功率晶体管器件制造技术

本发明专利技术题为“功率晶体管器件”，本公开涉及功率晶体管器件和包括所述功率晶体管器件的热插拔电路。这种功率器件包括：第一晶体管电路，该第一晶体管电路被配置为响应于第一控制信号而操作；控制电路，该控制电路被配置为响应于第一控制信号而生成第二控制信号；和第二晶体管电路，该第二晶体管电路被配置为响应于第二控制信号而操作。第二晶体管电路具有有源区域，该有源区域大于第一晶体管电路的有源区域。

Power transistor device

【技术实现步骤摘要】
功率晶体管器件相关申请的交叉引用本公开要求于2018年12月11日提交的美国非临时申请No.16/215,787的优先权，该申请以引用方式并入本文以用于所有目的。
本公开涉及功率晶体管器件和包括该功率晶体管器件的热插拔电路，以及一种控制功率晶体管器件的方法。
技术介绍
高可用性系统(例如，服务器、网络交换机和独立磁盘冗余阵列(RAID)存储)在其一个或多个模块被更换时保持运行。这种模块可以包括热插拔电路，该热插拔电路控制流入负载的涌浪电流，从而确保模块安全地插入系统的带电背板。热插拔电路可以包括控制器(例如，热插拔控制器)和功率晶体管(例如，功率MOSFET)，该晶体管在线性模式下操作以控制通过其中的涌浪电流。当功率MOSFET在线性模式下在零温度系数(ZTC)点以下操作时，功率MOSFET中一个或多个热区域的出现可能导致流过这些热区域的电流量增加，从而进一步增加热区域的温度。这种正反馈可能导致低于ZTC点的热不稳定性，并导致功率MOSFET的最终失效。为了抑制正反馈，常规的功率MOSFET增加沟道长度和阈值电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件，包括：/n第一晶体管电路，所述第一晶体管电路被配置为响应于第一控制信号而操作；/n控制电路，所述控制电路被配置为响应于所述第一控制信号而生成第二控制信号；和/n第二晶体管电路，所述第二晶体管电路被配置为响应于所述第二控制信号而操作，所述第二晶体管电路具有有源区域，所述第二晶体管电路的有源区域大于所述第一晶体管电路的有源区域。/n

【技术特征摘要】
20181211 US 16/215,7871.一种功率器件，包括：
第一晶体管电路，所述第一晶体管电路被配置为响应于第一控制信号而操作；
控制电路，所述控制电路被配置为响应于所述第一控制信号而生成第二控制信号；和
第二晶体管电路，所述第二晶体管电路被配置为响应于所述第二控制信号而操作，所述第二晶体管电路具有有源区域，所述第二晶体管电路的有源区域大于所述第一晶体管电路的有源区域。


2.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第一晶体管电路、所述控制电路和所述第二晶体管电路集成在单个芯片中。


3.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述控制电路包括控制晶体管，所述控制晶体管具有接收所述第一控制信号的控制端子、耦接到所述控制端子的第一端端子和耦接到所述第二晶体管电路的控制端子的第二端端子。


4.根据权利要求1所述的功率器件，其中当所述第一控制信号的值等于或大于第一给定值时，所述第一晶体管电路导通，并且
其中当所述第一控制信号的所述值等于或大于第二给定值时，所述第二晶体管电路导通，所述第二给定值大于所述第一给定值。


5.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第一晶体管电路包括第一MOSFET，所述第二晶体管电路包括第二MOSFET，并且所述控制电路包括控制MOSFET，所述控制MOSFET是二极管连接的MOSFET，并且
其中所述第二MOSFET具有有源区域，所述第二MOSFET的有源区域至少是所述第一MOSF...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·伍，J·帕克，S·李，S·金，金大源，李元兌，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US