应器内壁，以及被SiHCl3、氢气等气流带出反应器，即这部分硅粉变成废料，而未能应用；二、经改良西门子法生产的多晶硅棒在进入下一工序时，需进行破碎处理，现有常采用人工敲碎法，该多晶硅棒被破碎成大小不一、形状不规则的小块，而该工序无论人工敲击或颚式破碎机，都将会产生大量3mm以下的废硅料，这些废硅料具有尺寸小、受污染可能性高以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：包括如下步骤：/nA．清洗所收集的硅废料；/nB．将清洗后的硅废料于混料器中，搅拌至混合均匀，得混料；/nC．将经步骤B处理后的混料置于造粒机中，造粒，得物料颗粒；然后，干燥，控制含水率为＜0.01%，得干燥物料颗粒；/nD．将经步骤C所得的干燥物料颗粒置于微波烧结炉中，在气体氛围的保护下烧结，得多晶硅颗粒初品；/nF．将经步骤D所得多晶硅颗粒初品在温度小于100℃的保护氛围下，冷却至80℃以下，即得多晶硅颗粒成品。/n

【技术特征摘要】
1.一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：包括如下步骤：
A．清洗所收集的硅废料；
B．将清洗后的硅废料于混料器中，搅拌至混合均匀，得混料；
C．将经步骤B处理后的混料置于造粒机中，造粒，得物料颗粒；然后，干燥，控制含水率为＜0.01%，得干燥物料颗粒；
D．将经步骤C所得的干燥物料颗粒置于微波烧结炉中，在气体氛围的保护下烧结，得多晶硅颗粒初品；
F．将经步骤D所得多晶硅颗粒初品在温度小于100℃的保护氛围下，冷却至80℃以下，即得多晶硅颗粒成品。


2.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：所述硅废料来源于还原炉硅粉、流化床硅粉、切割硅粉和破碎颗粒中的一种或任意两种以上的组合。


3.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：所述清洗包括第一清洗和第二清洗，第一清洗包括酸清洗、碱清洗、流水冲洗、超声波清洗及激光清洗的一种或任意两种以上的组合；第二清洗包括超纯水清洗、超声波清洗等的一种或两种组合。


4.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：在步骤C的造粒中，温度≤50℃，压力9.8～10.2吨。


5.根据权利要求1所述的以硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：周川，周昆，游俊，刘宏超，周聪，
申请(专利权)人：四川宏图普新微波科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51