显示装置和信号反转装置制造方法及图纸

公开了一种显示装置和信号反转装置。信号反转装置包括：基板；氧化物半导体层，位于所述基板上；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；栅极，位于所述氧化物半导体层上或下；金属氧化物膜，位于所述基板上；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端，其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二电极基板。因此，小尺寸信号反转装置具有简单的电路配置。

Display device and signal reversing device

【技术实现步骤摘要】
显示装置和信号反转装置相关申请的交叉引用本申请要求享有于2018年12月10日提交的韩国专利申请No.10-2018-0157991的优先权，为了所有目的通过引用的方式将其并入本文，如同在本文完全阐述一样。
本专利技术涉及显示装置和信号反转装置。
技术介绍
随着信息社会的发展，已经开发了各种显示装置，例如照明装置和图像显示装置。这些各种显示装置可能需要用于反转各种信号的电压电平的构造以用于各种驱动处理。已经以在印刷电路板上制造的电路的形式实现信号反转装置，用于信号反转功能的许多晶体管和电容器使得电路复杂并且必须有许多的各种输入电源。因此，如果将传统的信号反转装置应用于显示装置，则显示装置中的电路变得复杂并且电路的尺寸变大。另外，还必须有用于将信号反转装置安装在显示装置中的附加制造工艺。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有简单电路配置的小尺寸信号反转装置和使用该信号反转装置的显示装置。本专利技术还提供了一种可以直接设置在显示面板中的信号反转装置和包括该信号反转装置的显示装置。本专利技术还提供了一种包括电路器件的信号反转装置以及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的特性。本专利技术还提供了一种包括电路器件的信号反转装置及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的结构。在本专利技术的一个方面，本专利技术的实施方式可以提供一种显示装置，包括：显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素，并且对应于所述多个子像素中的每一个设置有扫描线和发光控制线；扫描驱动器电路，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线；以及发光控制驱动器电路，被配置为将发光控制信号输出到所述发光控制线。所述发光控制驱动器电路可包括：电阻器件，电连接在被施加第一电压的第一电压节点和与所述发光控制线电连接的输出节点之间；以及晶体管，电连接在所述输出节点和被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压节点之间，所述晶体管的导通/截止操作由输入信号控制。所述输入信号可以是从所述扫描驱动器电路输出的扫描信号。所述发光控制驱动器电路可将通过反转所述输入信号的电压电平而获得的发光控制信号输出到所述输出节点。所述第一电压和所述第二电压中的一个可具有与所述发光控制信号的高电平电压相对应的电压值，并且所述第一电压和所述第二电压中的其余一个可具有与所述发光控制信号的低电平电压相对应的电压值。当所述晶体管是N型晶体管时，所述第一电压可具有高于所述第二电压的电压值。所述发光控制驱动器电路可被配置为：当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。所述晶体管可以是P型晶体管，所述第二电压具有高于所述第一电压的电压值。所述发光控制驱动器电路可被配置为：当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。当所述晶体管导通时，所述电阻器件的电阻值可大于所述晶体管的电阻值，并且当所述晶体管截止时，所述电阻器件的电阻值可小于所述晶体管的电阻值。所述晶体管可包括：氧化物半导体层；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；以及栅极，被施加所述输入信号。所述第一电极可电连接到所述输出节点，所述第二电极可电连接到所述第二电压节点，并且对应于所述扫描信号的输入信号可施加到所述栅极。所述氧化物半导体层可以是N型氧化物半导体层或P型氧化物半导体层。所述氧化物半导体层可包括氧化铟镓锌，并且铟、镓和锌的组成比可以是1:1:1。所述电阻器件可包括：金属氧化物膜；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；以及第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端。所述第一连接电极可电连接到所述第一电压节点，所述第二连接电极可电连接到所述输出节点，所述第二连接电极和所述第一电极可彼此电连接或者彼此集成在一起。所述金属氧化物膜可包括氧化镓锌。在镓和锌中，镓可具有50％或更高的组成比。所述电阻器件的金属氧化物膜可具有10Ωcm或更大的电阻率。所述电阻器件的金属氧化物膜的长度可大于所述电阻器件的金属氧化物膜的宽度。所述电阻器件的金属氧化物膜的厚度可小于所述晶体管的氧化物半导体层的厚度。所述扫描驱动器电路和所述发光控制驱动器电路可设置在所述显示面板的非有源区域中，所述显示面板的非有源区域中的设置有所述发光控制驱动器电路的区域范围可小于所述显示面板的非有源区域中的设置有所述扫描驱动器电路的区域范围。所述多个子像素中的每个子像素可包括：发光器件；驱动晶体管，被配置为向所述发光器件提供驱动电流；扫描晶体管，被配置为将数据电压传送到所述驱动晶体管的栅极节点；以及发光控制晶体管，被配置为控制所述发光器件的发光，其中，所述扫描晶体管的栅极节点可电连接到所述扫描线，所述发光控制晶体管的栅极节点可电连接到所述发光控制线。根据本专利技术的另一方面，本专利技术的实施方式可提供一种信号反转装置，包括：基板；以及位于所述基板上的电阻器件和晶体管，其中所述晶体管包括：氧化物半导体层，位于所述基板上；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分并且连接到输出节点；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分并且连接到第二电压节点；和栅极，位于所述氧化物半导体层上或下，其中所述电阻器件包括：金属氧化物膜，位于所述基板上；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端并且连接至第一电压节点；第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端并且连接至所述输出节点，其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压通过所述第一电压节点施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以通过所述输出节点输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压通过所述第二电压节点施加到所述第二电极。输入信号可输入到所述栅极，第一电压可施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极可彼此电连接或者彼此集成在一起以输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压可施加到所述第二电极。当在所述氧化物半导体中设置有沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值可大于所述晶体管的电阻值，并且当在所述氧化物半导体中没有设置沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值可小于所述晶体管的电阻值。本专利技术的实施方式提供了一种具有简单电路配置的小尺寸信号反转装置和使用该信号反转装置的显示装置。此外，本专利技术的实施方式提供了可以直接设置在显示面板中的信号反转装置和包括该信号反转装置的显示装置。此外，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素，并且对应于所述多个子像素中的每一个设置有扫描线和发光控制线；/n扫描驱动器电路，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线；以及/n发光控制驱动器电路，被配置为将发光控制信号输出到所述发光控制线，/n其中，所述发光控制驱动器电路包括：/n电阻器件，电连接在被施加第一电压的第一电压节点和与所述发光控制线电连接的输出节点之间；以及/n晶体管，电连接在所述输出节点和被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压节点之间，所述晶体管的导通/截止操作由输入信号控制。/n

