【技术实现步骤摘要】
一种PIN二极管的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种PIN二极管的制作方法。
技术介绍
普通的二极管由PN结组成，PIN二极管即在P型半导体材料和N型半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管；PIN结构的二极管是一种特殊的电荷存储二极管，由于功耗小速度快的优点而被广泛应用，PIN结构的光电二极管是一种常用的光电探测器，光电探测器是一种通过光电效应探测光信号的器件；光敏二极管在可见光或近红外光波段作探测使用。在目前PIN二极管的制作中，由于PIN结构的光电二极管的高精度特性，需要在成品质检阶段进行全检，以获得PIN二极管的准确参数值，目前采用的质检方法是在一批生产的PIN二极管中抽检数个进行单独检测，而难以保证每个PIN二极管的质检质量。现有技术中也出现了一些PIN二极管及其制造方法的技术方案，如申请号为2011104318715的一项中国专利公开了一种PIN二极管的制作方法，包括以下步骤：在P型硅衬底中具有隔...
【技术保护点】
1.一种PIN二极管的制作方法，其特征在于，该步骤如下：/nS1：以开始加工的硅片作为基底，选择高阻的P层或N层利用扩散法加工到硅片表面的同一侧，形成PIN二极管的I区，在P型硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽底部注入P型杂质，接着以介质材料填充沟槽以形成隔离结构；在两个隔离结构之间的P型硅衬底中注入N型杂质并退火；/nS2：将S1中制得的二极管通过蒸镀的方法，在硅片表面分别淀积一层多晶硅和层间介质，对两个隔离结构之间的多晶硅和N型掺杂区注入N型杂质，采用光刻蚀工艺在层间介质、P型多晶硅和隔离结构中刻蚀出底部与P型杂质层相接触的第一通孔，还在层间介质中刻蚀出底部与N型多晶硅相接触的...
【技术特征摘要】
1.一种PIN二极管的制作方法，其特征在于，该步骤如下：
S1：以开始加工的硅片作为基底，选择高阻的P层或N层利用扩散法加工到硅片表面的同一侧，形成PIN二极管的I区，在P型硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽底部注入P型杂质，接着以介质材料填充沟槽以形成隔离结构；在两个隔离结构之间的P型硅衬底中注入N型杂质并退火；
S2：将S1中制得的二极管通过蒸镀的方法，在硅片表面分别淀积一层多晶硅和层间介质，对两个隔离结构之间的多晶硅和N型掺杂区注入N型杂质，采用光刻蚀工艺在层间介质、P型多晶硅和隔离结构中刻蚀出底部与P型杂质层相接触的第一通孔，还在层间介质中刻蚀出底部与N型多晶硅相接触的第二通孔，在通孔中填充金属形成接触孔电极；
S3：将S2中制得的PIN二极管转移至真空室中，通过自动焊接机将引脚安装至PIN二极管的接触孔电极上，接着将PIN二极管进行封装保护起来，最后通过质检工序中检测台的检测，筛选出满足性能参数的合格品；
其中，S3中所述的检测台包括检测盘(1)、检测探头(2)、台架(3)、电机和控制器；所述台架(3)上安装有检测盘(1)，台架(3)的横杆上设置有滑道(31)，台架(3)的一侧设有立座(32)；所述检测盘(1)的下方设有底板(11)；所述底板(11)的两侧滑动安装在台架(3)的滑道(31)上；所述检测盘(1)固定在底板(11)上，检测盘(1)的盘面上设置有数个检测孔(12)，检测盘(1)的外侧周向上设置有两个受电触点(13)；所述两受电触点(13)在检测盘(1)的周向上呈180度分布，受电触点(13)通过检测盘(1)内的电路导线(131)连接至每个检测孔(12)内，受电触点(13)分别作为检测盘(1)中电路导线(131)的正负极；所述检测探头(2)位于检测盘(1)的上方，检测探头(2)安装在台架(3)一侧的立座(32)上，检测探头(2)可以随立座(32)在竖直方向移动，检测探头(2)的下表面上设置有与检测孔(12)一一对应的凹孔，检测探头(2)的外侧周向上设置有两个送电触头(21)；所述送电触头(21)与受电触点(13)的位置相对应；所述台架...
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