一种存储器及其控制方法与存储系统技术方案

本发明专利技术提出一种存储器及其控制方法与存储系统，包括，存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。本发明专利技术提出的存储器使用寿命长。

A kind of memory and its control method and storage system

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及其控制方法与存储系统
本专利技术涉及存储
，特别涉及一种存储器及其控制方法与存储系统。
技术介绍
大容量存储设备通常包括多个存储器设备。存储器设备用于存储数据，并且可以分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。闪存设备是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的示例，其中在单个编程操作中对多个存储器单元进行擦除或编程。对每个页执行编程或读操作，并且对每个块执行擦除操作。块可以包括多个页。然而，闪存设备中的可擦除次数是有限制的，当擦除达到一定数量的时候，闪存设备将不再可用。而块中包含的数据随着技术的发展还有增多的趋势，因此存储设备的使用寿命缩短，使用成本提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种存储器及其控制方法，以延长存储器的使用寿命，同时还可以提高存储器内存。为实现上述目的及其他目的，本专利技术提出一种存储器，包括：存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。进一步地，当所述多个第一存储单元进行擦除步骤时，形成所述第一擦除次数表，所述第一擦除次数表按照所述多个第一存储单元的顺序进行排列。进一步地，当所述多个第二存储单元进行擦除步骤时，形成所述第二擦除次数表，所述第二擦除次数表按照所述多个第二存储单元的顺序进行排列。进一步地，当所述存储单元阵列中的多个存储单元属于所述第一存储单元及所述第二存储单元时，在所述第一擦除次数表中找到所述多个存储单元的擦除次数，以及在所述第二擦除次数中找到所述多个存储单元的擦除次数。进一步地，所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值，所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列。进一步地，当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元，同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数，并更新所述第三擦除次数表。进一步地，当所述第三擦除次数表中的最大值大于阈值时，将所述多个存储单元当作所述第二存储单元，同时增加所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数，并更新所述第三擦除次数表。进一步地，当所述第三擦除次数表中的所有值大于阈值时，将所述第一存储单元内的数据移入所述第二存储单元内。进一步地，所述第一存储单元包括单层存储单元，所述第二存储单元包括多层存储单元，三层存储单元，四层存储单元中的至少一种。进一步地，本专利技术提出一种存储器的控制方法，包括，通过控制器形成第一擦除次数表及第二擦除次数表，所述第一擦除次数表记录多个第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录多个第二存储单元的擦除次数，多个所述第一存储单元及所述第二存单元形成存储单元阵列；通过所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述存储单元阵列中的多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元；所述控制器将接收到的数据存放在所述第一存储单元或第二存储单元中。进一步地，本专利技术提出一种存储系统，包括，主机；存储器，连接所述主机，其中，所述存储器包括，存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。综上所述，本专利技术提出一种存储器及其控制方法与存储系统，根据第一存储单元读写性能高和可擦除次数多的优点，以及根据第二存储单元容量大的优点，通过设置第三擦除次数表，并根据第三擦除次数表中的擦除次数将数据存放在第一存储单元或第二存储单元中，从而延长存储器的寿命，同时还可以提高存储器的内存。附图说明图1：本实施例中存储系统的框图。图2：本实施例中NAND型闪速存储器的系统方块图。图3：NAND存储芯片的系统方块图。图4：存储单元阵列的方框图。图5：本实施例中存储系统的组成图。图6：本实施例中系统控制器的结构示意图。图7：本实施例中存储器的结构示意图。图8：本实施例中擦除块与擦除次数表的对应图。图9：本实施例中擦除次数表与擦除块集合的对应图。图10：本实施例中第一擦除表，第二擦除次数表，第三擦除次数表与擦除块的对应图。图11：本实施例中第一擦除表，第二擦除次数表，第三擦除次数表的变化图。图12：本实施例中第三擦除次数表与擦除块的对应图。图13：本实施例中磨损框图。图14：本实施例中第三擦除次数表与擦除块的对应图。图15：本实施例中存储器的控制方法流程图。图16：本实施例中存储系统的框图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。这里所描述的系统包括用于控制包括闪存芯片的大容量存储模块的新颖结构。在图1中以高度概述的形式示出了整个系统。与这里的其它框图一样，图1所示的元件本质上是概念性的，它们示出了这些功能块之间的互相关系的性质，而不意在表示实际的物理电路级实施。如图1所示，本实施例提出一种存储系统，该存储系统包括非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置是即使切断电源也不会丢失数据的非易失性存储器(非暂时的存储器)，本实施例中，作为非易失性半导体存储装置，举例说明NAND型闪速存储器120。另外，作为存储系统，举例说明具备NAND型闪速存储器的固态硬盘设备(SolidStateDrive，SSD)。如图1所示，固态硬盘100经由接口171及电源线172与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括，/n存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；/n控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；/n其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括，
存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；
控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；
其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述多个第一存储单元进行擦除步骤时，形成所述第一擦除次数表，所述第一擦除次数表按照所述多个第一存储单元的顺序进行排列。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述多个第二存储单元进行擦除步骤时，形成所述第二擦除次数表，所述第二擦除次数表按照所述多个第二存储单元的顺序进行排列。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述存储单元阵列中的多个存储单元属于所述第一存储单元及所述第二存储单元时，在所述第一擦除次数表中找到所述多个存储单元的擦除次数，以及在所述第二擦除次数中找到所述多个存储单元的擦除次数。


5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值，所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列。


6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元，同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数，并更新所述第三擦除次数表。


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【专利技术属性】
技术研发人员：林毅泓，赵启鹏，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34