干式蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、五氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。

Dry etching method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】干式蚀刻方法
本专利技术涉及一种以氮化硅(SiN)作为蚀刻对象的利用包含HF的气体进行的干式蚀刻方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，有时会在单晶硅基板上，进行由氮化硅(以下称为SiN)与氧化硅(以下称为SiO2)和/或多晶硅(以下称为p-Si)邻接的结构中，选择性地蚀刻SiN的工序。作为SiN的蚀刻方法，已知有使用热磷酸的湿式蚀刻、或使用由CF4等化合物气体生成的等离子体的干式蚀刻。例如，专利文献1中记载有如下干式蚀刻方法，其为了于SiO2、硅化金属或硅的存在下将SiN选择性地等离子体蚀刻，而使用包含式：CHxF4-x(x表示2或3)所表示的化合物的气体及氧气等的蚀刻气体。专利文献1中记载有自SiO2膜的开口部选择性地蚀刻SiN膜，并将其下方的p-Si膜用作蚀刻停止层。然而，在使用热磷酸的湿式蚀刻、或使用等离子体的干式蚀刻中，不仅SiN被蚀刻且SiO2也会被蚀刻，因此存在难以确保SiN相对于SiO2的选择比的问题点。对此，专利文献2中记载有通过在无等离子体的加热环境下流通HF气体而蚀刻形成于SiO2膜上的Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171114 JP 2017-2186921.一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。


2.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。


3.根据权利要求1或2所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸为选自由单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸及五氟丁酸组成的组中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述混合气体不仅与所述氮化硅接触，而且也与氧化硅及多晶硅接触，
所述氮化硅与所述氧化硅的蚀刻选择比(SiN/SiO2)、及所述氮化硅与所述多晶硅的蚀刻选择比(SiN/Si)均为100以上。


5.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸为三氟乙酸或五氟丙酸，
所述含氟羧酸的量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木圣唯，八尾章史，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP