【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合可变增益放大器相关申请案交叉引用本申请要求2017年11月3日递交的专利技术名称为“混合可变增益放大器(HybridVariableGainAmplifier)”的第15/802,905号美国专利申请的优先权,其全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及可变增益放大器(variablegainamplifier,VGA),尤其涉及用于在通信系统中使用的VGA的系统。
技术介绍
可变增益放大器(variablegainamplifier,VGA)通过调整增益来保持输出信号的期望电平。VGA广泛用于射频(radiofrequency,RF)通信系统中,特别是用于接收信号功率存在快速、大幅度变化的信号的收发器中。收发器可以在各种便携式设备或基站中使用,在这些收发器中,通常需要控制解调信号的功率,以便进行适当的信号处理。此外,发射器可以在各种便携式设备或基站中使用,在这些发射器中,为了避免其它设备的过度干扰,控制发射功率通常也是有用的。接收功率、发送功率和增益控制通常由自动增益控制(auto ...
【技术保护点】
1.一种混合可变增益放大器(hybrid variable gain amplifier,VGA),其特征在于,包括:/n正输入端和负输入端,正输出端和负输出端;/n所述VGA的第一部分,用于提供电流在所述正输入端和所述正输出端之间流动的电通路,以及用于提供:第一工作模式下的电流在所述正输入端和负输出端之间流动的电通路,或者第二工作模式下的电流在所述正输入端和电压源之间流动的电通路;/n所述VGA的第二部分,用于提供电流在所述负输入端和所述负输出端之间流动的电通路,以及用于提供:所述第一工作模式下的电流在所述负输入端和正输出端之间流动的电通路,或者所述第二工作模式的电流在所 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 US 15/802,9051.一种混合可变增益放大器(hybridvariablegainamplifier,VGA),其特征在于,包括:
正输入端和负输入端,正输出端和负输出端;
所述VGA的第一部分,用于提供电流在所述正输入端和所述正输出端之间流动的电通路,以及用于提供:第一工作模式下的电流在所述正输入端和负输出端之间流动的电通路,或者第二工作模式下的电流在所述正输入端和电压源之间流动的电通路;
所述VGA的第二部分,用于提供电流在所述负输入端和所述负输出端之间流动的电通路,以及用于提供:所述第一工作模式下的电流在所述负输入端和正输出端之间流动的电通路,或者所述第二工作模式的电流在所述负输入端和所述电压源之间流动的电通路,其中
所述VGA的所述第一部分和所述第二部分都包括与控制电压的连接,以选择性地启用所述第一工作模式下的所述电通路或所述第二工作模式下的所述电通路,所述控制电压还控制流入所述启用的电通路的电流量。
2.根据权利要求1所述的混合VGA,其特征在于,包括多个晶体管以提供相应的电通路,所述多个晶体管包括:
耦合在所述正输入端和所述负输出端之间的第一晶体管,
耦合在所述正输入端和所述电压源之间的第二晶体管,
耦合在所述负输入端和所述正输出端之间的第三晶体管,
耦合在所述负输入端和所述电压源之间的第四晶体管,
其中,所述第一、第二、第三和第四晶体管由所述控制电压控制以:
在所述第一工作模式下,允许至少一些电流流经所述第一和第三晶体管且禁止电流流经所述第二和第四晶体管;
在所述第二工作模式下,允许至少一些电流流经所述第二和第四晶体管且禁止电流流经所述第一和第三晶体管。
3.根据权利要求2所述的混合VGA,其特征在于,
所述VGA的所述第一部分还包括:
耦合在所述正输入端和所述正输出端之间的第五晶体管;
所述VGA的所述第二部分还包括:
耦合在所述负输入端和所述负输出端之间的第六晶体管;
所述控制电压通过以下方式控制所述第一至第六晶体管选择性地启用所述第一工作模式下的所述电通路或所述第二工作模式下的所述电通路:
在所述第一工作模式下,控制所述第一和第三晶体管允许至少一些电流流动且控制所述第二和第四晶体管禁止电流流动;或者
在所述第二工作模式下,控制所述第二和第四晶体管允许至少一些电流流动且控制所述第一和第三晶体管禁止电流流动。
4.根据权利要求3所述的混合VGA,其特征在于,
所述控制电压包括连接到所述第五和第六晶体管的第一控制电压,连接到所述第一和第三晶体管的第二控制电压,以及连接到所述第二和第四晶体管的第三控制电压;
所述第一、第二和第三控制电压一起用于:选择性地启用所述第一工作模式的所述电通路或所述第二工作模式下的所述电通路,以及控制流入所述启用的电通路的电流量。
5.根据权利要求4所述的混合VGA,其特征在于,所述多个晶体管为双极型晶体管(bipolarjunctiontransistor,BJT)或异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor,HBT);所述控制电压连接到所述晶体管的基极,以控制所述VGA在所述第一工作模式或所述第二工作模式下操作,以及控制每种工作模式下流入所述启用的电通路的电流量。
6.根据权利要求4所述的混合VGA,其特征在于,所述多个晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductorfield-effecttransistor,MOSFET)或高速电子迁移率晶体管(high-electron-mobilitytransistor,HEMT);所述控制电压连接到所述晶体管的栅极,以控制所述VGA在所述第一工作模式或所述第二工作模式下操作,以及控制每种工作模式下流入所述启用的电通路的电流量。
7.一种混合可变增益放大器(hybridvariablegainamplifier,VGA),其特征在于,包括:
正输入端和负输入端,正输出端和负输出端;
第一差分放大器和第二差分放大器,其中,所述第一和第二差分放大器通过彼此相互耦合,所述第一和第二差分放大器均包括第一共用晶体管和第二共用晶体管,所述第一共用晶体管耦合在所述正输出端和所述正输入端之间,所述第二共用晶体管耦合在所述负输出端和所述负输入端之间;
所述第一差分放大器还包括第一多个晶体管,所述第一多个晶体管将所述负输入端交叉连接到所述正输出端,将所述正输入端交叉连接到所述负输出端;
所述第二差分放大器还包括连接(tied)到电压源的第二多个晶体管;
所述第一和第二差分放大器包括与控制电压的连接,以控制所述混合VGA使用所述第一差分放大器在第一工作模式下操作或者使用所述第二差分放大器在第二工作模式下操作,以及在使用所述第一工作模式时,控制所述第一差分放大器中的电流引导,或者在使用所述第二工...
【专利技术属性】
技术研发人员:基米亚·塔吉扎德·安萨里,泰勒·尼尔·罗斯,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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