Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用及制备方法技术

本发明专利技术公开了涉及Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用及Zr掺杂反铁电陶瓷的制备方法。Zr掺杂反铁电陶瓷为(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3。使用氧化铋，碳酸钠，碳酸钡，二氧化钛，氧化锆和氧化镧作为原料，根据分子式(Bi0.47Na0.47Ba0.06)(La(1-x)Zrx)TiO3来计算各化学组成分的质量，然后将称好的料倒入尼龙罐中，并放入氧化锆球，加入乙醇至罐体内高度的2/3处，并在球磨机上球磨6小时，干燥，过筛，压成型，在空气中在1000℃煅烧6h，再次球磨成粉，过筛，压制。本发明专利技术的有益效果是BNT-BLZT陶瓷材料在20℃时它的最大饱和极化是29.8μC/cm2，在储能方面具有很大的潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新材料开发
，涉及。
技术介绍
随着科技的发展，压电陶瓷材料被广泛使用，例如传感器和电容。在极短的时间跨度内产生大量的电能脉冲电源电路中，电容器是一个关键部件。随着紧凑型电子产品的需求增加，高储能陶瓷材料的研究越来越被重视[1]。有研究表明，反铁电(AFE)的材料比铁电体材料(FE)具有更高的能量存储密度和更好的介电性能。然而，已被广泛研究的AFE材料大多是铅基，如PZST、PLZT, PLZ,由于全球环境问题出现，环境友好型材料将成为未来发展的主流需求[2_4]。然而，到目前为止，关于无铅储能AFE材料的研究报道很少。作为无铅压电材料，近几年BNT-BT已经引起越来越多的关注。据报道，在BT含量约为6% (摩尔比)时，此材料的相结构表现出准同型相界，当介于0%和15% (摩尔比)BT时，在外电场作用下会发生反铁电(AFE)-铁电(FE)相变[5_7]。对相变后的铁电体，通过加热或加压等方式可使其回复为反铁电体，该过程伴随着极大的应力变化和高密度电荷瞬间释放的现象，因而反铁电体成为应用于高密度储能电容器的优秀候选材料[8’9]。当施加在铁电电容器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用。

【技术特征摘要】
1.Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用。2.按照权利要求1所述所述Zr掺杂对反铁电陶瓷的储能作用，其特征在于:所述Zr掺杂反铁电陶瓷为(Bia47Naa47Baatl6) (La(1_x)Zrx) TiO303.Zr掺杂对反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于:使用氧化铋(99%，分子量465.96)，碳酸钠(99.8 %，分子量105.99)，碳酸钡(99 %，分子量197.34)，二氧化钛(98 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹静，张广良，王永锋，
申请(专利权)人：王永锋，
类型：发明
国别省市：陕西;61