【技术特征摘要】
20181210 KR 10-2018-01579911.一种显示装置，包括：
显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素，并且对应于所述多个子像素中的每一个设置有扫描线和发光控制线；
扫描驱动器电路，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线；以及
发光控制驱动器电路，被配置为将发光控制信号输出到所述发光控制线，
其中，所述发光控制驱动器电路包括：
电阻器件，电连接在被施加第一电压的第一电压节点和与所述发光控制线电连接的输出节点之间；以及
晶体管，电连接在所述输出节点和被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压节点之间，所述晶体管的导通/截止操作由输入信号控制。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入信号是从所述扫描驱动器电路输出的扫描信号。


3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光控制驱动器电路将通过反转所述输入信号的电压电平而获得的发光控制信号输出到所述输出节点。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电压和所述第二电压中的一个具有与所述发光控制信号的高电平电压相对应的电压值，并且所述第一电压和所述第二电压中的其余一个具有与所述发光控制信号的低电平电压相对应的电压值。


5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管是N型晶体管时，所述第一电压具有高于所述第二电压的电压值，
所述发光控制驱动器电路被配置为：
当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及
当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。


6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管是P型晶体管时，所述第二电压具有高于所述第一电压的电压值，
所述发光控制驱动器电路被配置为：
当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及
当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。


7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管导通时，所述电阻器件的电阻值大于所述晶体管的电阻值，并且当所述晶体管截止时，所述电阻器件的电阻值小于所述晶体管的电阻值。


8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管包括：
氧化物半导体层；
第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；
第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；以及
栅极，被施加所述输入信号，
所述第一电极电连接到所述输出节点，所述第二电极电连接到所述第二电压节点，并且对应于所述扫描信号的输入信号施加到所述栅极。


9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层是N型氧化物半导体层。


10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层是P型氧化物半导体层。


11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌，并且铟、镓和锌的组成比是1:1:1。


12.根据权利要求8所述的显示装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李道炯，丁灿墉，白朱爀，千光一，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR