电源关断控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种电源关断控制电路，包括：电源、芯片、供电主控制模块以及开关模块；该供电主控制模块包括一MOS管及一三极管；该MOS管的源极连接至该电源的正极，漏极连接至该芯片的电源输入端；该MOS管的源极与栅极相连接的电路上设置有第一电阻；该三极管的集电极连接至该MOS管的栅极，其基极连接至该芯片的电源输出端，以及其发射极接地；该MOS管的源极与该三极管的基极相连的电路上串联了第二电容；该开关模块与该第二电容并联，包括按键及与该按键相连的第二电阻，该第二电阻的一端与该MOS管Q1的源极相连，另一端与该按键一端相连，该按键的另一端与该三极管的基极相连。

Power off control circuit

【技术实现步骤摘要】
电源关断控制电路
本技术涉及电源电路
，具体涉及一种电源关断控制电路。
技术介绍
在当前的物联网设备中，有一些设备如电量表或燃气表等在正常使用中是需要用干电池进行低压供电。这些设备在生产交付后需要比较长的时间才能被安装使用，在这期间需要将电池完全断开，减少漏电。现有的技术是控制系统进入休眠，但是有电量损耗，需要对电路进行改进。因此，有必要对现有技术中的电源电路进行改进，以减少不必要的电量损耗。
技术实现思路
为了实现上述目的，本技术提供一种将电源完全关断的电源关断控制电路，可以解决现有技术中系统休眠情况下存在的漏电问题。该电源关断电路包括电源及芯片，还包括与所述电源和芯片连接的供电主控制模块以及开关模块；所述供电主控制模块包括一MOS管及一三极管；所述MOS管的源极连接至所述电源的正极，漏极连接至所述芯片的电源输入端；所述MOS管的源极与栅极相连接的电路上设置有第一电阻；所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，其基极连接至所述芯片的电源输出端，以及其发射极接地；所述MOS管的源极与所述三极管的基极相连的电路上串联了第二电容；所述开关模块与所述第二电容并联，包括按键及与所述按键相连的第二电阻，所述第二电阻的一端与所述MOS管Q1的源极相连，另一端与所述按键一端相连，所述按键的另一端与所述三极管的基极相连。在一具体的实施方式中，所述的电源关断控制电路还包括一供电辅控制电路，所述供电辅控制电路包括第三电阻以及第三电容；所述第三电阻的一端与所述MOS管的漏极相连，另一端与所述三极管的基极相连；所述第三电容的一端与所述三极管的基极相连，另一端接地。在一具体的实施方式中，所述MOS管为P型MOS管。在一具体的实施方式中，所述MOS管为加强型PMOS管。在一具体的实施方式中，所述三极管Q2为NPN型三极管。没有这项要求在一具体的实施方式中，所述电源为干电池、蓄电池或锂电池其中之一。如此，本申请所提供的电源关断控制电路能够自动切断电源，放置电量的损耗，延长电池使用时间。附图说明图1是本技术一实施例中电源关断控制电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。当然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获取的其他实施例，例如通过更改电阻值或电容值或更改MOS或三极管的型号等，都属于本技术保护的范围。请参见图1，所示为本技术一实施中电源关断控制电路的电路图。该电源关断控制电路包括芯片10和被配置为给芯片10供电的电源20。该电源关断控制电路100还包括一供电主控制模块30、一开关模块40以及一供电辅控制模块50。该供电主控制模块30、开关模块40及供电辅控制模块50相互配合控制该电源20在芯片10工作时供电，或者在芯片10不工作时完全不供电，减少不必要的电量损耗。该供电主控制模块30与电源模块200和芯片10相连，开关模块40与供电主控制模块30和芯片10相连，供电辅控制模块50与供电主控制模块30和芯片10相连。进一步地，在本实施方式中，该芯片10包括一电源输入端11(图1中标记为Vbus)以及一电源控制端12(图1中标记为Power-Ctr)。该电源模块20包括一电源21及与该电源21相连的第一电容C1。具体的，该第一电容C1的一端与电源21的正极相连，另一端接地。该电源21包括，但不限于，干电池、蓄电池或锂电池等其中一种。在本实施方式中，该供电主控制模块30包括一MOS管Q1、一三极管Q2、一第一电阻R1以及一第二电容C2。具体的，该MOS管Q1与该电源21的正极相连接。具体的，该MOS管Q1的源极S连接至该电源21的正极，该MOS管Q1的漏极D连接至芯片10的电源输入端11。该第一电阻R1作为一上拉电阻，设置在该MOS管Q1的源极S与栅极G相连接的电路上。三极管Q2连接至该MOS管Q1的栅极G。具体的，该MOS管Q1的栅极G连接至该三极管Q2的集电极。