【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置。
技术介绍
由于金属氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,成为研究的热点。顶栅结构的金属氧化物薄膜晶体管的结构包括缓冲层和金属氧化物半导体层,这两个膜层之间的界面影响薄膜晶体管的可靠性,然而目前的缓冲层和金属氧化物半导体层之间的界面容易出现缺陷,从而降低了薄膜晶体管的可靠性。因此,有必要提供一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示模组及电子装置,能够提高薄膜晶体管的可靠性。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种显示面板,包括:衬底基板;缓冲层,所述缓冲层的材料包括第一元素;金属氧化物半导体层,设于所述缓冲层上;所述金属氧化物半导体层的材料包括第二元素;所述第一元素可与所述第二元素结合,以使所述缓 ...
【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n衬底基板;/n缓冲层,所述缓冲层的材料包括第一元素;/n金属氧化物半导体层,设于所述缓冲层上;所述金属氧化物半导体层的材料包括第二元素;所述第一元素可与所述第二元素结合,以使所述缓冲层和所述金属氧化物半导体层之间的界面满足预设条件;/n第一金属层,设于所述金属氧化物半导体层上;所述第一金属层包括栅极;/n第二金属层,设于所述栅极上,所述第二金属层包括源极和漏极。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
缓冲层,所述缓冲层的材料包括第一元素;
金属氧化物半导体层,设于所述缓冲层上;所述金属氧化物半导体层的材料包括第二元素;所述第一元素可与所述第二元素结合,以使所述缓冲层和所述金属氧化物半导体层之间的界面满足预设条件;
第一金属层,设于所述金属氧化物半导体层上;所述第一金属层包括栅极;
第二金属层,设于所述栅极上,所述第二金属层包括源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一元素包括N;所述第二元素包括Ga。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述缓冲层的材料包括:SION;
所述金属氧化物半导体层的材料包括IGZO、IGZTO以及Ga2O3中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述缓冲层包括第一缓冲子层和第二缓冲子层;所述第二缓冲子层靠近所述金属氧化物半导体层,所述第二缓冲子层的材料包括SION。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘方梅,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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