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一种反MMI型波导马赫-曾德干涉器的制备方法技术

技术编号:24570140 阅读:36 留言:0更新日期:2020-06-20 23:39
本申请提供一种反MMI型波导马赫‑曾德干涉器的制备方法,在各种类型的条形光波导的基础上,制作两个沟槽;沟槽内侧壁所围成的区域与原条形波导区域重合,即将原波导重构为脊型波导;所述脊型波导的宽度与原条形波导宽度等于或小于原条形波导。该方案可以极大简化波导马赫‑曾德干涉器的制备过程,并可将干涉器的总长度减少到数微米至数十微米量级,从而为基于各类低折射率对比波导的集成光学芯片开发,以及高性能的微型波导传感器制备提供了新的思路。

A fabrication method of anti MMI waveguide Mach Zehnder interferometer

【技术实现步骤摘要】
一种反MMI型波导马赫-曾德干涉器的制备方法
本专利技术属于光波导器件领域,特别涉及到一种反MMI型波导马赫-曾德干涉器的制备方法。
技术介绍
波导马赫-曾德(Mach-Zehnder)干涉器是一种基础的波导干涉器结构,也是集成光学芯片构建的基础元件之一,在信号处理、光通讯、光学传感等领域具有重要的应用价值。目前,基于硅基波导及其他高折射率对比波导,如LNOI波导(绝缘体上的铌酸锂波导)的马赫-曾德干涉器制备较为成熟。但对于各类低折射率对比的波导(即通常所谓“弱”波导),如离子注入晶体波导、飞秒激光写入玻璃波导、聚合物波导等,马赫-曾德干涉器的制备仍然面临诸多困难。这限制了各类低折射率对比波导的进一步集成化和功能化。具体来说,困难主要来自于两个方面:其一,由于低折射率对比波导的芯区和衬底折射率差较小,波导弯曲损耗显著,因此通常需要较长的工作距离才能把波导分为两路,从而形成干涉器结构。例如,离子注入晶体波导的折射率变化幅度通常为10-4至10-3量级,需要数毫米甚至数厘米的弯曲半径才能够有效降低弯曲损耗。其二,由于同样的原因,波导的有效折本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反MMI型波导马赫-曾德干涉器的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:/n在条形光波导结构的基础上制备两条沟槽;所述两条沟槽内侧壁所围成的区域与原条形波导区域重合,即将原波导重构为脊型波导;所述脊型波导的宽度与原条形波导宽度相等或小于原条形波导。/n

【技术特征摘要】
1.一种反MMI型波导马赫-曾德干涉器的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:
在条形光波导结构的基础上制备两条沟槽;所述两条沟槽内侧壁所围成的区域与原条形波导区域重合,即将原波导重构为脊型波导;所述脊型波导的宽度与原条形波导宽度相等或小于原条形波导。


2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述两条沟槽之间填充有低折射率介质,所述低折射率介质为折射率低于原条形波导衬底材料的介质。

【专利技术属性】
技术研发人员:姚一村陈南光张丽强田振王宗良纪红柱任世杰
申请(专利权)人:聊城大学
类型:发明
国别省市:山东;37

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