【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微致冷器及其制备方法,特别涉及。
技术介绍
目前广泛应用于微致冷器的的各种致冷方式,如对工质材料进行机械压缩及施加电场和磁场,主要基于以下三种原理1)半导体碲化铋基pn结致冷,源于珀耳帖(Peltier)效应,但归根结底源于载流子跃迁过程中的势垒高度变化;2)相变致冷,源于诱导条件下物质相变潜热变化,如冰盐相变冷却、干冰相变冷却、液体蒸发冷却及其他固体升华冷却等,已于上世纪90年代被淘汰的氟里昂(CFC)致冷以及目前普遍采用的溴化锂致冷就是典型的气-液相变致冷;3)熵变致冷,源于诱导条件下物质绝热熵变效应,如磁致冷就是典型的熵变致冷。严格意义上说,相变致冷其实也应属于熵变致冷,是一种物质形态发生变化的熵变形式。其他一些致冷方式如节流致冷、脉冲管致冷、辐射致冷及热声致冷等都因应用于一些较极端条件而未能推广使用。为寻求新的应用于室温范围的致冷途径,上世纪80年代出现了绝热去磁致冷,并一度成为热门。美国、法国及日本等在低温(mK至20K范围)磁致冷研究领域掌握了较成熟的技术,制造了致冷器件,目前正寻求合适的磁致冷工质材料以提高其在室温范围的致冷能力 ...
【技术保护点】
一种铁电陶瓷微致冷器,其特征在于双层铁电陶瓷片[2]通过低温共熔陶瓷工艺耦合,形成“双级”结构,两块“双级”结构的铁电陶瓷片[2]在集热云母片[4]正反两面与云母片叠合,每一层铁电陶瓷片[2]上下表面均披Sn/Ag[1]电极,“双级”结构共用一层Sn/Ag电极;导热硅脂位于铁电陶瓷片所涂覆的底层Sn/Ag电极[1]与云母片[4]之间;两块“双级”结构在云母片[4]正反面位置相对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘少波,李艳秋,
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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