【技术实现步骤摘要】
一种电子级溴化氢提纯装置
本技术涉及提纯领域，具体涉及一种电子级磷烷提纯装置。
技术介绍
半导体行业中电子级溴化氢主要应用于蚀刻工艺中。等离子溴化氢蚀刻技术可以精确控制蚀刻深度及垂直度，同时不破坏臭氧层，不产生温室气体，是氟碳类蚀刻气体的良好替代品。随着半导体行业的发展，其对制程的主要工艺蚀刻用到的电子级溴化氢纯度提出了更高的要求；因此在制程过程中，如果杂质的污染，很容易导致晶片内电路功能的损坏，使得集成电路的失效及影响几何特征的形成。因此在制程过程中需要有效的去除溴化氢中的杂质组分。目前电子级溴化氢的提纯主要有吸附和精馏两种工艺。吸附工艺需要找到能够吸附不同杂质的吸附剂，对于一些轻组分如氧气、氮气、一氧化碳、氢气、甲烷等难以吸附，通常采用催化转化的方法，将上述气体杂质转化为能够吸附的水、二氧化碳进行吸附脱除，但催化转化工艺复杂，容易失活，限制其应用；精馏工艺可以很好的弥补吸附剂的缺陷，一般是两塔结合，有脱轻组分塔和脱重组分塔，但精馏对一些杂质组分的相对挥发度与溴化氢接近时，一般单纯靠精馏很难去除，若要达到合格产品，...
【技术保护点】
1.一种电子级溴化氢提纯装置，包括原料供给单元、产品存储单元以及产品充装单元，所述原料供给单元包括原料钢瓶，所述产品存储单元包括产品储罐，所述产品充装单元包括产品钢瓶，所述产品储罐的出口与所述产品钢瓶的瓶口连接，其特征在于，/n所述提纯装置还包括吸附单元，所述吸附单元包括吸附塔，所述原料钢瓶的瓶口与所述吸附塔的入口连接，所述吸附塔的出口与所述产品储罐的入口连接；/n所述产品储罐还设有放空口，所述放空口连接有放空管路；/n所述吸附单元包括串联设置的三级所述吸附塔，第一级所述吸附塔的入口与所述原料钢瓶的瓶口连接，第二级所述吸附塔的入口与第一级所述吸附塔的出口连接，第三级所述吸附...
【技术特征摘要】
1.一种电子级溴化氢提纯装置，包括原料供给单元、产品存储单元以及产品充装单元，所述原料供给单元包括原料钢瓶，所述产品存储单元包括产品储罐，所述产品充装单元包括产品钢瓶，所述产品储罐的出口与所述产品钢瓶的瓶口连接，其特征在于，
所述提纯装置还包括吸附单元，所述吸附单元包括吸附塔，所述原料钢瓶的瓶口与所述吸附塔的入口连接，所述吸附塔的出口与所述产品储罐的入口连接；
所述产品储罐还设有放空口，所述放空口连接有放空管路；
所述吸附单元包括串联设置的三级所述吸附塔，第一级所述吸附塔的入口与所述原料钢瓶的瓶口连接，第二级所述吸附塔的入口与第一级所述吸附塔的出口连接，第三级所述吸附塔的入口与第二级所述吸附塔的出口连接，所述产品储罐与第三级所述吸附塔的出口连接；
第一级所述吸附塔中装填有体积比为1:1的硅胶和碳分子筛，第二级所述吸附塔中装填有改性4A分子筛和氧化铝吸附剂，第三级所述吸附塔中装填有5A分子筛。
2.如权利要求1所述的电子级溴化氢提纯装置，其特征在于，所述原料供给单元包括并联设置的两个所述原料钢瓶，两个所述原料钢瓶同时或相互切换与所述吸附塔接通。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，温海涛，孙猛，王新喜，栗鹏伟，齐相前，刘晶，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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