【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂脊型光波导的制备方法
本专利技术涉及集成光电子学领域，具体涉及一种铌酸锂脊型光波导的制备方法。
技术介绍
铌酸锂晶体是最优良的集成光学材料之一，利用非常成熟的钛扩散以及质子交换工艺技术，已经成功研制调制器、开关及开关阵列、光耦合器等集成光学器件，并获得大量应用。高速的铌酸锂调制器是高速光通信系统中的重要器件。为了提高其调制带宽，更好地适应高频化工作，LiNbO3脊波导得到了广泛的研究。LiNbO3脊型波导的制作，通常采用干法刻蚀，如等离子束刻蚀、射频喷溅刻蚀、反应离子刻蚀等。1974年，Kaminow等人制备了脊波导相位调制器，其中脊型波导采用离子束刻蚀形成。1975年，Ohmachi等人制备了基于TiO2-扩散平面波导的脊波导马赫-曾德尔调制器，采用射频真空喷溅的方法来制作脊型结构。然而，调制器的支路区域和脊侧壁过于粗糙，不能成为低损耗器件。1979年，Kawabe等人采用离子轰击技术来刻蚀LiNbO3基片，先用氩离子轰击再用氢氟酸刻蚀掉轰击过的区域。重复6次可获得高度为0.42μm的脊型波导。但由于基片...
【技术保护点】
1.一种铌酸锂脊型光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体制作过程包括以下步骤：/n选择光学级Z切0.35mm厚的同成份铌酸锂晶片作为基底，在240℃下进行轻质子交换接近20小时，制成平面波导，质子源采用苯甲酸和苯甲酸锂的混合物；在+Z面平面波导上采用紫外光刻制作出条宽近2-4μm、厚度为近100-200nm的SiO
【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂脊型光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体制作过程包括以下步骤：
选择光学级Z切0.35mm厚的同成份铌酸锂晶片作为基底，在240℃下进行轻质子交换接近20小时，制成平面波导，质子源采用苯甲酸和苯甲酸锂的混合物；在+Z面平面波导上采用紫外光刻制作出条宽近2-4μm、厚度为近100-200nm的SiO2掩模；将做好掩模的晶片在240℃下再进行质子...
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