【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太赫兹器件
本专利技术涉及一种太赫兹器件。
技术介绍
近年来，晶体管等电子器件的微小化不断发展，其大小成为纳米尺寸，因此，观测到被称为量子效应的新现象。于是，以实现利用了该量子效应的超高速器件和新功能器件为目标的开发不断发展。在这样的情形下进行如下尝试：利用特别是被称为太赫兹频带的、频率为0.1THz～10THz的频率区域进行大容量通信及信息处理、或者成像及计测等。该频率区域是光与电磁波之间的未开发区域，如果实现在该频带下工作的器件，那么有望除了用于上述的成像、大容量通信及信息处理之外，还用于物质、天文学、生物学等各种领域的计测等多种用途。
技术实现思路
本专利技术的主要课题在于提供更优选的太赫兹器件。依照本专利技术的第一方面，提供一种太赫兹器件。上述太赫兹器件包含半导体衬底、太赫兹元件和第一整流元件。上述太赫兹元件配置于上述半导体衬底上。上述第一整流元件与上述太赫兹元件并联电连接。本专利技术的其它特征及优点，通过参照附图在下面进行的详细说明来明确。附图说明图1是第...
【技术保护点】
1.一种太赫兹器件，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n配置于所述半导体衬底上的太赫兹元件；和/n与所述太赫兹元件并联电连接的第一整流元件。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20171018 JP 2017-201992;20180823 JP 2018-1558981.一种太赫兹器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
配置于所述半导体衬底上的太赫兹元件；和
与所述太赫兹元件并联电连接的第一整流元件。
2.如权利要求1所述的太赫兹器件，其特征在于：
还包括第二整流元件，该第二整流元件与所述太赫兹元件和所述第一整流元件均并联电连接。
3.如权利要求2所述的太赫兹器件，其特征在于：
所述第一整流元件和所述第二整流元件各自包含第一端子和第二端子，在所述第一整流元件和所述第二整流元件各自中，从所述第一端子去往所述第二端子的电方向为正向，
所述第一整流元件的所述第一端子与所述第二整流元件的所述第二端子导通。
4.如权利要求2或3所述的太赫兹器件，其特征在于：
所述第一整流元件具有第一上升电压值和第一击穿电压值，所述第二整流元件具有第二上升电压值和第二击穿电压值，
所述第一上升电压值的绝对值比所述第一击穿电压值的绝对值小，
所述第二上升电压值的绝对值比所述第二击穿电压值的绝对值小，
所述第一上升电压值和所述第二上升电压值比所述太赫兹元件产生太赫兹波振荡的电压区域中的值的绝对值的下限大。
5.如权利要求4所述的太赫兹器件，其特征在于：
所述第一上升电压值和所述第二上升电压值比所述太赫兹元件产生太赫兹波振荡的电压区域中的值的绝对值的上限大。
6.如权利要求2～5中任一项所述的太赫兹器件，其特征在于：
还包括各自形成于所述半导体衬底上的彼此绝缘的第一导电体层和第二导电体层，
所述第一整流元件和所述第二整流元件均形成于所述半导体衬底上，且电学地存在于所述第一导电体层与所述第二导电体层之间。
7.如权利要求6所述的太赫兹器件，其特征在于：
还包括各自形成于所述半导体衬底上的彼此层叠的第一半导体层和第二半导体层，
所述第一半导体层具有第一导电型，所述第二半导体层具有与所述第一导电型相反的第二导电型，
所述第一整流元件的所述第一端子和所述第二整流元件的所述第二端子由所述第一导电体层构成，
所述第一整流元件的所述第二端子和所述第二整流元件的所述第一端子由所述第二导电体层构成。
8.如权利要求2～5中任一项所述的太赫兹器件，其特征在于：
技术研发人员：向井俊和，金在瑛，鹤田一魁，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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