基准电压产生装置制造方法及图纸

基准电压产生装置（100）具备输出恒流的恒流电路（101）和生成输出电压的多个电压生成电路（102），恒流电路（101）输出的恒流对于温度变化具有显示第1倾斜的相关关系，多个电压生成电路（102）输出的多个输出电压，对于温度变化具有显示与显示第1倾斜的相关关系相反的第2倾斜的相关关系且各自不同的倾斜度。基准电压产生装置（100）产生基于恒流和从多个所述电压生成电路选择的至少一个电压生成电路的输出电压的基准电压。

Reference voltage generator

【技术实现步骤摘要】
基准电压产生装置
本专利技术涉及基准电压产生装置。
技术介绍
随着将来的IoT的普及，会在各种产品上搭载IC，与之相伴，可预想到IC的动作温度范围会扩大。因此，在具备基准电压产生装置的IC中，为了抑制温度变化造成的误动作，希望基准电压产生装置输出的基准电压相对于温度变化的变化较小。一般在IC中经常使用使恒流电路输出的恒流输入到电压生成电路，并产生基于该恒流值的恒定的基准电压的结构的基准电压产生装置。在这样结构的基准电压产生装置中，使恒流电路和电压生成电路相对于温度变化的特性的变动（以下，称为温度变动）一致，通过使这些温度变动抵消，来抑制基准电压的温度变动。已知如下技术，即现有的基准电压产生装置为了抑制因制造工序偏差而产生的相对于温度变化的基准电压变化（以下，称为基准电压的温度变动）的偏差，设置多个单位基准电压产生装置，以根据电特性评价选择最佳的单位基准电压产生装置。另外现有的单位基准电压产生电路由通过变更栅电极的极性而能够产生阈值电压的差的具有相同设定的杂质浓度的沟道杂质区域的增强型N沟道MOS晶体管（以下，将N沟道MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压产生装置，其特征在于，/n具备相对于输入电压输出恒流的恒流电路；以及生成基于所述恒流的输出电压的多个电压生成电路，/n所述恒流电路输出的所述恒流对于温度变化具有显示既定第一倾斜的相关关系，/n所述多个电压生成电路输出的多个所述输出电压，对于温度变化具有显示与显示所述第1倾斜的相关关系相反的第2倾斜的相关关系，且对于温度变化的近似1次系数和近似2次系数的组合即倾斜度分别不同，/n产生基于所述恒流和从所述多个电压生成电路中选择的至少一个电压生成电路的输出电压的基准电压。/n

【技术特征摘要】
20181212 JP 2018-2321691.一种基准电压产生装置，其特征在于，
具备相对于输入电压输出恒流的恒流电路；以及生成基于所述恒流的输出电压的多个电压生成电路，
所述恒流电路输出的所述恒流对于温度变化具有显示既定第一倾斜的相关关系，
所述多个电压生成电路输出的多个所述输出电压，对于温度变化具有显示与显示所述第1倾斜的相关关系相反的第2倾斜的相关关系，且对于温度变化的近似1次系数和近似2次系数的组合即倾斜度分别不同，
产生基于所述恒流和从所述多个电压生成电路中选择的至少一个电压生成电路的输出电压的基准电压。


2.如权利要求1所述的基准电压产生装置，其特征在于，
所述多个电压生成电路包含并联连接有熔丝的电压生成电路，
根据所述熔丝的状态变更，由从所述多个电压生成电路选择的至少一个所述电压生成电路生成所述输出电压。


3.如权利要求1所述的基准电压产生装置，其特征在于，
所述恒流电路包含基于从漏极输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：津村和宏，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP