用于体声波谐振器的椭圆结构制造技术

一种椭圆形谐振器设备。该设备具有底部金属板、覆盖底部金属板的压电层和覆盖压电层的顶部金属板。顶部金属板、压电层和底部金属板的特征在于具有水平直径(dx)和竖直直径(dy)的椭圆形形状，该椭圆形形状能够表示为椭圆比率R＝dx/dy。与传统的多边形谐振器相比，使用椭圆结构，所得的体声波谐振器(BAWR)可以表现出等效的或改进的插入损耗、更高的耦合系数和更高的品质因数。

Elliptical structure for bulk acoustic resonators

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于体声波谐振器的椭圆结构相关申请的交叉引用本申请要求以下临时专利申请的优先权并且出于所有目的通过引用将其并入：2017年8月3日提交的题为“ELLIPTICALRESONATOR(椭圆谐振器)”的美国临时申请No.62/541,028。
本专利技术总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及基于压电外延膜和大体单晶膜的谐振器。
技术介绍
移动电信设备已在全球成功部署。一年中，包括手机和智能手机在内的移动设备的生产量已超过十亿，并且单位销量持续逐年增长。随着4G/LTE在2012年左右的提升以及移动数据流量的激增，数据丰富的内容正在推动智能手机市场的增长——预计在未来几年中，该增长将达到每年2B。新标准与旧标准的共存以及对更高数据速率需求的渴望正在推动智能手机的RF复杂性。遗憾的是，传统的RF技术存在局限性，这是有问题的并且在未来可能导致弊端。由上可见，非常期望用于改进电子设备的技术。
技术实现思路
本专利技术总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及基于压电外延膜和大体单晶膜的谐振器。在一个示例中，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种椭圆形谐振器电路设备，所述设备包括：/n底部金属板；/n压电层，其覆盖所述底部金属板；和/n顶部金属板，其覆盖所述压电层；/n其中，所述顶部金属板、所述压电层和所述底部金属板的特征在于具有水平直径(dx)和竖直直径(dy)的椭圆形形状，所述椭圆形形状能够表示为椭圆比率R＝dx/dy。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170803 US 62/541,0281.一种椭圆形谐振器电路设备，所述设备包括：
底部金属板；
压电层，其覆盖所述底部金属板；和
顶部金属板，其覆盖所述压电层；
其中，所述顶部金属板、所述压电层和所述底部金属板的特征在于具有水平直径(dx)和竖直直径(dy)的椭圆形形状，所述椭圆形形状能够表示为椭圆比率R＝dx/dy。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述椭圆比率R在从约1.20至约2.0的范围内。


3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述底部金属板和所述顶部金属板包括钼(Mo)、钌(Ru)、或钨(W)、铝铜(AlCu)。


4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述压电层包括具有下列项中的至少一者的材料或合金：AlN、AlGaN、GaN、InN、InGaN、AlInN、AlInGaN、ScAlN、ScGaN、AlScYN和BN。


5.根据权利要求1所述的设备，还包括耦合到所述顶部金属板或所述底部金属板的一个或多个柱型能量约束特征(ECF)；其中，所述一个或多个柱型ECF包括介电材料、金属材料或者介电材料和金属材料的组合。


6.根据权利要求1所述的设备，还包括配置在所述顶部金属板或所述底部金属板内的一个或多个腔型能量约束特征(ECF)。


7.一种RF滤波器电路设备，所述设备包括：
衬底构件；
介电钝化层，其覆盖所述衬底构件；
多个椭圆形谐振器设备，其覆盖所述衬底构件并且配置在所述介电钝化层内，所述椭圆形谐振器中的每一个包括：
底部金属板；
压电层，其覆盖所述底部金属板；和
顶部金属板，其覆盖所述压电层；
其中，所述顶部金属板、所述压电层和所述底部金属板的特征在于具有水平直径(dx)和竖直直径(dy)的椭圆形形状，所述椭圆形形状能够表示为椭圆比率R＝dx/dy；以及
多个通孔结构，其配置在所述介电层内；
其中，所述多个通孔结构中的每一个耦合至所述多个椭圆形谐振器设备中的至少一个。


8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述椭圆比率R在约1.20至约2.00的范围内。


9.根据权利要求7所述的设备，其中，所述衬底构件选自：硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN体衬底、GaN模板、AlN体衬底、AlN模板、AlxGa1-xN模板、比如绝缘体上硅(SOI)的工程化衬底、和多晶AlN模板。


10.根据权利要求7所述的设备，其中，所述介电钝化层包括氧化硅、氮化硅、氮化铝或氧化铝材料。

【专利技术属性】
技术研发人员：金大浩，皮纳尔·帕特尔，罗恩·W·豪顿，詹姆斯·布兰顿·希利，杰弗里·B·希利，
申请(专利权)人：阿库斯蒂斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US