内衬组件及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供的内衬组件及反应腔室，包括内衬和多个调节单元，其中，内衬用于环绕在反应腔室的侧壁内侧，内衬包括与多个调节单元一一对应的多个子内衬，多个子内衬沿周向间隔设置，每个调节单元的第一端均与子内衬连接，该调节单元的第二端用于接地；通过设置多个调节单元的电容值以使多个子内衬的容抗相等。通过设置调节单元，使多个子内衬的容抗相等，进而流经每个子内衬的电流相等，从而使得每一子内衬对应的角度内的等离子体密度相同，提高等离子体的角向均匀性。并且，本发明专利技术提供的内衬组件结构简单，容易控制，降低产品生产成本。

Liner assembly and reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
内衬组件及反应腔室
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种内衬组件及反应腔室。
技术介绍
感应耦合等离子体(ICP)是半导体领域干法刻蚀和薄膜沉积常用的等离子体源。ICP由高频电流施加在线圈表面产生交变的高频电磁场激发气体产生等离子体，线圈与放电气体之间通过介质窗隔离。在ICP应用于刻蚀工艺过程中，为了提高腔室的维护便利性和防止腔室材料腐蚀，通常会使用内衬结构，内衬需要做好接地设计，以保证ICP电极和偏压电极具有稳定的参考电极。但是，由于内衬需要开孔或者开槽等结构以满足观察、传片和抽气等需求，导致等离子体电流在内衬表面分布不均匀，等离子体电流的不均匀将影响等离子体密度在基片径向分布的均匀性，进而导致刻蚀结果偏心等问题。为了解决等离子体分布不均匀的问题，如图1所示，现有技术提供了一种双输出线圈设计，其通过控制线圈的形状和内外圈电流比例，实现晶片表面等离子体分布的均匀性。现有技术虽然能够解决等离子体分布偏心问题，但是对线圈结构分布、匹配器电流比例控制等要求较高，导致结构复杂，产品成本高。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内衬组件，其特征在于，包括内衬和多个调节单元，其中，/n所述内衬用于环绕在反应腔室的侧壁内侧，所述内衬包括与多个所述调节单元一一对应的多个子内衬，多个所述子内衬沿周向间隔设置；/n每个所述调节单元的第一端均与对应的所述子内衬连接，该调节单元的第二端用于接地，通过设置多个所述调节单元的电容值以使各个所述子内衬的容抗相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种内衬组件，其特征在于，包括内衬和多个调节单元，其中，
所述内衬用于环绕在反应腔室的侧壁内侧，所述内衬包括与多个所述调节单元一一对应的多个子内衬，多个所述子内衬沿周向间隔设置；
每个所述调节单元的第一端均与对应的所述子内衬连接，该调节单元的第二端用于接地，通过设置多个所述调节单元的电容值以使各个所述子内衬的容抗相等。


2.根据权利要求1所述的内衬组件，其特征在于，还包括多个连接柱，多个所述连接柱与多个所述子内衬一一对应，且所述连接柱连接在所述子内衬的底部；所述调节单元的所述第一端通过所述连接柱与所述子内衬连接。


3.根据权利要求1所述的内衬组件，其特征在于，所述调节单元包括可变电容或固定电容。


4.根据权利要求3所述的内衬组件，其特征在于，所述可变电容的调节范围为500pF～5000pF，所述固定电容的取值范围为500pF～5000pF。


5.根据权利要求2所述的内衬组件，其特征在于，相邻两个所述子内衬之间在周向上均具...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴存，光娟亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11