一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法技术

本发明专利技术公开了一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法，属于经济作物无性繁殖技术领域。具体包括以下步骤：初代培养、切割和继代增殖培养，继代增殖培养直至培养基中PPM用量降为0时结束，且继代增殖培养代数不少于4代。本发明专利技术的无刺花椒组培苗的继代繁育方法，通过对培养条件的优化，根据继代培养的次数适当调整培养基成分组成，以及特殊切割工艺等因素的综合研究，建立了无刺花椒组培种苗继代培养的技术体系，使得无刺花椒初代培养的茎段快速稳定的实现继代增殖，从而在短时间内实现大规模的繁育，在无刺花椒繁育生产中具有极大的实用价值。

A method of subculture of tissue culture seedlings of Zanthoxylum bungeanum

【技术实现步骤摘要】
一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法
本专利技术属于经济作物无性繁殖
，具体涉及一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法。
技术介绍
花椒是芸香科花椒属(ZanthoxylumLinn.)的一种香料植物，在我国有悠久的栽培历史，既是香料植物也是传统的药用植物，栽培花椒兼具很高的经济价值和水土保持效益。花椒在我国分布于黄河、长江、珠江流域各省及云南、贵州和西藏等地，按照商品类型可区分为北方红花椒、南方青花椒及产于山东的香花椒。我国现已栽种花椒约200万hm2，年总产值约600亿元，花椒已成为支撑我国5000多万山区农民经济来源的支柱型经济树种。然而，由于花椒树干、枝、叶具刺，导致采收困难、成本极高。2011年花椒的采收成本约占销售收入的1/2-2/3，全国200万hm2花椒的年采收成本达300-400亿元。因此，花椒采收难已是花椒生产中亟待解决的关键问题，若能以无刺花椒品种替代有刺花椒，将会大幅度的提高采收效率、节约采收成本。20世纪50年代以来，我国先后进行花椒品种改良，并断断续续进行了无刺花椒品种发掘和培育研究。20世纪80年代初，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、初代培养：将无刺花椒萌芽茎段置于培养基中，并在黑暗环境中培养5～9天，再置于光照强度为900～1100lux条件下培养6～8天，然后将光照强度增加至1900～2100lux培养12～16天，直至无刺花椒萌芽茎段生长至高度3～4cm，3～4个节间，且腋芽萌发数量不少于2个；/nS2、切割：将经过初代培养的无刺花椒萌芽茎段置于超净工作台上的无菌接种盘中，用灭菌的工具将无刺花椒萌芽茎段的基部即浸入培养基的一端的组织切除，露出新鲜组织，然后切成1～3片叶茎段；/nS3、第二代培养：将S2中切割好的茎段置于培养基中，并在黑暗环境中...

【技术特征摘要】
1.一种无刺花椒组培苗的继代繁育方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、初代培养：将无刺花椒萌芽茎段置于培养基中，并在黑暗环境中培养5～9天，再置于光照强度为900～1100lux条件下培养6～8天，然后将光照强度增加至1900～2100lux培养12～16天，直至无刺花椒萌芽茎段生长至高度3～4cm，3～4个节间，且腋芽萌发数量不少于2个；
S2、切割：将经过初代培养的无刺花椒萌芽茎段置于超净工作台上的无菌接种盘中，用灭菌的工具将无刺花椒萌芽茎段的基部即浸入培养基的一端的组织切除，露出新鲜组织，然后切成1～3片叶茎段；
S3、第二代培养：将S2中切割好的茎段置于培养基中，并在黑暗环境中培养5～9天后，及时置于光照强度为900～1100lux条件下培养6～8天，然后将光照强度增加至1900～2100lux培养12～16天，直至茎段生长至高度3～4cm，3～4个节间，且腋芽萌发数量不少于2个；
所述初代培养和第二代培养过程中的培养基成分组成为：MS基础培养基、玉米素(ZT)为2.0mg·L-1、萘乙酸(NAA)为0.1mg·L-1、卡拉胶为6.0g·L-1、蔗糖为30g·L-1和植物组培抗菌剂为(PPM)0.1％；
S4、重复S2和S3步骤进行继代增殖培养，直至培养基中PPM用量为0时结束，且继代增殖培养代数不少于4代；
所述继代增殖培养的培养基成分组成为：MS基础培养基、ZT为1.0～2.0mg·L-1、NAA为0.1mg·L-1、卡拉胶为6.0g·L-1、蔗糖3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽雄，唐宁，娄娟，许锋，刘霞，刘华敏，
申请(专利权)人：重庆文理学院，长江大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50