图案式防护结构制造技术

本发明专利技术公开了一种图案式防护结构，其应用于集成电路中。该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含一中央结构单元第一图案化结构单元和一第二图案化结构单元。中央结构单元包含一第一骨干以及多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；第一图案化结构单元配置于该中央结构单元的一侧，包含一第二骨干以及多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第二骨干的一侧，并往该第二骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第二骨干的夹角为一锐角；以及一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧。

Patterned protective structure

【技术实现步骤摘要】
图案式防护结构本专利技术是2016年6月24日提交的申请号为2016104742885的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种集成电路，且特别是涉及一种应用于集成电路中的电感，其图案式防护结构。
技术介绍
随着科技的进步，集成电路(integratedcircuit)的工艺已朝向28纳米(nm)及20纳米发展。在此微型尺寸下，存在诸多因微型尺寸所致的负面影响，例如，因集成电路内之氧化层厚度较薄，而导致电容值较高，且氧化层较薄之故，也会在基板(substrate)产生的涡电流，这些状况皆会对电感的品质因素产生影响。由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域无不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一目的是在于提供一种图案式防护结构，由此改善现有技术的问题。为达上述目的，本
技术实现思路
的一实施方式为一种图案式防护结构，其应用于集成电路中。该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含一中央结构单元第一图案化结构单元和一第二图案化结构单元。中央结构单元包含一第一骨干以及多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；第一图案化结构单元配置于该中央结构单元的一侧，包含一第二骨干以及多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第二骨干的一侧，并往该第二骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第二骨干的夹角为一锐角；以及一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧。本
技术实现思路
的另一实施方式为一种图案式防护结构，应用于一集成电路中，其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含：一中央结构单元；一第一图案化结构单元，配置于该中央结构单元的一侧；以及一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧；其中该第一图案化结构单元包含：一第一骨干，配置于一第一方向上；多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第一支干与该第一骨干的夹角为一第一锐角；以及多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第一骨干的另一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第一骨干的夹角为一第二锐角。本
技术实现思路
的另一实施方式为一种图案式防护结构，应用于一集成电路中，其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含：一中央结构单元；一第一图案化结构单元，配置于该中央结构单元的一侧；以及一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧；其中，该中央结构单元包含：一第一骨干；以及多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；且该第一图案化结构单元包含：一第二骨干；多条第二支干，配置于该第二骨干的一侧，且与该第二骨干的夹角为一第一锐角；以及多条第三支干，配置于该第二骨干的另一侧，且与该第二骨干的夹角为一第二锐角。因此，根据本专利技术的
技术实现思路
，本专利技术实施例通过提供一种图案式防护结构，其可应用于集成电路内以改善电感的品质因素下降的问题。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：图1为依照本专利技术一实施例绘示一种图案式防护结构的示意图。图2为依照本专利技术另一实施例绘示一种图案式防护结构的示意图。图3为依照本专利技术再一实施例绘示一种图案式防护结构的示意图。图4为依照本专利技术又一实施例绘示一种图案式防护结构的示意图。图5为依照本专利技术另一实施例绘示一种图案式防护结构的示意图。图6为依照本专利技术再一实施例绘示一种集成电路的电感的实验数据图。【符号说明】100、100A、100B：图案式防护结构110、110A、110B：中央结构单元111、111A、111B：第一次中央结构单元112、112A、112B：第二次中央结构单元113：骨干114～115：支干114A、114B、115A、115B、116、116B、117、117B：条状部120：第一图案化结构单元121～122：骨干123～128：支干130：第二图案化结构单元131～132：骨干133～138：支干400、400A：图案式防护结构410、410A：中央结构单元411、411A：第一次中央结构单元412、412A：第二次中央结构单元413、414、417：骨干414A、415、415A、416、418、419：支干420：第一图案化结构单元421、423：L型结构422、424、425：支干430：第二图案化结构单元431、433：L型结构432、434、435：支干具体实施方式图1为依照本专利技术一实施例绘示一种图案式防护结构100的示意图。如图所示，此图案式防护结构100应用于集成电路(图中未示)中，于结构上，此图案式防护结构100是位于集成电路的电感与基板之间。于一实施例中，图案式防护结构100可耦接于接地端，而称为图案式接地防护层(PatternedGroundShield，PGS)，其作用说明如后。集成电路的电感运作时，将于基板上产生涡电流，上述涡电流会影响电感的品质因素。若配置图案式接地防护层于集成电路的电感与基板之间，则可由图案式接地防护层作为屏蔽，而避免电感运作时于基板上产生涡电流的状况，进而改善电感的品质因素。请参阅图1，图案式防护结构100包含中央结构单元110、第一图案化结构单元120及第二图案化结构单元130。中央结构单元110包含第一次中央结构单元111及第二次中央结构单元112。第二次中央结构单元112以中央结构单元110的中央处(如标号113的中央结构)为基准而与第一次中央结构单元111对称配置。第一图案化结构单元120配置于中央结构单元110的一侧(如图中的左侧)。第二图案化结构单元130配置于中央结构单元110的另一侧(如图中的右侧)，且第二图案化结构单元130以中央结构单元110为基准而与第一图案化结构单元120对称配置。在一实施例中，中央结构单元110还包含第一骨干113，此第一骨干113配置于中央结构单元110的中央处。此外，中央结构单元110的第一次中央结构单元111包含多条第一支干114，这些第一支干114的一端耦接于第一骨干113的一侧(如上侧)，并往第一骨干113的反方向向外延伸配置。再者，第二次中央结构单元112包含多条第二支干115，这些第二支干115的一端耦接于第一骨干113的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案式防护结构，应用于一集成电路中，其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含：/n一中央结构单元，包含：/n一第一骨干；以及/n多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；/n一第一图案化结构单元，配置于该中央结构单元的一侧；包含：/n一第二骨干；以及/n多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第二骨干的一侧，并往该第二骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第二骨干的夹角为一锐角；以及/n一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案式防护结构，应用于一集成电路中，其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含：
一中央结构单元，包含：
一第一骨干；以及
多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；
一第一图案化结构单元，配置于该中央结构单元的一侧；包含：
一第二骨干；以及
多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第二骨干的一侧，并往该第二骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第二骨干的夹角为一锐角；以及
一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧。


2.如权利要求1所述的图案式防护结构，其中该中央结构单元还包含：
多条第三支干，多个所述第三支干与多个所述第一支干对称配置。


3.如权利要求1所述的图案式防护结构，其中该中央结构单元还包含：
多条第三支干，多个所述第三支干的一端耦接于该第一骨干的另一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置。


4.如权利要求3所述的图案式防护结构，其中该第一骨干配置于该中央结构单元的中央。


5.如权利要求4所述的图案式防护结构，其中该第二图案化结构单元以该中央结构单元为基准而与该第一图案化结构单元对称配置。


6.一种图案式防护结构，应用于一集成电路中，其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含：
一中央结构单元；
一第一图案化结构单元，配置于该中央结构单元的一侧；以及
一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧；
其中该第一图...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，罗正玮，简育生，叶达勋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71