电平转换电路及相应的驱动电路制造技术

技术编号:24588666 阅读:34 留言:0更新日期:2020-06-21 02:16
本发明专利技术涉及一种电平转换电路及相应的驱动电路,其中,所述的电平转换电路包括输入模块、正反馈模块、电平转换模块以及输出模块,通过这四个模块的连接可对不同逻辑电平进行高速转换,实现两种电平之间的高速匹配,包括该电平转换电路的驱动电路可将驱动电路中的高压电源转换为低压电源,避免整个驱动电路中所有器件均必需采用高压器件的问题,可以有效降低电路版图面积,节约电路成本。采用本发明专利技术的电平转换电路及相应的驱动电路可有效减少电路版图面积,降低电路成本。

Level conversion circuit and corresponding driving circuit

【技术实现步骤摘要】
电平转换电路及相应的驱动电路
本专利技术涉及电路
,尤其涉及控制电路
,具体是指一种电平转换电路及相应的驱动电路。
技术介绍
现有技术中的电平转换电路一般仅能够对固定的电压进行转换,无法随着电路的不同工作状态进行一定范围的调节,这种常规的电平转换电路一般是无法适用于在自举升压类的电路中进行使用的,且转换速度较慢,适用范围较小。下面以普通的驱动电路为例进行说明:随着现代开关电源、逆变器、功率放大器及电机驱动等功率驱动技术的兴起,功率MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体)以其输入阻抗高、驱动电流小、效率高、跨导线性好、开关速度快等优点,越来越得到普遍的应用,特别是在一些大电流的场合下,功率MOS管在电路中能够更好的展示出其自身的优势。在大电流的场合下中工作时,开关瞬间会形成强烈的干扰,功率MOS管一般用于驱动线圈或电感等感性负载,整个电路系统的工作环境较差,电源或地上会存在强烈的干扰。通常,将在电路中与电路的驱动电源一侧相连接的功率MOS管通常称为高侧功率管,而将在电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电平转换电路,其特征在于,所述的电平转换电路包括:/n输入模块,包括第一输入端和第二输入端,所述的输入模块中的第一输入端接外部的第一输入电压,所述的输入模块中的第二输入端接外部的第二输入电压,所述的输入模块还与第三输入电压相连接,所述的输入模块用于将所述的输入模块中第一输入端相对于第二输入端的逻辑电平转换为所述的输入模块中的第一输入端相对于地的逻辑电平,得到第一次电平转换后的电压;其中,所述的输入模块的第一输入端作为所述的电平转换电路的第一输入端,所述的输入模块的第二输入端作为所述的电平转换电路的第二输入端;/n正反馈模块,与集成电路的工作电压以及所述的第三输入电压相连接,用于降低所述...

【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路,其特征在于,所述的电平转换电路包括:
输入模块,包括第一输入端和第二输入端,所述的输入模块中的第一输入端接外部的第一输入电压,所述的输入模块中的第二输入端接外部的第二输入电压,所述的输入模块还与第三输入电压相连接,所述的输入模块用于将所述的输入模块中第一输入端相对于第二输入端的逻辑电平转换为所述的输入模块中的第一输入端相对于地的逻辑电平,得到第一次电平转换后的电压;其中,所述的输入模块的第一输入端作为所述的电平转换电路的第一输入端,所述的输入模块的第二输入端作为所述的电平转换电路的第二输入端;
正反馈模块,与集成电路的工作电压以及所述的第三输入电压相连接,用于降低所述的输入模块的电平转换时间;
电平转换模块,与所述的集成电路的工作电压以及所述的第三输入电压相连接,用于将所述的第三输入电压相对于地的电压范围转换为所述的集成电路的工作电压相对于地的电压范围,得到第二次电平转换后的电压;
输出模块,与所述的集成电路的工作电压相连接,用于对所述的第二次电平转换后的电压进行逻辑整形,由所述的输出模块的输出端作为电平转换电路的输出端,输出逻辑整形后的电压驱动后级电路;
所述的正反馈模块及电平转换模块的输入端均与所述的输入模块的输出端相连接,所述的电平转换模块的输出端与所述的输出模块的输入端相连接。


2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述的输入模块包括第一NMOS管和第一电流源;
所述的第一NMOS管的栅极作为所述的输入模块的第一输入端,所述的第一NMOS管的源极作为所述的输入模块的第二输入端,所述的第一NMOS管的漏极通过所述的第一电流源与所述的第三输入电压相连接,所述的第一NMOS管的漏极作为所述的输入模块的输出端。


3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述的正反馈模块包括第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电流沉以及第二电流源;
所述的第二NMOS管的栅极与所述的集成电路的工作电压相连接,所述的第二NMOS管的源极通过所述的第一电流沉接地,所述的第二NMOS管的漏极同时与所述的第一PMOS管的漏极以及第二PMOS管的栅极相连接;
所述的第一PMOS管的栅极及所述的第二PMOS管的漏极同时与所述的输入模块的输出端相连接;
所述的第一PMOS管的源极与所述的第三输入电压相连接;
所述的第二PMOS管的源极通过所述的第二电流源与所述的第三输入电压相连接。


4.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述的电平转换模块包括第三PMOS管、第三NMOS管和第二电流沉;
所述的第三PMOS管的栅极作为所述的电平转换模块的输入端;所述的第三PMOS管的源极与所述的第三输入电压相连接,所述的第三PMOS管的漏极与所述的第三NMOS管的漏极相连接;
所述的第三NMOS管的栅极与所述的集成电路的工作电压相连接,所述的第三NMOS管的源极通过所述的第二电流沉接地,所述的第三NMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员:王大选刘卫中牛瑞萍卜惠琴
申请(专利权)人:无锡华润矽科微电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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