该三极管Q2的基极连接至芯片10的电源输出端；该三极管Q2的发射极接地。第二电容C2串联在MOS管Q1的源极与三极管Q2的基极相连的电路上，也即该第二电容C2的一端与MOS管Q1的源极相连，另一端与三极管Q2的基极相连。在本实施方式中，该MOS管Q1为P型MOS管，优选为增强型PMOS管。在本实施方式中，该三极管Q2为NPN型三极管。开关模块40包括一按键S1以及与按键S1串联的第二电阻R2。该按键S1用于响应用户的触摸操作使三极管Q2导通。该开关模块40与第二电容C2并联。具体的，第二电阻R2的一端与MOS管Q1的源极S相连，另一端与按键S1一端相连，该按键S1的另一端与三极管Q2的基极相连。默认状态，该按键S1处于常开状态。供电辅控制模块50包括一第三电阻R3以及一第三电容C3。该第三电阻R3的一端与MOS管Q1的漏极D相连，另一端与三极管Q2的基极相连，该第三电容C3的一端也与三极管Q2的基极相连，另一端接地。优选的，该第三电阻R3的阻值为10-100KΩ。第三电容C3的值优选为1UF。在其他实施方式中，该供电辅控制块50可省去。芯片10还包括一第四电容C4以及一第四电阻R4。该第四电容C4的一端连接在芯片10的电源输入端上，另一端接地。该第四电阻R4串联在芯片10的电源控制端12及三极管Q2的基极上。在本实施方式中，第一电阻R1的阻值大于第二电阻R2的阻值。具体的，该第一电阻R1优选为1MΩ，该第二电阻R2的阻值优选为100KΩ。第三电阻R3的阻值优选为100KΩ，第四电阻R4的阻值优选为1.5KΩ。可以理解的，所述电源关断控制电路的具体工作过程为：当电源21安装到该电源关断控制电路中时，供电主控制模块30的中的第二电容C2从电源21中获取电量并对三极管Q2充电，使得三极管Q2导通；Q2导通后通过第一电阻R1的下拉作用，使得MOS管Q1的源极S与栅极G之间的Vgs小于预设电压值，此时MOS管Q1导通，电源21与芯片10的电源输入端11之间的电路导通，并对芯片10供电。芯片10获取电源21的供电后控制搭载有该芯片10的设备工作，并将芯片10的电源控制端12置为高电平(1.8V以上)。电源控制端12置为高电平，可使得三极管Q2、MOS管Q1一直处于导通状态，以维持芯片10或设备处于电源21供电状态并进行工作例如芯片或系统测试。当工作例如测试完成后，芯片10控制将电源控制端12置为低电平(0V)。当电源控制端12置为低电平例如0V时，此时，三极管Q2的基极电压也为低电平，三极管Q2不导通。三极管Q2的关断进一步使得MOS管Q1关断，供电总线掉电。这时，芯片10的电源输入端11的电压不断下降，下降到一定电压后芯片10的电源控制端12为高阻态，此时，与三极管Q2基极相连的第三电容C3使得三极管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源关断控制电路，包括电源及芯片，其特征在于，还包括与所述电源和芯片连接的供电主控制模块以及开关模块；/n所述供电主控制模块包括一MOS管及一三极管；/n所述MOS管的源极连接至所述电源的正极，漏极连接至所述芯片的电源输入端；所述MOS管的源极与栅极相连接的电路上设置有第一电阻；/n所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，其基极连接至所述芯片的电源输出端，以及其发射极接地；/n所述MOS管的源极与所述三极管的基极相连的电路上串联了第二电容；/n所述开关模块与所述第二电容并联，包括按键及与所述按键相连的第二电阻，所述第二电阻的一端与所述MOS管Q1的源极相连，另一端与所述按键一端相连，所述按键的另一端与所述三极管的基极相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种电源关断控制电路，包括电源及芯片，其特征在于，还包括与所述电源和芯片连接的供电主控制模块以及开关模块；
所述供电主控制模块包括一MOS管及一三极管；
所述MOS管的源极连接至所述电源的正极，漏极连接至所述芯片的电源输入端；所述MOS管的源极与栅极相连接的电路上设置有第一电阻；
所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，其基极连接至所述芯片的电源输出端，以及其发射极接地；
所述MOS管的源极与所述三极管的基极相连的电路上串联了第二电容；
所述开关模块与所述第二电容并联，包括按键及与所述按键相连的第二电阻，所述第二电阻的一端与所述MOS管Q1的源极相连，另一端与所述按键一端相连，所述按键的另一端与所述三极管的基极相连。


2.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朋金，
申请(专利权)人：深圳市有方科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44