一种图像传感器结构制造技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器结构，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区；其中，靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的表面上设有电极，所述电极的边界位于所述浅槽隔离区的边界以内。本发明专利技术可抑制靠近浅槽隔离区表面的衬底硅中电子的产生，有效降低浅槽隔离区的暗电流来源。

A structure of image sensor

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器结构
本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种能够减小暗电流的图像传感器结构。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。图像传感器单元类别主要有电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比，具有低功耗、低成本以及可与CMOS工艺相兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用，包括消费电子、汽车电子、监控、生物技术和医学等领域。CMOS图像传感器包括由众多像素单元构成的像素阵列，像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。在现有技术中，最常见的4T(4Transistors)像素单元中通常包含由一个光电二极管(PhotoDiode)、4个场效应晶体管和一个寄生的浮置扩散区存储节点电容组成的有源像素结构。其中，4个晶体管分别是复位(Reset，RX)晶体管、传输(TransitionGate，TX)晶体管、源跟随器(SourceFollower，SF)以及行选择(RowSelect，RS)晶体管。在这些器件中，光电二极管是感光单元，基于入射光产生电子，实现对光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区；其中，靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的表面上设有电极，所述电极的边界位于所述浅槽隔离区的边界以内。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区；其中，靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的表面上设有电极，所述电极的边界位于所述浅槽隔离区的边界以内。


2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，还包括：设于所述光电二极管与其一侧的所述浅槽隔离区之间的所述衬底中的第一隔离层。


3.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述第一隔离层为对所述电极施加负压后，在所述光电二极管与其一侧的所述浅槽隔离区之间的所述衬底中所形成的耗尽层。


4.根据权利要求3所述的图像传感器结构，其特征在于，所述负压的调节范围为-3.3伏到0伏。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：范春晖，王玮，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31