掩模板及掩模板的制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种掩模板及掩模板的制造方法，该掩模板包括透光区，至少部分透光区内设有透光层，该透光层内设有金属有机框架聚合物。其中，金属有机框架聚合物的金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移，通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。因此，通过在透光区的一部分区域内设置金属有机框架聚合物，并调节透光区不同位置的有机框架聚合物中的金属离子及有机配体的种类，以精确控制不同区域的透过光单一波长和强度，提高掩模板的各透光区的曝光精度。

【技术实现步骤摘要】
掩模板及掩模板的制造方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种掩模板及掩模板的制造方法。
技术介绍
目前4次光刻技术(4Mask)已普遍应用于薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)的制备之中，其工艺过程为在制备好栅极层图案的基板上依次沉积栅绝缘层、有缘层、欧姆接触层和源漏极金属层后，利用一道半色调掩模板(HalftoneMask)，通过一次曝光显影，在光阻层形成两种不同的光阻膜厚，然后在刻蚀工艺中分两次干/湿刻蚀，形成不同图案。但是，现有的用于形成光阻层的半色调掩掩模板的曝光精度较低，容易导致通过半色调掩掩模板在阵列基板上形成的光阻层出现较大的误差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种掩模板及掩模板的制造方法，旨在提高掩模板的曝光精度。为解决上述问题，第一方面，本专利技术提供一种掩模板，所述掩膜板包括透光区，至少部分所述透光区内设有透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。在本专利技术的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置，所述透光层内金属有机框架聚合物的密度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。在本专利技术的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置；所述透光层的厚度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。在本专利技术的一些实施例中，所述透光层的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于0.2mm。在本专利技术的一些实施例中，所述金属有机框架聚合物的总体积与所述透光层的体积的比值大于或等于10％，且小于或等于80％。在本专利技术的一些实施例中，所述金属有机框架聚合物中的金属元素包括过渡金属、主族金属和稀土金属中的一种或多种。在本专利技术的一些实施例中，所述透光层的材质包括玻璃、聚氨酯树脂或乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物。在本专利技术的一些实施例中，所述掩膜板包括透明基板，及设于所述透明基板侧面的遮光层，所述透明基板的未被遮光层覆盖的区域形成所述透光区。第二方面，本专利技术还提供一种掩模板的制造方法，所述方法包括：提供透明基板；在所述透明基板上设置遮光层，以在所述透明基板未被所述遮光层覆盖的区域形成透光区；在至少部分所述透光区内设置透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。在本专利技术的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置，所述掩模板的制造方法还包括：将所述透光层背离所述透明基板一侧的部分材料去除，以使透光层的厚度由中部至两端逐渐增加。有益效果：本专利技术实施例的掩模板通过在透光区的一部分区域内设置透光层，并在透光层内设置金属有机框架聚合物。其中，金属有机框架聚合物的金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移，通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。因此，通过在透光区的一部分区域内设置金属有机框架聚合物，并调节透光区不同位置的有机框架聚合物中的金属离子及有机配体的种类，以精确控制不同区域的透过光单一波长和强度，提高掩模板的各透光区的曝光精度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的掩模板的一个实施例的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的掩模板的另一个实施例的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的掩模板的制造方法的一个实施例的流程示意图。掩模板100；透光层110；第一透光部111；第二透光部112；掩模板100a；透光层110a；第三透光部111a；第四透光部112a；透明基板120；遮光层130；透光区131；透光孔1311；光阻层200；光阻层200a；阵列基板300；衬底基板310；光学层320。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本专利技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本专利技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本专利技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本专利技术的描述变得晦涩。因此，本专利技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本专利技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。本专利技术实施例提供一种掩模板及掩模板的制造方法。以下分别进行详细说明。如图1所示，掩模板100包括透光区131，在通过掩模板100对基板进行曝光时，光线穿过掩模板100的透光区131对基板进行曝光，以在基板上形成光学层。其中，基板可以包括阵列基板或彩膜基板，在基板上形成的光学层包括彩膜基板上的黑色矩阵层，或者，阵列基板上的栅极层、源漏极层、有源层、光阻层200等等。在一些实施例中，可以使至少部分透光区131内设有透光层110，并在透光层110内设置金属有机框架聚合物(Meatl-OrganicFramework，MOF)。金属有机框架聚合物具有多孔结构、高比表面积、结构多样性和多金属不饱和位点的特性，其金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移，通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。其中，铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)、镍(Ni)等金属基的金属有机框架聚合物具有充满电子的d轨道，可根据有机配体的轨道能量而改变其配位方式和几何结构，经紫外光激发后，可实现300～500nm的单一波长。因此，通过在透光区131的一部分区域内设置金属有机框架本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，所述掩膜板包括透光区，至少部分所述透光区内设有透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，所述掩膜板包括透光区，至少部分所述透光区内设有透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。


2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置，所述透光层内金属有机框架聚合物的密度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。


3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置；所述透光层的厚度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。


4.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光层的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于0.2mm。


5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述金属有机框架聚合物的总体积与所述透光层的体积的比值大于或等于10％，且小于或等于80％。


6.如权利要求1至5中任意一项所述的掩模板，其特征在于，所述金属有机框架聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙朝宁，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44