【技术实现步骤摘要】
具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构
本专利技术涉及一种半导体结构有关，更确切地说，其涉及一种具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管(FinFET)结构。
技术介绍
现今的金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其不论在使用面积、操作速度、耗损功率，以及制造成本等方面都比以往的双载流子晶体管更具优势(BipolarJunctionTransistor,BJT)，故获得业界广泛应用。随着MOSFET技术的演进，当栅极长度缩小到20纳米(nm)以下的时候，由于源极和漏极的距离过近，漏电流的问题会变得益加严重，而且栅极长度的缩减也使得其对通道的接触面积变小，使得栅极对通道的影响力变小。为了解决此问题，业界开发出了立体的鳍式场效晶体管(FinFET)结构，其鳍部设计可以增加栅极与通道的接触面积，故能解决上述问题。在金属栅极替换(replacementmetalgate)技术或是栅...
【技术保护点】
1.一种具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其特征在于，包含：/n基底；/n鳍部，位于该基底上，该鳍部的长度方向为第一方向；以及/n栅极，位于该基底上且横跨该鳍部，该栅极的长度方向为第二方向，其中该栅极分为位于该鳍部的顶面上的上半部以及位于该鳍部的两侧的下半部，该栅极的该下半部在邻接该鳍部的位置处具有往该第一方向侧向延伸的突起部。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其特征在于，包含：
基底；
鳍部，位于该基底上，该鳍部的长度方向为第一方向；以及
栅极，位于该基底上且横跨该鳍部，该栅极的长度方向为第二方向，其中该栅极分为位于该鳍部的顶面上的上半部以及位于该鳍部的两侧的下半部，该栅极的该下半部在邻接该鳍部的位置处具有往该第一方向侧向延伸的突起部。
2.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该鳍部仅位于该栅极一侧，该栅极的该下半部仅在有该鳍部的一侧具有该突起部，没有该鳍部的另一侧不具有该突起部。
3.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该鳍部具有断开的切槽部位，而该栅极的一侧邻近该切槽部位，该栅极的另一侧不邻近该切槽部位，往邻近的该切槽部位突出的该突起部的突起程度大于未往邻近的该切槽部位突出的该突起部的突出程度。
4.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该突起部的顶面低于该栅极的该下半部的顶面。
5.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该栅极的该下半部在该第一方向上的宽度大于该栅极的该上半部在该第一方向上的宽度。
6.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该栅极的宽度不论在第一方向上或是第二方向上都从该下半部往该上半部渐缩。
7.如权利要求1所述的具有特殊栅极外型的鳍式场效晶体管结构，其中该栅极为虚设栅。
8.如权利要求1所述的具有特殊栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：王智亿，邱诚朴，魏偟任，许田昇，曾纪昇，王尧展，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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